UTRON
初步修订版0.1
64K x 16位低功耗CMOS SRAM
概述
该UT62L6416是1,048,576位低功耗
的CMOS静态随机存取存储器，具有
为65,536字由16位。
该UT62L6416从一个单一的2.7V工作
3.6V的电源和所有输入和输出都
充分TTL兼容。
该UT62L6416是设计上的低字节
通过数据字节访问控制（ UB
LB
).
UT62L6416
特点
快速存取时间：
55ns （最大值）为VCC = 3.0V 3.6V
70 /为100ns （最大值）为VCC = 2.7V 3.6V
CMOS低功耗运行
工作电流45 /35 / 25毫安（ICC最大值）
待机电流： 20微安（典型值）， L-版
3微安（典型值）， LL-版
单2.7V 3.6V电源
工作温度：
商业： 0
℃
~70
℃
扩展： -20
℃
~80
℃
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压： 1.5V （最小值）
数据字节的控制：
LB
(I/O1~I/O8)
UB （ I / O9 I / O16 ）
封装： 44引脚400mil TSOP
Ⅱ
48引脚6mm × 8毫米TFBGA
引脚说明
符号
A0 - A15
I / O1 - I / O16
CE
WE
OE
LB
UB
V
CC
V
SS
NC
VCC
VSS
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
低字节控制
高字节控制
电源
地
无连接
功能框图
A0
A1
A2
A3
A4
A8
A12
A13
A14
A15
I/O1
I/O16
I / O
ROW
解码器
.
存储阵列
.
.
1024行× 64列×16位
.
.
.
.
.
.
控制
.
.
.
.
.
.
列I / O
CE
WE
OE
列解码器
逻辑
控制
LB
UB
A11 A10
A9
A7 A6 A5
UTRON科技有限公司
1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-5777882
传真： 886-3-5777919
P80073
1
UTRON
初步修订版0.1
64K x 16位低功耗CMOS SRAM
UT62L6416
引脚配置
A4
A3
A2
A1
A0
A5
A6
A7
OE
UB
1
2
3
4
5
6
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I/O9
I/O10
OE
UB
I/O11
I/O12
I/O13
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
NC
A15
A13
A10
A2
CE
I/O2
I/O4
I/O5
I/O6
NC
I/O1
I/O3
VCC
VSS
I/O7
I/O8
NC
CE
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
VCC
VSS
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE
LB
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
VSS
VCC
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
A8
A9
A10
A11
NC
UT62L6416
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
VSS
VCC
I/O15
I/O16
I/O14
NC
A8
WE
A11
NC
A15
A14
A13
A12
NC
1
2
3
4
5
6
TFBGA
TSOP II
真值表
模式
待机
产量
关闭
读
CE
OE
X
X
H
H
L
L
L
X
X
X
WE
LB
UB
X
H
X
L
H
L
L
H
L
L
写
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
X
X
H
H
H
H
H
L
L
L
X
H
L
X
L
H
L
L
H
L
电源电流
I / O操作
I / O1 -I / O8 I / O9 -I / O16
高 - z
高 - z
I
SB
, I
SB1
高 - z
高 - z
I
SB
, I
SB1
高 - z
高 - z
I
CC
,I
CC1
,I
CC2
高 - z
高 - z
D
OUT
高 - z
I
CC
,I
CC1
,I
CC2
高 - z
D
OUT
D
OUT
D
OUT
D
IN
高 - z
I
CC
,I
CC1
,I
CC2
高 - z
D
IN
D
IN
D
IN
注意：
H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
UTRON科技有限公司
1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-5777882
传真： 886-3-5777919
P80073
