2N5686G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN PWR GP 50A 80V TO3
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):50A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):80V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):5V @ 10A,50A
- 电流_集电极截止(最大):1mA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:15 @ 25A,2V
- 功率_最大:300mW
- 频率_转换:2MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-204AE
- 供应商设备封装:TO-3
- 包装:托盘
- 同轴,RF Amphenol Connex 非标准 CBL AMC-SMA BLKHD JACK IP67 50MM
- LED - 垫片,支座 Bivar Inc 非标准 MNTG PAD NYL
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 AMP GP NPN 160V 600MA TO-92
- 固定式 Murata Power Solutions Inc 径向 INDUCTOR RADIAL 22MH 0.045A
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries 径向 TERM BARRIER 28CIRC 1 ROW .4375
- 数值显示 Bourns Inc. 方形 - 1.460" L x 0.930" W x 1.050" H(37.08mm x 23.62mm x 26.67mm) POT 20K OHM CERM 2W +/-100 PPM
- 配件 TE Connectivity 方形 - 1.460" L x 0.930" W x 1.050" H(37.08mm x 23.62mm x 26.67mm) CONN FERRULE RG-196A CRIMP TIN
- 芯片电阻 - 表面安装 TE Connectivity 2010(5025 公制) RES 15.8 OHM 1W 1% 2010
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries 2010(5025 公制) TERM BARRIER 7CIRC SGL ROW .325
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries TO-204AE TERM BARRIER 2CIRC SGL ROW .4375
- 固定式 Murata Power Solutions Inc 非标准 IND 22.0MH 44MA DRUM 7.8X7.5 SMD
- 配件 TE Connectivity 非标准 CONN FERRULE RG-196A CRIMP TIN
- 芯片电阻 - 表面安装 TE Connectivity 2010(5025 公制) RES 16.9 OHM 1W 1% 2010
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries 2010(5025 公制) TERM BARRIER 8CIRC SGL ROW .325
- 矩形 - 外壳 TE Connectivity 2010(5025 公制) 090/250 HYB 14P PLUG ASSY BLU