TLPGE19TP(F),TLFGE19TP(F),TLGE19TP(F),TLPYE19TP(F)
东芝InGaAP LED
TLPGE19TP(F),TLFGE19TP(F),TLGE19TP(F),TLPYE19TP(F)
面板指示灯电路
铅（Pb ） - 免费的产品（铅：锡银铜）
5mm封装
InGaAP技术
所有塑料模具类型
透明镜片
阵容： 3colors （纯绿，翠绿，纯黄）
高强度光发射
出色的低光电流输出
应用范围：交通信号，安全设备，背光
止动器引线型也可
TLPGE19T （ F） ， TLFGE19T （F ） ， TLGE19T （F ） ， TLPYE19T （ F）
单位：mm
阵容
产品名称
TLPGE19TP(F)
TLFGE19TP(F)
TLGE19TP(F)
TLPYE19TP(F)
颜色
纯绿
绿色
绿色
纯黄色
材料
JEDEC
JEITA
InGaAlP系
―
―
4-5AM2
东芝
重量：0.49克（典型值）。
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
产品名称
TLPGE19TP(F)
TLFGE19TP(F)
TLGE19TP(F)
TLPYE19TP(F)
正向电流
I
F
（MA ）
50
50
50
50
反向电压
V
R
(V)
4
4
4
4
功耗
P
D
（ mW）的
120
120
120
120
40~100
40~120
操作
温度
T
OPR
(°C)
存储
温度
T
英镑
(°C)
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
1
2007-10-01
TLPGE19TP(F),TLFGE19TP(F),TLGE19TP(F),TLPYE19TP(F)
电气和光学特性
（大
=
25°C)
产品名称
典型值。发射波长
λ
d
λ
P
Δλ
发光强度
I
V
民
153
272
476
476
典型值。
500
800
1300
2000
MCD
I
F
20
20
20
20
mA
正向电压
V
F
典型值。
2.1
2.0
2.0
2.0
V
最大
2.4
2.4
2.4
2.4
I
F
20
20
20
20
mA
反向电流
I
R
最大
50
50
50
50
μ
A
I
F
20
20
20
20
mA
V
R
4
4
4
4
V
TLPGE19TP(F)
TLFGE19TP(F)
TLGE19TP(F)
TLPYE19TP(F)
单位
558
565
571
580
(562)
(568)
(574)
(583)
nm
14
15
17
14
注意事项
请注意以下事项：
焊接温度： 260 ℃以下，焊接时间： 3秒以内
（焊接的引线部分：最大1.6毫米的装置的主体）
如果铅形成，所述引线应当形成为从装置的主体1.6毫米不形成应力
到树脂上。焊接后应率先形成进行。
这可见的LED灯还发出了一些红外光。
如果一个光电探测器靠近LED灯，请确保它不会受到此红外光。
2
2007-10-01
TLPGE19TP(F),TLFGE19TP(F),TLGE19TP(F),TLPYE19TP(F)
TLPGE19TP(F)
I
F
– V
F
100
Ta
=
25°C
50
30
5000
Ta
=
25°C
I
V
– I
F
I
V
（ MCD ）
发光强度
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
（MA ）
1000
正向电流
I
F
10
5
3
100
1
1.6
2.3
10
1
3
5
10
30
50
100
正向电压
V
F
(V)
正向电流
I
F
（MA ）
I
V
TC =
10
1.0
相对发光强度 - 波长
IF
=
20毫安
I
V
相对发光强度
5
3
Ta
=
25°C
0.8
相对发光强度
0.6
1
0.5
0.3
0.4
0.2
0.1
20
0
20
40
60
80
0
520
540
560
580
600
620
640
外壳温度
Tc
(°C)
波长
λ
（纳米）
辐射方向图
（MA ）
I
F
- TA
Ta
=
25°C
80
I
F
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
10°
0°
10°
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90
°
1.0
60
容许正向电流
40
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
0
20
40
60
80
100
120
环境温度
Ta
(°C)
3
2007-10-01
TLPGE19TP(F),TLFGE19TP(F),TLGE19TP(F),TLPYE19TP(F)
TLFGE19TP(F)
I
F
– V
F
100
Ta
=
25°C
50
30
5000
Ta
=
25°C
I
V
– I
F
I
V
（ MCD ）
发光强度
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
（MA ）
1000
正向电流
I
F
10
5
3
100
1
1.6
2.3
10
1
3
5
10
30
50
100
正向电压
V
F
(V)
正向电流
I
F
（MA ）
I
V
TC =
10
1.0
相对发光强度 - 波长
IF
=
20毫安
I
V
相对发光强度
5
3
Ta
=
25°C
0.8
相对发光强度
0.6