2
UTRON
初步修订版1.0
64K x 16位低功耗CMOS SRAM
UT62L6416
绝对最大额定值*
参数
相对于V端子电压
SS
工作温度
广告
EXTENDED
储存温度
功耗
直流输出电流
焊接温度（低于10秒）
符号
V
TERM
T
A
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
Tsolder
等级
-0.5到4.6
0到70
-20-80
-65到+150
1
50
260
单位
V
℃
℃
℃
W
mA
℃
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
值仅为设备或高于任何其他条件的业务部门所标明的功能操作
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。
DC电气特性
(V
CC
= 2.7V 3.6V ， TA = 0
℃
70
℃
/ -20
℃
80
℃
(E))
参数
分钟。典型值。马克斯。
符号
测试条件
电源电压
V
CC
2.7 3.0
3.6
输入高电压
V
IH
2.2
-
V
CC
+0.3
输入低电压
V
IL
-0.2
-
0.6
输入漏电流
I
LI
-1
-
1
V
SS
≦
V
IN
≦
V
CC
输出漏电流
I
LO
-1
-
1
V
SS
≦
V
I / O
≦
V
CC;
输出禁用
输出高电压
V
OH
I
OH
= -1mA
2.2
-
-
输出低电压
V
OL
I
OL
= 2毫安
-
-
0.4
工作电源
I
CC
循环时间=分钟，100％占空比，
55 -
30
45
电源电流
70 -
25
35
I / O = 0毫安， CE = V
IL
;
100 -
20
25
平均手术
Icc1
4
5
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税， I / O = 0毫安，
-
当前
CE
≦
0.2V ，其他引脚在0.2V或VCC - 0.2V ，
Icc2
待机电流（ TTL ）
待机电流（ CMOS ）
I
SB
I
SB
1
周期时间= 500ns的， 100 ％的关税， I / O = 0毫安，
-
单位
V
V
V
A
A
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
8
0.3
20
3
10
0.5
80
25
CE
≦
0.2V ，其他引脚在0.2V或VCC - 0.2V ，
1. CE = V
IH ，
其它引脚= V
IL
或V
IH
,
2. UB =
LB
= V
IH ，
其它引脚= V
IL
或V
IH
,
-L
1. CE = V
CC
-0.2V,
其他引脚在0.2V或VCC - 0.2V ，
-LL
2. UB =
LB
=V
CC
-0.2V,
其他引脚在0.2V或VCC - 0.2V ，
-
-
-
UTRON科技有限公司
1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-5777882
传真： 886-3-5777919
P80073
3
UTRON
初步修订版1.0
64K x 16位低功耗CMOS SRAM
UT62L6416
电容
(TA=25
℃
中，f = 1.0MHz的）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
注：这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0V至3.0V
5ns
1.5V
C
L
= 30pF的，我
OH
/I
OL
= -1mA / 2毫安
AC电气特性
(V
CC
= 2.7V 3.6V ， TA = 0
℃
70
℃
/ -20
℃
80
℃
(E))
（ 1 ）读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
芯片使能在低Z输出
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
从地址变更输出保持
LB
,
UB
存取时间
LB
,
UB
到输出高阻态
LB
,
UB
以低Z输出
符号
UT62L6416-55
UT62L6416-70
UT62L6416-100
单位
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
CLZ *
t
OLZ *
t
CHZ *
t
OHZ *
t
OH
t
BA
t
BHZ
t
BLZ
分钟。
55
-
-
-
10
5
-
-
5
-
-
0
马克斯。
-
55
55
30
-
-
20
20
-
55
25
-
分钟。
70
-
-
-
10
5
-
-
5
-
-
0
马克斯。
-
70
70
35
-
-
25
25
-
70
30
-
分钟。
100
-
-
-
10
5
-
-
5
-
-
0
马克斯。
-
100
100
50
-
-
30
30
-
100
40
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
