SD2932
射频功率晶体管
HF / VHF / UHF N沟道MOSFET
初步数据
½
½
½
½
镀金
优良的热稳定性
常见源配置，
推挽
POUT = 300W MIN 。 15 dB增益@ 175
兆赫
描述
该SD2932是一个金的金属化N-沟道MOS
场效应射频功率晶体管。该SD2932是
拟用于50V直流大信号运用
申请高达250 MHz
M244
环氧树脂密封
订货编号
BRANDING
SD2932
TSD2932
引脚连接
1.漏
2.门
绝对最大额定值
(T
例
= 25
o
C)
符号
V
（ BR ） DSS
V
DGR
V
GS
I
D
P
双SS
T
j
T
英镑
参数
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
= 1M)
栅源电压
漏电流
功耗
马克斯。操作摄像结温
储存温度
价值
125
125
±20
40
500
+200
-65到150
3.源
UNI吨
V
V
V
A
W
o
o
C
C
热数据
R
日（J -C ）
R
第（三-s ）
结 - 壳热阻
案例散热器热阻
0.35
0.12
o
o
C / W
C / W
使用平面铝或铜散热器与应用（道康宁340或同等学历）散热膏确定。
2000年3月
1/13
SD2932
最大热阻VS案例
温度
0.42
直流安全工作区
100
0.4
IDS ，漏电流（ A）
RTH （J -C ） （ C / W ）
0.38
10
(1)
0.36
1
0.34
25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85
1
10
100
1000
VDS ，漏极 - 源极电压（ V）
（1）当前在此区域可以由RDS是有限的（上）
双方各节同样装
TC ，外壳温度（ ° C）
电容VS漏源电压
10000
漏极电流与栅极电压
20
ID ，漏电流（ A）
T=-20
°C
VDS = 10 V
C，电容（pF ）
15
T=+25
°C
1000
西塞
科斯
10
T=+80
°C
100
CRSS
5
10
0
10
20
30
40
50
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
VDS ，漏极 - 源极电压（ V）
VGS ，栅源电压（V ）
栅极电压VS外壳温度
VGS ，栅源电压（归）
1.15
1.1
ID = 10 A
ID = 9的
ID = 5 A
ID = 7的
1.05
ID = 11一
1
0.95
ID = 4的
0.9
ID = 2将
ID = .1
ID = 1
0.85
ID = .25
0.8
-25
0
25
50
75
100
TCASE ，外壳温度（ ° C）
3/13
SD2932
典型性能（ 175兆赫）
输出功率与输入功率
500
输出功率与输入功率
600
T=-20
°C
噘嘴，输出功率（ W）
噘嘴，输出功率（ W）
400
VDD = 50 V
500
400
T=+25
°C
300
VDD = 40 V
T=+80
°C
300
200
100
0
Vdd=50V
IDQ = 2× 250毫安
F=175Mhz
200
Vdd=50V
IDQ = 2× 250毫安
F=175Mhz
100
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
引脚，输入功率（ W）
引脚，输入功率（ W）
功率增益与输出功率
效率与输出功率
17
80
70
GP ，功率增益（分贝）
16
NC，效率（％ ）
15
14
13
12
11
10
0
100
200
300
400
500
Vdd=50V
IDQ = 2× 250毫安
F=175Mhz
60
50
40
30
20
10
0
100
200
300
400
500
Vdd=50V
IDQ = 2× 250毫安
F=175Mhz
噘嘴，输出功率（ W）
噘嘴，输出功率（ W）
输出功率与电源电压
450
噘嘴，输出功率（ W）
400
350
300
PIN = 7.8 W
IDQ = 2× 250毫安
F=175Mhz
PIN = 15.6 W
输出功率与栅极电压
400
T=+25
°C
噘嘴，输出功率（ W）
300
T=-20
°C
T=+80
°C
200
250
200
150
100
24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50
PIN = 3.9 W
100
Vdd=50V
IDQ = 2× 250毫安
F=175Mhz
0
-3
-2
-1
0
1
2
3
VDD ，漏极电压（V ）
VGS ， GATE_SOURCE VOLTAG E（ V）
4/13
