TPS2330
TPS2331
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SLVS277G - 2000年3月 - 修订2013年7月
详细说明
DISCH -
DISCH应连接到外部的N沟道MOSFET晶体管的连接到源
门。该引脚排出负荷时在MOSFET晶体管被禁用。它们也可以作为参考 -
电压连接内部栅极电压钳位电路。
启用或启用 -
启用TPS2330为低电平有效。启用TPS2331为高电平有效。当
控制器使能时，门电压电至打开外部的MOSFET。当使能引脚
拉高TPS2330或ENABLE引脚被拉低TPS2331超过50
μs,
的门
MOSFET被排出在由电流源以控制的速率，和一个晶体管被启用以排出
输出大电容。此外，该设备打开内部调节器PREREG （见VREG）时
启用和禁用时，使总电源电流比5少得多关闭PREREG
μA.
故障 -
故障是一个漏极开路过流标志输出。当过流状态持续久
足以定时器充电至0.5 V ，关断器件，并拉起故障低。为了打开设备后面
上，无论是使能引脚必须切换或输入电源必须循环。
门 -
栅极连接到外部的N沟道MOSFET晶体管的栅极。当设备被激活，
内部电荷泵电路由采购约15拉该引脚最多
μA.
该turnon摆率取决于
对电容存在于门终端。如果需要的话， turnon摆率可以进一步降低
在此引脚与地之间的电容。这些电容也降低浪涌电流和保护
设备从虚假过流电期间触发。该电荷泵电路产生的栅极 - 源极
在整个外部MOSFET晶体管9 V - 12 V电压。
IN =
在应该连接到电源驱动连接在外部的N沟道MOSFET晶体管
到门口。该TPS2330 / 31吸引了来自其工作电流，并仍然禁止，直到电源
已经建立。该装置已建成，支持3 -V ， 5 V或12 V工作。
ISENSE ， ISET -
ISENSE在ISET组合实现过流检测的大门。 ISET设置
产生的过电流故障时，通过连接到ISET的外部电阻器的电流的幅值。一
内部电流源平50
μA
从ISET 。与来自在一个检测电阻（ISENSE） ，这也是
连接到外部MOSFET的漏极，所述感测电阻器上的电压反映负载电流。一
假设过流状态存在，如果ISENSE被拉到下面ISET 。为了确保适当的断路器
操作时， V
我（ ISENSE ）
和V
我（ ISET ）
不应该超过V
我（IN）的
.
PWRGD -
PWRGD信号对VSENSE欠压条件的存在。该引脚为漏极开路
输出在欠压状态被拉低。为了最大限度地减少因错误PWRGD回应
上的电压轨瞬变，所述电压感测电路包括一个20微秒的尖峰脉冲滤波器。当VSENSE是
比基准电压（约1.23 V）时， PWRGD是低电平有效的，以对表示欠压条件下
电源轨电压。当该装置处于关闭状态，因为PWRGD可能不正确地报告功率条件
没有栅极驱动电源用于在禁用模式PWRGD输出晶体管，或者，换句话说， PWRGD是
浮动。因此， PWRGD被上拉至其在禁用模式下的上拉电源轨。
定时器=
在TIMER电容器设置在此期间，电源开关可在过流转弯前的时间
关。当过电流保护电路检测过大的电流时，电流源被启动哪个
费对定时器的电容。一旦定时器的电压达到约0.5 V时，断路器
锁存器置和电源开关被锁断。权力必须被回收或者ENABLE引脚必须切换到
重新启动控制器。在高功率或高温应用中，一个最小的50 pF电容是强
建议从TIMER到地面，以防止误触发。
VREG -
VREG是一个内部低压差稳压器，其中IN1是输入输出。该稳压器
用于产生一个调节的电压源，小于5.5 V，则在设备中。一个0.1 μF的陶瓷电容器
连接VREG和地之间的噪声抑制来辅助。在这种配置中，上禁用该设备，
内置低压差稳压器也被禁用，从而消除权力从内部电路，并允许
设备被放置在低静态电流模式。在应用时， IN1小于5.5 V ， VREG和IN1
可以连接在一起。然而，在这些条件下，禁用的设备可能无法将设备放置在
低静态电流模式，因为内部低压差稳压器被旁路，从而
保持内部电路的操作。如果VREG和IN1连接在一起，一个0.1 μF陶瓷电容
VREG和地面之间，如果IN1已经具有1的旁路电容，不需要
μF
10
μF.
· VSENSE
VSENSE可以用来检测外部电路的欠压条件。如果VSENSE感测
电压低于约1.23 V， PWRGD被拉低。
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