当前位置:网站首页 » 库存索引148 » 型号"1N4749"的供应信息

1N4749 全国供应商、价格、PDF资料

型号:厂商:批号:封装:
按地区:全部 | 广东 | 深圳 | 汕头 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陕西 | 山东 | 江苏 | 深圳外

1N4749A详细规格

类别:单二极管/齐纳
描述:DIODE ZENER 24V 1W DO-41
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
电压_齐纳(标称)333Vz444:24V
电压_在If时为正向333Vf444(最大):-
电流_在Vr时反向漏电:5µA @ 18.2V
容差:±5%
功率_最大:1W
阻抗(最大)333Zzt444:25 欧姆
安装类型:通孔
封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
供应商设备封装:DO-41
包装:散装

1N4749A,113详细规格

类别:单二极管/齐纳
描述:DIODE ZENER 24V 1W DO-41
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
电压_齐纳(标称)333Vz444:24V
电压_在If时为正向333Vf444(最大):1.2V @ 200mA
电流_在Vr时反向漏电:5µA @ 18.2V
容差:±5%
功率_最大:1W
阻抗(最大)333Zzt444:25 欧姆
安装类型:通孔
封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
供应商设备封装:DO-41
包装:剪切带 (CT)

1N4749A,113详细规格

类别:单二极管/齐纳
描述:DIODE ZENER 24V 1W DO-41
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
电压_齐纳(标称)333Vz444:24V
电压_在If时为正向333Vf444(最大):1.2V @ 200mA
电流_在Vr时反向漏电:5µA @ 18.2V
容差:±5%
功率_最大:1W
阻抗(最大)333Zzt444:25 欧姆
安装类型:通孔
封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
供应商设备封装:DO-41
包装:带卷 (TR)

1N4749A,113详细规格

类别:单二极管/齐纳
描述:DIODE ZENER 24V 1W DO-41
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
电压_齐纳(标称)333Vz444:24V
电压_在If时为正向333Vf444(最大):1.2V @ 200mA
电流_在Vr时反向漏电:5µA @ 18.2V
容差:±5%
功率_最大:1W
阻抗(最大)333Zzt444:25 欧姆
安装类型:通孔
封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
供应商设备封装:DO-41
包装:带卷 (TR)

1N4749A,133详细规格

类别:单二极管/齐纳
描述:DIODE VREG 24V 38MA DO-41
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
电压_齐纳(标称)333Vz444:24V
电压_在If时为正向333Vf444(最大):1.2V @ 200mA
电流_在Vr时反向漏电:5µA @ 18.2V
容差:±5%
功率_最大:1W
阻抗(最大)333Zzt444:24 欧姆
安装类型:通孔
封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
供应商设备封装:DO-41
包装:带盒(TB)

1N4749A_NT50A详细规格

类别:单二极管/齐纳
描述:DIODE ZENER 24V 1W DO-41
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
电压_齐纳(标称)333Vz444:24V
电压_在If时为正向333Vf444(最大):-
电流_在Vr时反向漏电:5µA @ 18.2V
容差:±5%
功率_最大:1W
阻抗(最大)333Zzt444:25 欧姆
安装类型:通孔
封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
供应商设备封装:DO-41
包装:带盒(TB)

1N4749供应商

查看更多1N4749的供应商