（ 2 ）写周期
参数
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
从写入时间结束数据保持
输出写入结束活动
写在高Z输出
符号
UT62L6416-55
UT62L6416-70
UT62L6416-100
单位
LB
,
UB
有效到结束写入的
*这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
* 55ns的VCC = 3.0V 3.6V
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW *
t
WHZ *
t
BW
分钟。
55
50
50
0
45
0
25
0
5
-
45
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
分钟。
70
60
60
0
55
0
30
0
5
-
60
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
分钟。
100
80
80
0
70
0
40
0
5
-
80
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
40
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
UTRON科技有限公司
1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-5777882
传真： 886-3-5777919
P80073
4
UTRON
初步修订版1.0
64K x 16位低功耗CMOS SRAM
UT62L6416
时序波形
读周期1
（地址控制）
(1,2,4)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
t
OH
DOUT
数据有效
读周期2
(
CE
和
OE
控制）
(1,3,5,6)
t
地址
RC
CE
t
AA
t
ACE
t
OE
t
OLZ
t
BLZ
t
CHZ
OE
t
BA
OHZ
LB ， UB
t
t
CLZ
t
OH
t
BHZ
DOUT
高-Z
数据有效
高-Z
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.设备不断选择CE = V
IL 。
3.地址必须是之前还是一致通过CE过渡有效;否则吨
AA
是限制参数。
4. OE为低。
5. t
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
, t
OHZ ，
t
BHZ
和T
BLZ
用C指定
L
= 5pF的。过渡测
±500mV
从稳定状态。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
CHZ
小于吨
CLZ
, t
OHZ
小于吨
OLZ 。
, t
BHZ
小于吨
BLZ 。
UTRON科技有限公司
1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-5777882
传真： 886-3-5777919
P80073
5
UTRON
初步修订版0.1
64K x 16位低功耗CMOS SRAM
概述
该UT62L6416是1,048,576位低功耗
的CMOS静态随机存取存储器，具有
为65,536字由16位。
该UT62L6416从一个单一的2.7V工作
3.6V的电源和所有输入和输出都
充分TTL兼容。
该UT62L6416是设计上的低字节
通过数据字节访问控制（ UB
LB
).
UT62L6416
特点
快速存取时间：
55ns （最大值）为VCC = 3.0V 3.6V
70 /为100ns （最大值）为VCC = 2.7V 3.6V
CMOS低功耗运行
工作电流45 /35 / 25毫安（ICC最大值）
待机电流： 20微安（典型值）， L-版
3微安（典型值）， LL-版
单2.7V 3.6V电源
工作温度：
商业： 0
℃
~70
℃
扩展： -20
℃
~80
℃
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压： 1.5V （最小值）
数据字节的控制：
LB
(I/O1~I/O8)
UB （ I / O9 I / O16 ）
封装： 44引脚400mil TSOP
Ⅱ
48引脚6mm × 8毫米TFBGA
引脚说明
符号
A0 - A15
I / O1 - I / O16
CE
WE
OE
LB
UB
V
CC
V
SS
NC
VCC
VSS
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
低字节控制
高字节控制
电源
地
无连接
功能框图
A0
A1
A2
A3
A4
A8
A12
A13
A14
A15
I/O1
I/O16
I / O
ROW
解码器
.
存储阵列
.
.
1024行× 64列×16位
.
.
.
.
.
.
控制
.
.
.
.
.
.
