2N7002E详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:240mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 欧姆 @ 250mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:0.6nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:21pF @ 5V
- 功率_最大:350mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:带卷 (TR)
2N7002E,215详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N CH TRENCH 60V SOT23
- 系列:TrenchMOS™
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:385mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 欧姆 @ 500mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:0.69nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 10V
- 功率_最大:830mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:Digi-Reel®
2N7002E,215详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 385MA SOT23
- 系列:TrenchMOS™
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:385mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 欧姆 @ 500mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:0.69nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 10V
- 功率_最大:830mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:带卷 (TR)
2N7002E,215详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 385MA SOT23
- 系列:TrenchMOS™
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:385mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 欧姆 @ 500mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:0.69nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 10V
- 功率_最大:830mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:带卷 (TR)
2N7002E,215详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N CH TRENCH 60V SOT23
- 系列:TrenchMOS™
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:385mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 欧姆 @ 500mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:0.69nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 10V
- 功率_最大:830mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:剪切带 (CT)
2N7002E-7-F详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:240mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 欧姆 @ 250mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
- 功率_最大:300mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3
- 包装:带卷 (TR)
- 矩形 - 自由悬挂,面板安装 3M 轴向 CONN PLUG 2MM IDC 3POS 24-26AWG
- 同轴,RF TE Connectivity 轴向 CONN PLUG BNC 50 OHM CRIMP GOLD
- FET - 阵列 Micro Commercial Co 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET 2N-CH 60V 115MA SOT-363
- 底座安装电阻器 TE Connectivity 矩形外壳 RES 390 OHM 500W 5% WW WIRE
- 配件 TE Connectivity 矩形外壳 CONN FERRULE CRIMP ZINC VIOLET
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries 矩形外壳 TERM BARRIER 4CIRC SGL ROW .4375
- 通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 442K OHM 1/4W 0.5% AXIAL
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries TERM BARRIER 1CIRC SGL ROW .325
- 矩形 - 自由悬挂,面板安装 3M CONN PLUG 2MM IDC 3POS 24-26AWG
- 底座安装电阻器 TE Connectivity 矩形外壳 RES 1.5K OHM 500W 5% WW WIRE
- 配件 TE Connectivity 矩形外壳 CONN FERRULE CRIMP ZINC VIOLET
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries 矩形外壳 TERM BARRIER 10CIRC 1 ROW .4375
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries 矩形外壳 TERM BARRIER 4CIRC SGL ROW .325
- 通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 487K OHM 1/4W 0.5% AXIAL
- 矩形 - 自由悬挂,面板安装 3M 轴向 CONN PLUG 2MM IDC 4POS 24-26AWG