SSG9960
7.8A ， 40V ，R
DS （ ON）
20m
Ω
公司Bauelemente
N沟道增强模式电源Mos.FET
符合RoHS产品
SOP-8
描述
0.40
0.90
0.19
0.25
该SSG9960提供设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和成本效益。
45
6.20
5.80
0.25
o
0.375 REF
3.80
4.00
0.35
0.49
1.27Typ.
4.80
5.00
0.100.25
特点
*低导通电阻
*开关速度快
D1
8
D1
7
D2
6
D2
5
0
o
8
o
1.35
1.75
单位：毫米
D1
D2
日期代码
9960SS
G1
1
S1
2
G1
3
S2
4
G2
G2
S1
S2
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
TJ ， TSTG
3
3
符号
V
DS
V
GS
o
I
D
@T
A
=25
C
评级
40
±20
7.8
6.2
20
2
0.016
-55~+150
单位
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
o
I
D
@T
A
=70
o
C
I
DM
P
D
@T
A
=25
o
C
C
热数据
参数
热阻结到环境
3
符号
Rthj -A
评级
62.5
o
单位
C / W
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7.8A ， 40V ，R
DS （ ON）
20m
Ω
N沟道增强模式电源Mos.FET
电气特性（ TJ = 25℃除非另有说明）
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25
C
)
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 70
o
C
)
静态漏源导通电阻
2
2
o
o
符号
BV
DSS
BV
DS
/ TJ
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
分钟。
40
_
典型值。
_
马克斯。
_
_
单位
V
V / C
V
nA
uA
uA
o
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参考至25℃ ，我
D
=1mA
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250uA
V
GS
=
±
20V
V
DS
=40V,V
GS
=0
V
DS
=32V,V
GS
=0
V
GS
= 10V ，我
D
=7A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
o
0.032
_
_
_
_
_
_
1.0
_
_
_
_
3.0
±
100
1
25
20
32
_
_
_
R
DS （ ON）
Qg
QGS
QGD
Td
（上）
Tr
Td
（关闭）
Tf
西塞
科斯
CRSS
政府飞行服务队
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
m
Ω
总栅极电荷
14.7
7.1
6.8
11.5
6.3
28.2
12.6
1725
235
145
25
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
正向跨导
2
nC
I
D
=7A
V
DS
=20V
V
GS
=4.5V
_
_
_
_
V
DS
=20V
I
D
=1A
nS
V
GS
=10V
R
G
=3.3
Ω
R
D
=20
Ω
_
_
_
pF
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
_
_
S
V
DS
= 10V ，我
D
=7A
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
符号
V
SD
Is
I
SM
分钟。
_
_
典型值。
_
_
马克斯。
1.3
2.3
单位
V
测试条件
I
S
= 2.3A ，V
GS
=0V.
V
D
=V
G
=0V, V
S
=1.3V
G
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
A
_
_
20
A
注： 1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度
≦
300US ，占空比
≦
2%.
3.表面安装在1英寸
2
FR4电路板的铜垫;吨
≦
10sec.
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特性曲线
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
图5.最大漏极电流
V.S.外壳温度
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图6.输入功率耗散
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图7.最大安全工作区
图8.有效的瞬态热阻抗
图9.栅极电荷特性
图10.典型的电容特性
图11.正向特性
反向二极管
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图12.栅极阈值电压V.S.
结温
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图13.开关时间电路
图14.开关时间波形
图15.栅极电荷电路
图16.栅极电荷波形
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