列I / O
CE
WE
OE
列解码器
逻辑
控制
LB
UB
A11 A10
A9
A7 A6 A5
UTRON科技有限公司
1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-5777882
传真： 886-3-5777919
P80073
1
UTRON
初步修订版0.1
64K x 16位低功耗CMOS SRAM
UT62L6416
引脚配置
A4
A3
A2
A1
A0
A5
A6
A7
OE
UB
1
2
3
4
5
6
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I/O9
I/O10
OE
UB
I/O11
I/O12
I/O13
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
NC
A15
A13
A10
A2
CE
I/O2
I/O4
I/O5
I/O6
NC
I/O1
I/O3
VCC
VSS
I/O7
I/O8
NC
CE
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
VCC
VSS
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE
LB
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
VSS
VCC
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
A8
A9
A10
A11
NC
UT62L6416
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
VSS
VCC
I/O15
I/O16
I/O14
NC
A8
WE
A11
NC
A15
A14
A13
A12
NC
1
2
3
4
5
6
TFBGA
TSOP II
真值表
模式
待机
产量
关闭
读
CE
OE
X
X
H
H
L
L
L
X
X
X
WE
LB
UB
X
H
X
L
H
L
L
H
L
L
写
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
X
X
H
H
H
H
H
L
L
L
X
H
L
X
L
H
L
L
H
L
电源电流
I / O操作
I / O1 -I / O8 I / O9 -I / O16
高 - z
高 - z
I
SB
, I
SB1
高 - z
高 - z
I
SB
, I
SB1
高 - z
高 - z
I
CC
,I
CC1
,I
CC2
高 - z
高 - z
D
OUT
高 - z
I
CC
,I
CC1
,I
CC2
高 - z
D
OUT
D
OUT
D
OUT
D
IN
高 - z
I
CC
,I
CC1
,I
CC2
高 - z
D
IN
D
IN
D
IN
注意：
H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
UTRON科技有限公司
1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-5777882
传真： 886-3-5777919
P80073
2
UTRON
初步修订版1.0
64K x 16位低功耗CMOS SRAM
UT62L6416
绝对最大额定值*
参数
相对于V端子电压
SS
工作温度
广告
EXTENDED
储存温度
功耗
直流输出电流
焊接温度（低于10秒）
符号
V
TERM
T
A
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
Tsolder
等级
-0.5到4.6
0到70
-20-80
-65到+150
1
50
260
单位
V
℃
℃
℃
W
mA
℃
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
值仅为设备或高于任何其他条件的业务部门所标明的功能操作
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。
DC电气特性
(V
CC
= 2.7V 3.6V ， TA = 0
℃
70
℃
/ -20
℃
80
℃
(E))
参数
分钟。典型值。马克斯。
符号
测试条件
电源电压
V
CC
2.7 3.0
3.6
输入高电压
V
IH
2.2
-
V
CC
+0.3
输入低电压
V
IL
-0.2
-
0.6
输入漏电流
I
LI
-1
-
1
V
SS
≦
V
IN
≦
V
CC
输出漏电流
I
LO
-1
-
1
V
SS
≦
V
I / O
≦
V
CC;
输出禁用
输出高电压
V
OH
I
OH
= -1mA
2.2
-
-
输出低电压
V
OL
I
OL
= 2毫安
-
-
0.4
工作电源
I
CC
循环时间=分钟，100％占空比，
55 -
30
45
电源电流
70 -
25
35
I / O = 0毫安， CE = V
IL
;
100 -
20
25
平均手术
Icc1
4
5
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税， I / O = 0毫安，
-
当前
CE
≦
0.2V ，其他引脚在0.2V或VCC - 0.2V ，
Icc2
待机电流（ TTL ）
待机电流（ CMOS ）
I
SB
I
SB
1
周期时间= 500ns的， 100 ％的关税， I / O = 0毫安，
-
单位
V
V
V
A
A
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
8
0.3
20
3
10
0.5
80
25
CE
≦
0.2V ，其他引脚在0.2V或VCC - 0.2V ，
1. CE = V
IH ，
其它引脚= V
IL
或V
IH
,
2. UB =
LB
= V
IH ，
其它引脚= V
IL
或V
IH
,
-L
1. CE = V
CC
-0.2V,
其他引脚在0.2V或VCC - 0.2V ，
-LL
2. UB =
LB
=V
CC
-0.2V,
其他引脚在0.2V或VCC - 0.2V ，
-
-
-
UTRON科技有限公司
1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-5777882
传真： 886-3-5777919
P80073
3
UTRON
初步修订版1.0
64K x 16位低功耗CMOS SRAM
UT62L6416
电容
(TA=25
℃
中，f = 1.0MHz的）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
