2DB1714-13 全国供应商、价格、PDF资料

2DB1714-13详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS BIPO PNP 30V 2A SOT89-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：2A

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：370mV @ 75mA，1.5A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：270 @ 200mA，2V

功率_最大：900mW

频率_转换：200MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商设备封装：SOT-89-3

包装：剪切带 (CT)

2DB1714-13详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS BIPO PNP 30V 2A SOT89-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：2A

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：370mV @ 75mA，1.5A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：270 @ 200mA，2V

功率_最大：900mW

频率_转换：200MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商设备封装：SOT-89-3

包装：Digi-Reel®

2DB1714-13详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS BIPO PNP 30V 2A SOT89-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：2A

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：370mV @ 75mA，1.5A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：270 @ 200mA，2V

功率_最大：900mW

频率_转换：200MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商设备封装：SOT-89-3

包装：带卷 (TR)