1
0.4
0.5
0.3
0.2
0.1
20
0
20
40
60
80
0
520
540
560
580
600
620
640
外壳温度
Tc
(°C)
波长
λ
（纳米）
辐射方向图
（MA ）
I
F
- TA
Ta
=
25°C
80
I
F
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
10°
0°
10°
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90
°
1.0
60
容许正向电流
40
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
0
20
40
60
80
100
120
环境温度
Ta
(°C)
4
2007-10-01
TLPGE19TP(F),TLFGE19TP(F),TLGE19TP(F),TLPYE19TP(F)
TLGE19TP(F)
I
F
– V
F
100
Ta
=
25°C
50
30
5000
Ta
=
25°C
I
V
– I
F
I
V
（ MCD ）
发光强度
（MA ）
1000
正向电流
I
F
10
5
3
100
1
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
10
1
3
5
10
30
50
100
正向电压
V
F
(V)
正向电流
I
F
（MA ）
I
V
TC =
10
1.0
相对发光强度 - 波长
IF
=
20毫安
I
V
相对发光强度
5
3
Ta
=
25°C
0.8
相对发光强度
0.6
1
0.5
0.3
0.4
0.2
0.1
20
0
20
40
60
80
0
520
540
560
580
600
620
640
外壳温度
Tc
(°C)
波长
λ
（纳米）
辐射方向图
（MA ）
I
F
- TA
Ta
=
25°C
80
I
F
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
0
0.2
0.4
0.6
0.8
10°
0°
10°
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90
°
1.0
60
容许正向电流
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
环境温度
Ta
(°C)
5
2007-10-01
TL(PGE,FGE,GE,PYE)19TP(F)
东芝InGaAP LED
TLPGE19TP(F),TLFGE19TP(F),TLGE19TP(F),TLPYE19TP(F)
面板指示灯电路
单位：mm
φ5mm
包
InGaAP技术
透明镜片
阵容： 3种颜色（纯绿，绿，纯黄）
高强度光发射
出色的低光电流输出
应用范围：各类信息面板， backlightings等。
止动器引线型也可
TLPGE19T （ F） ， TLFGE19T （F ） ， TLGE19T （F ） ， TLPYE19T （ F）
阵容
产品名称
TLPGE19TP(F)
TLFGE19TP(F)
TLGE19TP(F)
TLPYE19TP(F)
颜色
纯绿
绿色
绿色
纯黄色
InGaAlP系
材料
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
4-5AM2
重量：0.49克（典型值）。
marktech
光电
对于部分可用性和订购信息，请拨打免费电话： 800.984.5337
网址： www.marktechopto.com |电子邮件： info@marktechopto.com
1
2009-12-04
TL(PGE,FGE,GE,PYE)19TP(F)
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
产品名称
TLPGE19TP(F)
TLFGE19TP(F)
TLGE19TP(F)
TLPYE19TP(F)
正向电流
I
F
(mA)(Note1)
50
50
50
50
反向电压
V
R
(V)
4
4
4
4
功耗
P
D
（ mW）的
120
120
120
120
40
100
40
120
操作
温度
T
OPR
(°C)
存储
温度
T
英镑
(°C)
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注1 ：正向电流降额
I
F
- TA
80
I
F
容许正向电流
（MA ）
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
环境温度
Ta
(°C)
2
2009-12-04
TL(PGE,FGE,GE,PYE)19TP(F)
电气和光学特性
（大
=
25°C)
发射波长
产品名称
λ
d
民
TLPGE19TP(F)
TLFGE19TP(F)
TLGE19TP(F)
TLPYE19TP(F)
单位
－
559
565
574
典型值。
558
565
571
580
最大
564
570
576
586
nm
λ
P
典型值。
562
568
574
583
Δλ
典型值。
14
15
17
14
民
发光强度
正向电压
反向
当前
I
V
I
F
20
20
20
20
mA
典型值。
V
F
I
F
民
典型值。
I
R
I
F
最大
I
F
153
272
476
476
500
800
1300
2000
MCD
20
20
20
20
2.1