注：这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0V至3.0V
5ns
1.5V
C
L
= 30pF的，我
OH
/I
OL
= -1mA / 2毫安
AC电气特性
(V
CC
= 2.7V 3.6V ， TA = 0
℃
70
℃
/ -20
℃
80
℃
(E))
（ 1 ）读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
芯片使能在低Z输出
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
从地址变更输出保持
LB
,
UB
存取时间
LB
,
UB
到输出高阻态
LB
,
UB
以低Z输出
符号
UT62L6416-55
UT62L6416-70
UT62L6416-100
单位
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
CLZ *
t
OLZ *
t
CHZ *
t
OHZ *
t
OH
t
BA
t
BHZ
t
BLZ
分钟。
55
-
-
-
10
5
-
-
5
-
-
0
马克斯。
-
55
55
30
-
-
20
20
-
55
25
-
分钟。
70
-
-
-
10
5
-
-
5
-
-
0
马克斯。
-
70
70
35
-
-
25
25
-
70
30
-
分钟。
100
-
-
-
10
5
-
-
5
-
-
0
马克斯。
-
100
100
50
-
-
30
30
-
100
40
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
（ 2 ）写周期
参数
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
从写入时间结束数据保持
输出写入结束活动
写在高Z输出
符号
UT62L6416-55
UT62L6416-70
UT62L6416-100
单位
LB
,
UB
有效到结束写入的
*这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
* 55ns的VCC = 3.0V 3.6V
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW *
t
WHZ *
t
BW
分钟。
55
50
50
0
45
0
25
0
5
-
45
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
分钟。
70
60
60
0
55
0
30
0
5
-
60
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
分钟。
100
80
80
0
70
0
40
0
5
-
80
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
40
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
UTRON科技有限公司
1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-5777882
传真： 886-3-5777919
P80073
4
UTRON
初步修订版1.0
64K x 16位低功耗CMOS SRAM
UT62L6416
时序波形
读周期1
（地址控制）
(1,2,4)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
t
OH
DOUT
数据有效
读周期2
(
CE
和
OE
控制）
(1,3,5,6)
t
地址
RC
CE
t
AA
t
ACE
t
OE
t
OLZ
t
BLZ
t
CHZ
OE
t
BA
OHZ
LB ， UB
t
t
CLZ
t
OH
t
BHZ
DOUT
高-Z
数据有效
高-Z
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.设备不断选择CE = V
IL 。
3.地址必须是之前还是一致通过CE过渡有效;否则吨
AA
是限制参数。
4. OE为低。
5. t
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
, t
OHZ ，
t
BHZ
和T
BLZ
用C指定
L
= 5pF的。过渡测
±500mV
从稳定状态。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
CHZ
小于吨
CLZ
, t
OHZ
小于吨
OLZ 。
, t
BHZ
小于吨
BLZ 。
UTRON科技有限公司
1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-5777882
传真： 886-3-5777919
P80073
5
UTRON
初步修订版0.1
64K x 16位低功耗CMOS SRAM
概述
该UT62L6416是1,048,576位低功耗
的CMOS静态随机存取存储器，具有
为65,536字由16位。
该UT62L6416从一个单一的2.7V工作
3.6V的电源和所有输入和输出都
充分TTL兼容。
该UT62L6416是设计上的低字节
通过数据字节访问控制（ UB
LB
).
UT62L6416
特点
快速存取时间：
55ns （最大值）为VCC = 3.0V 3.6V
70 /为100ns （最大值）为VCC = 2.7V 3.6V
CMOS低功耗运行
工作电流45 /35 / 25毫安（ICC最大值）
待机电流： 20微安（典型值）， L-版
3微安（典型值）， LL-版
单2.7V 3.6V电源
工作温度：
商业： 0
℃
~70
℃
扩展： -20
℃
~80
℃
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压： 1.5V （最小值）
数据字节的控制：
LB
(I/O1~I/O8)
UB （ I / O9 I / O16 ）
封装： 44引脚400mil TSOP
Ⅱ
48引脚6mm × 8毫米TFBGA
引脚说明
符号
A0 - A15
I / O1 - I / O16
CE
WE
OE
LB
UB
V
CC
V
SS
NC
VCC
VSS
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
低字节控制
高字节控制
电源
地
无连接
功能框图
A0
A1
A2
A3
A4
A8
A12
A13
A14
A15
I/O1
I/O16
I / O
ROW
解码器
.
