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2SB1275 全国供应商、价格、PDF资料

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2SB1275TLP详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR PNP 160V 1.5A SOT-428
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):1.5A
电压_集电极发射极击穿(最大):160V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):2V @ 100mA,1A
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:82 @ 100mA,5V
功率_最大:10W
频率_转换:50MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:CPT3
包装:带卷 (TR)

2SB1275TLP详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR PNP 160V 1.5A SOT-428
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):1.5A
电压_集电极发射极击穿(最大):160V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):2V @ 100mA,1A
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:82 @ 100mA,5V
功率_最大:10W
频率_转换:50MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:CPT3
包装:剪切带 (CT)

2SB1275TLP详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR PNP 160V 1.5A SOT-428
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):1.5A
电压_集电极发射极击穿(最大):160V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):2V @ 100mA,1A
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:82 @ 100mA,5V
功率_最大:10W
频率_转换:50MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:CPT3
包装:Digi-Reel®

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