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BSV52
SO2369/SO2369A
小信号NPN晶体管
TYPE
BSV52
SO2369
SO 2369A
s
记号
B2
N11
N81
s
s
硅外延平面NPN
晶体管
微型塑料包装
应用表面贴装
电路
低电流，快速开关
应用程序。
2
3
1
SOT-23
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
P
吨OT
T
英镑
T
j
参数
SO2369/A
集电极 - 发射极电压（V
BE
= 0)
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流峰值
总功耗在T
c
= 25 C
储存温度
马克斯。操作摄像结温
o
价值
BSV52
20
20
12
5
0.2
200
-65到150
150
40
40
15
4.5
UNI吨
V
V
V
V
A
mW
o
o
C
C
1996年3月
1/5
BSV52/SO2369/SO2369A
热数据
R
吨HJ- AMB
R
日J- SR
热阻结到环境
热阻结底
最大
最大
620
400
o
o
C / W
C / W
安装在陶瓷基板面积= 7 ×5× 0.5毫米
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
SYMB OL
I
CBO
参数
集电极截止
电流（I
E
= 0)
测试电导率银行足球比赛s
V
CB
= 20 V
为
SO2369 / SO 2369A
V
CB
= 10 V
为
BSV52
o
T
j
= 150 C
V
CB
= 10 V
为
BSV52
V
CB
= 20 V
为
SO2369A
I
C
= 10
A
为
SO2369 / SO 2369A
为
BSV52
I
C
= 10毫安
为
SO2369 / SO 2369A
为
BSV52
I
C
= 10
A
为
SO2369 / SO 2369A
为
BSV52
I
E
= 10
A
为
SO2369 / SO 2369A
为
BSV52
I
C
= 10毫安
I
B
- 0.3毫安
为
BSV52
I
B
= 1毫安
I
C
= 10毫安
为
SO2369A
为
BSV52
I
B
= 3毫安
I
C
= 30毫安
为
SO2369 BSV52
I
B
= 5毫安
I
C
= 50毫安
为
BSV52
I
C
= 100毫安我
B
= 10毫安
为
SO2369A
I
C
= 10毫安
I
B
I
B
I
C
= 30毫安
为
SO2369A
I
B
I
C
= 50毫安
为
BSV52
I
C
= 100毫安我
B
为
SO2369A
I
C
I
C
I
C
I
C
I
C
I
C
I
C
= 1毫安
= 3毫安
= 5毫安
1.2
= 10毫安
1.6
为
BSV52
为
SO2369A
为
所有典型值ES
为
SO2369A
为
BSV52
为
SO2369A
为
SO2369
25
40
40
30
25
20
20
120
120
V
V
0.7
40
20
15
12
40
20
4.5
5
0.3
0.2
0.25
0.25
0.4
0.5
0.85
1.15
分钟。
典型值。
马克斯。
400
100
5
400
取消它
nA
nA
A
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
I
CES
集电极截止
电流（V
BE
= 0)
V
（ BR ） CES
集电极 - 发射极
击穿电压
(I
B
= 0)
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
(I
B
= 0)
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基
击穿电压
(I
B
= 0)
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基
击穿电压
(I
C
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
V
CE （SAT）
V
BE （S AT）
集电极 - 基
饱和电压
h
FE
直流电流摹泉
= 1毫安V
CE
=1V
= 10毫安V
CE
=0.35V
= 10毫安V
CE
=1V
= 30毫安V
CE
=0.4V
= 50毫安V
CE
=1V
= 100毫安V
CE
=1V
= 100毫安V
CE
=2V
脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2 %
2/5
BSV52/SO2369/SO2369A
电气特性
（续）
SYMB OL
f
T
参数
过渡F Characteristic低频
测试电导率银行足球比赛s
I
C
= 10毫安V
CE
= 10V F = 100MHz的
为
SO2369A
为
BSV52 / SO 2369
I
E
= 0
V
CE
= 5 V
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
分钟。
500
400
4
4.5
12
13
18
典型值。
马克斯。
取消它
兆赫
兆赫
pF
pF
ns
ns
ns
C
CB
C
EB
t
on
t
s
t
的F
集电极和基
电容
发射基地
电容
打开在T IME
贮存时间
转关T IME
I
C
= 0
V
EB
= 1 V
为
BSV52
I
C
= 10毫安
I
B
= 3毫安
I
C
= 10毫安
V
BE
= -0.5 V
I
B1
= -I
B2
= 10毫安
I
C
= 10毫安
I
B1
= 3毫安
I
B2
= -1.5毫安
脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2 %
3/5
BSV52/SO2369/SO2369A
SOT- 23机械数据
mm
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
H
L
M
N
O
0.85
0.65
1.20
2.80
0.95
1.9
2.1
0.38
0.3
0
0.3
0.09
典型值。
马克斯。
1.1
0.95
1.4
3
1.05
2.05
2.5
0.48
0.6
0.1
0.65
0.17
分钟。
33.4
25.6
47.2
110.2
37.4
74.8
82.6
14.9
11.8
0
11.8
3.5
密尔
典型值。
马克斯。
43.3
37.4
55.1
118
41.3
80.7
98.4
18.8
23.6
3.9
25.6
6.7
DIM 。
0044616/B
4/5
BSV52/SO2369/SO2369A
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对此类信息的使用，也不对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利的后果。没有
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本出版物中如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
s
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SGS - THOMSON Microelectonics的书面批准。
1995 SGS - THOMSON微电子 - 印刷意大利 - 版权所有
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.
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