2.0
2.0
2.0
V
2.4
2.4
2.4
2.4
20
20
20
20
mA
50
50
50
50
μA
4
4
4
4
V
注意事项
请注意以下事项：
焊接温度： 260 ℃以下，焊接时间： 3秒以内
（焊接的引线部分：最大1.6毫米的装置的主体）
如果铅形成，所述引线应当形成为从装置的主体1.6毫米不形成应力
到树脂上。焊接后应率先形成进行。
这可见的LED灯还发出了一些红外光。
如果一个光电探测器靠近LED灯，请确保它不会受到此红外光。
3
2009-12-04
TL(PGE,FGE,GE,PYE)19TP(F)
TLPGE19TP(F)
I
F
– V
F
100
Ta
=
25°C
50
30
5000
Ta
=
25°C
I
V
– I
F
I
V
（ MCD ）
发光强度
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
（MA ）
1000
正向电流
I
F
10
5
3
100
1
1.6
2.3
10
1
3
5
10
30
50
100
正向电压
V
F
(V)
正向电流
I
F
（MA ）
I
V
TC =
10
1.0
相对发光强度 - 波长
IF
=
20毫安
I
V
相对发光强度
5
3
Ta
=
25°C
0.8
相对发光强度
0.6
1
0.5
0.3
0.4
0.2
0.1
20
0
20
40
60
80
0
520
540
560
580
600
620
640
外壳温度
Tc
(°C)
波长
λ
（纳米）
辐射方向图
Ta
=
25°C
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
10°
0°
10°
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90
°
1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
4
2009-12-04
TL(PGE,FGE,GE,PYE)19TP(F)
TLFGE19TP(F)
I
F
– V
F
100
Ta
=
25°C
50
30
5000
Ta
=
25°C
I
V
– I
F
I
V
（ MCD ）
发光强度
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
（MA ）
1000
正向电流
I
F
10
5
3
100
1
1.6
2.3
10
1
3
5
10
30
50
100
正向电压
V
F
(V)
正向电流
I
F
（MA ）
I
V
TC =
10
1.0
相对发光强度 - 波长
IF
=
20毫安
I
V
相对发光强度
5
3
Ta
=
25°C
0.8
相对发光强度
0.6
1
0.4
0.5
0.3
0.2
0.1
20
0
20
40
60
80
0
520
540
560
580
600
620
640
外壳温度
Tc
(°C)
波长
λ
（纳米）
辐射方向图
Ta
=
25°C
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
10°
0°
10°
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90
°
1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
5
2009-12-04
TLPGE19TP(F),TLFGE19TP(F),TLGE19TP(F),TLPYE19TP(F)
东芝InGaAP LED
TLPGE19TP(F),TLFGE19TP(F),TLGE19TP(F),TLPYE19TP(F)
面板指示灯电路
单位：mm
铅（Pb ） - 免费的产品（铅：锡银铜）
5毫米套餐
InGaAP技术
所有塑料模具类型
透明镜片
阵容： 3colors （纯绿，翠绿，纯黄）
高强度光发射
出色的低光电流输出
应用范围：交通信号，安全设备，背光
止动器引线型也可
TLPGE19T （ F） ， TLFGE19T （F ） ， TLGE19T （F ） ， TLPYE19T （ F）
阵容
产品名称
TLPGE19TP(F)
TLFGE19TP(F)
TLGE19TP(F)
TLPYE19TP(F)
颜色
纯绿
绿色
绿色
纯黄色
材料
JEDEC
InGaAlP系
―
―
―
JEITA
东芝
重量： 0.31克
最大额定值
（大
=
25°C)
产品名称
TLPGE19TP(F)
TLFGE19TP(F)
TLGE19TP(F)
TLPYE19TP(F)
正向电流
I
F
（MA ）
50
50
50
50
反向电压
V
R
(V)
4
4
4
4
功耗
P
D
（ mW）的
120
120
120
120
操作
温度
T
OPR
(°C)
存储
温度
T
英镑
(°C)
40~100
40~120
对于部分可用性和订购信息，请拨打免费电话： 800.984.5337
网址： www.marktechopto.com |电子邮件： info@marktechopto.com
1
2005-09-12
TLPGE19TP(F),TLFGE19TP(F),TLGE19TP(F),TLPYE19TP(F)
电气和光学特性
（大
=
25°C)
产品名称
典型值。发射波长
发光强度
I
V
民
153
272
476
476
典型值。
500
800
1300
2000
MCD
I
F
20
20
20
20
mA
正向电压
V
F
典型值。
2.1