存储阵列
.
.
1024行× 64列×16位
.
.
.
.
.
.
控制
.
.
.
.
.
.
列I / O
CE
WE
OE
列解码器
逻辑
控制
LB
UB
A11 A10
A9
A7 A6 A5
UTRON科技有限公司
1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-5777882
传真： 886-3-5777919
P80073
1
UTRON
初步修订版0.1
64K x 16位低功耗CMOS SRAM
UT62L6416
引脚配置
A4
A3
A2
A1
A0
A5
A6
A7
OE
UB
1
2
3
4
5
6
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I/O9
I/O10
OE
UB
I/O11
I/O12
I/O13
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
NC
A15
A13
A10
A2
CE
I/O2
I/O4
I/O5
I/O6
NC
I/O1
I/O3
VCC
VSS
I/O7
I/O8
NC
CE
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
VCC
VSS
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE
LB
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
VSS
VCC
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
A8
A9
A10
A11
NC
UT62L6416
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
VSS
VCC
I/O15
I/O16
I/O14
NC
A8
WE
A11
NC
A15
A14
A13
A12
NC
1
2
3
4
5
6
TFBGA
TSOP II
真值表
模式
待机
产量
关闭
读
CE
OE
X
X
H
H
L
L
L
X
X
X
WE
LB
UB
X
H
X
L
H
L
L
H
L
L
写
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
X
X
H
H
H
H
H
L
L
L
X
H
L
X
L
H
L
L
H
L
电源电流
I / O操作
I / O1 -I / O8 I / O9 -I / O16
高 - z
高 - z
I
SB
, I
SB1
高 - z
高 - z
I
SB
, I
SB1
高 - z
高 - z
I
CC
,I
CC1
,I
CC2
高 - z
高 - z
D
OUT
高 - z
I
CC
,I
CC1
,I
CC2
高 - z
D
OUT
D
OUT
D
OUT
D
IN
高 - z
I
CC
,I
CC1
,I
CC2
高 - z
D
IN
D
IN
D
IN
注意：
H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
UTRON科技有限公司
1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-5777882
传真： 886-3-5777919
P80073
2
UTRON
初步修订版1.0
64K x 16位低功耗CMOS SRAM
UT62L6416
绝对最大额定值*
参数
相对于V端子电压
SS
工作温度
广告
EXTENDED
储存温度
功耗
直流输出电流
焊接温度（低于10秒）
符号
V
TERM
T
A
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
Tsolder
等级
-0.5到4.6
0到70
-20-80
-65到+150
1
50
260
单位
V
℃
℃
℃
W
mA
℃
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
值仅为设备或高于任何其他条件的业务部门所标明的功能操作
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。
DC电气特性
(V
CC
= 2.7V 3.6V ， TA = 0
℃
70
℃
/ -20
℃
80
℃
(E))
参数
分钟。典型值。马克斯。
符号
测试条件
电源电压
V
CC
2.7 3.0
3.6
输入高电压
V
IH
2.2
-
V
CC
+0.3
输入低电压
V
IL
-0.2
-
0.6
输入漏电流
I
LI
-1
-
1
V
SS
≦
V
IN
≦
V
CC
输出漏电流
I
LO
-1
-
1
V
SS
≦
V
I / O
≦
V
CC;
输出禁用
输出高电压
V
OH
I
OH
= -1mA
2.2
-
-
输出低电压
V
OL
I
OL
= 2毫安
-
-
0.4
工作电源
I
CC
循环时间=分钟，100％占空比，
55 -
30
45
电源电流
70 -
25
35
I / O = 0毫安， CE = V
IL
;
100 -
20
25
平均手术
Icc1
4
5
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税， I / O = 0毫安，
-
当前
CE
≦
0.2V ，其他引脚在0.2V或VCC - 0.2V ，
Icc2
待机电流（ TTL ）
待机电流（ CMOS ）
I
SB
I
SB
1
周期时间= 500ns的， 100 ％的关税， I / O = 0毫安，
-
单位
V
V
V
A
A
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
8
0.3
20
3
10
0.5
80
25
CE
≦
0.2V ，其他引脚在0.2V或VCC - 0.2V ，