2.0
2.0
2.0
V
最大
2.4
2.4
2.4
2.4
I
F
20
20
20
20
mA
反向电流
I
R
最大
50
50
50
50
V
R
4
4
4
4
V
λ
d
TLPGE19TP(F)
TLFGE19TP(F)
TLGE19TP(F)
TLPYE19TP(F)
单位
558
565
571
580
λ
P
(562)
(568)
(574)
(583)
nm
λ
14
15
17
14
I
F
20
20
20
20
mA
A
注意事项
请注意以下事项：
焊接温度： 260 ℃以下，焊接时间： 3秒以内
（焊接的引线部分：最高至2毫米，从该装置的本体）
如果铅形成，所述引线应当形成达到5mm从装置的主体不形成应力
的树脂。焊接后应率先形成进行。
这可见的LED灯还发出了一些红外光。
如果一个光电探测器靠近LED灯，请确保它不会受到此红外光。
2
2005-09-12
TLPGE19TP(F),TLFGE19TP(F),TLGE19TP(F),TLPYE19TP(F)
TLPGE19TP(F)
I
F
– V
F
100
Ta
=
25°C
50
30
5000
Ta
=
25°C
I
V
– I
F
I
F
（MA ）
（ MCD ）
发光强度I
V
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
1000
正向电流
10
5
3
100
1
1.6
2.3
10
1
3
5
10
30
50
100
正向电压V
F
(V)
正向电流
I
F
（MA ）
I
V
TC =
10
1.0
相对发光强度 - 波长
IF
=
20毫安
Ta
=
25°C
相对发光强度I
V
相对发光强度
20
20
5
3
0.8
0.6
1
0.5
0.3
0.4
0.2
0.1
0
40
60
80
0
520
540
560
580
600
620
640
外壳温度
Tc
(°C)
波长
λ
（纳米）
辐射方向图
I
F
- TA
容许正向电流I
F
（MA ）
60
40
60°
70°
80°
90
°
1.0
20
0
0
Ta
=
25°C
80
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
10°
0°
10°
20°
30°
40°
50°
0
0.2
0.4
0.6
0.8
20
40
60
80
100
120
环境温度
Ta
(°C)
3
2005-09-12
TLPGE19TP(F),TLFGE19TP(F),TLGE19TP(F),TLPYE19TP(F)
TLFGE19TP(F)
I
F
– V
F
100
Ta
=
25°C
50
30
5000
Ta
=
25°C
I
V
– I
F
I
F
（MA ）
（ MCD ）
发光强度I
V
1.7
2.0
2.1
1000
正向电流
10
5
3
100
1
1.6
1.8
1.9
2.2
2.3
10
1
3
5
10
30
50
100
正向电压V
F
(V)
正向电流
I
F
（MA ）
I
V
TC =
10
1.0
相对发光强度 - 波长
IF
=
20毫安
Ta
=
25°C
相对发光强度I
V
相对发光强度
20
5
3
0.8
0.6
1
0.4
0.5
0.3
0.2
0.1
0
20
40
60
80
0
520
540
560
580
600
620
640
外壳温度
Tc
(°C)
波长
λ
（纳米）
辐射方向图
I
F
- TA
容许正向电流I
F
（MA ）
60
40
60°
70°
80°
90
°
1.0
20
0
0
Ta
=
25°C
80
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
10°
0°
10°
20°
30°
40°
50°
0
0.2
0.4
0.6
0.8
20
40
60
80
100
120
环境温度
Ta
(°C)
4
2005-09-12
TLPGE19TP(F),TLFGE19TP(F),TLGE19TP(F),TLPYE19TP(F)
TLGE19TP(F)
I
F
– V
F
100
Ta
=
25°C
50
30
5000
Ta
=
25°C
I
V
– I
F
I
F
（MA ）
（ MCD ）
发光强度I
V
1000
正向电流
10
5
3
100
1
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
10
1
3
5
10
30
50
100
正向电压V
F
(V)
正向电流
I
F
（MA ）
I
V
TC =
10
1.0
相对发光强度 - 波长
IF
=
20毫安
Ta
=
25°C
相对发光强度I
V
相对发光强度
20
0
20
40
60
80
5
3
0.8
0.6
1
0.5
0.3
0.4
0.2
0.1
0
520
540
560
580
600
620
640
外壳温度
Tc
(°C)
波长
λ
（纳米）
辐射方向图
I
F
- TA
容许正向电流I
F
（MA ）
60°
70°
80°
90
°
1.0
Ta
=
25°C
80
60
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
10°
0°
10°
20°
30°
40°
50°
40
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
0
20
40
60
80
100
120
环境温度
Ta
(°C)
5
2005-09-12