1. CE = V
IH ，
其它引脚= V
IL
或V
IH
,
2. UB =
LB
= V
IH ，
其它引脚= V
IL
或V
IH
,
-L
1. CE = V
CC
-0.2V,
其他引脚在0.2V或VCC - 0.2V ，
-LL
2. UB =
LB
=V
CC
-0.2V,
其他引脚在0.2V或VCC - 0.2V ，
-
-
-
UTRON科技有限公司
1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-5777882
传真： 886-3-5777919
P80073
3
UTRON
初步修订版1.0
64K x 16位低功耗CMOS SRAM
UT62L6416
电容
(TA=25
℃
中，f = 1.0MHz的）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
注：这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0V至3.0V
5ns
1.5V
C
L
= 30pF的，我
OH
/I
OL
= -1mA / 2毫安
AC电气特性
(V
CC
= 2.7V 3.6V ， TA = 0
℃
70
℃
/ -20
℃
80
℃
(E))
（ 1 ）读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
芯片使能在低Z输出
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
从地址变更输出保持
LB
,
UB
存取时间
LB
,
UB
到输出高阻态
LB
,
UB
以低Z输出
符号
UT62L6416-55
UT62L6416-70
UT62L6416-100
单位
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
CLZ *
t
OLZ *
t
CHZ *
t
OHZ *
t
OH
t
BA
t
BHZ
t
BLZ
分钟。
55
-
-
-
10
5
-
-
5
-
-
0
马克斯。
-
55
55
30
-
-
20
20
-
55
25
-
分钟。
70
-
-
-
10
5
-
-
5
-
-
0
马克斯。
-
70
70
35
-
-
25
25
-
70
30
-
分钟。
100
-
-
-
10
5
-
-
5
-
-
0
马克斯。
-
100
100
50
-
-
30
30
-
100
40
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
（ 2 ）写周期
参数
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
从写入时间结束数据保持
输出写入结束活动
写在高Z输出
符号
UT62L6416-55
UT62L6416-70
UT62L6416-100
单位
LB
,
UB
有效到结束写入的
*这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
* 55ns的VCC = 3.0V 3.6V
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW *
t
WHZ *
t
BW
分钟。
55
50
50
0
45
0
25
0
5
-
45
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
分钟。
70
60
60
0
55
0
30
0
5
-
60
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
分钟。
100
80
80
0
70
0
40
0
5
-
80
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
40
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
UTRON科技有限公司
1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-5777882
传真： 886-3-5777919
P80073
4
UTRON
初步修订版1.0
64K x 16位低功耗CMOS SRAM
UT62L6416
时序波形
读周期1
（地址控制）
(1,2,4)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
t
OH
DOUT
数据有效
读周期2
(
CE
和
OE
控制）
(1,3,5,6)
t
地址
RC
CE
t
AA
t
ACE
t
OE
t
OLZ
t
BLZ
t
CHZ
OE
t
BA
OHZ
LB ， UB
t
t
CLZ
t
OH
t
BHZ
DOUT
高-Z
数据有效
高-Z
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.设备不断选择CE = V
IL 。
3.地址必须是之前还是一致通过CE过渡有效;否则吨
AA
是限制参数。
4. OE为低。
5. t
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
, t
OHZ ，
t
BHZ
和T
BLZ
用C指定
L
= 5pF的。过渡测
±500mV
从稳定状态。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
CHZ
小于吨
CLZ
, t
OHZ
小于吨
OLZ 。
, t
BHZ
小于吨
BLZ 。
UTRON科技有限公司
1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-5777882
传真： 886-3-5777919
P80073
5
