SENSITRON
半导体
技术参数
数据表337 ， REV -
SHD239602
密封功率MOSFET
N沟道
产品特点：
100伏， 0.020欧姆MOSFET
隔离和密封式
表面贴装封装
最大额定值
等级
栅极至源极电压
连续漏电流
所有评级ARE AT＆T
A
= 25℃ ，除非另有规定。
符号
V
GS
I
D
I
DM
T
OP
/T
英镑
R
JC
P
D
V
GS
= 10V ，T
C
= 25C
V
GS
= 10V ，T
C
= 100C
漏电流脉冲
@ T
C
= 25C
工作和存储温度
TERMAL抗结到管壳
器件总功耗@ T
C
= 25C
分钟。
-
-
-
-55
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
20
75
60
300
+150
0.30
300
单位
伏
安培
安培
C
° C / W
瓦
电气特性
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 250毫安
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= 37.5A
栅极阈值电压
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
正向跨导
V
DS
10V ，我
D
= 75A
零栅压漏极电流，T
J
= 25C
(V
DS
= 0.8xMax 。评级，V
GS
= 0V ），T
J
= 125C
门源漏FORWARD
V
GS
= 20V
门源漏反向
V
GS
= -20V
总栅极电荷
V
GS
= 10 V,
门源费
V
DS
= 50V,
栅漏电荷
I
D
=37.5A
打开延迟时间
V
DD
= 250V,
上升时间
I
D
= 3.7A,
关闭延迟时间
R
G
= 2.0W,
下降时间
V
GS
= 15V
二极管的正向电压
T
J
= 25 ° C，I
F
=, I
S
V
GS
= 0V
反向恢复时间
T
J
= 25C,
I
S
= 10A,
的di / dt
= 100A /毫秒，
反向恢复电荷
输入电容
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V,
输出电容
f=1MHz
反向传输电容
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Q
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
100
-
2.0
25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
180
36
85
20
40
50
20
-
-
-
0.02
4.0
-
250
1000
100
-100
260
70
160
30
40
75
40
1.3
200
1.4
-
伏
W
伏
S(1/W)
mA
nA
nC
纳秒
伏
纳秒
mC
pF
-
-
-
4500
1600
800
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798
万维网 - http://www.sensitron.com电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SHD239602
SENSITRON
数据表337
修订 -
机械尺寸：单位：英寸/毫米
.150±.007
(3.81±.178)
.090±.003
(2.286±.0762)
.040±.002
(1.016±.0508)
.020±.002
(.508±.0508)
.785±.005
(19.94±.127)
2
.594±.009
(15.09±.229)
.257±.003
(6.53±.076)
2
地方
1
3
.080±.003
(2.032±.076)
.487±.003
(12.37±.076)
.200±.003
(5.08±.076)
2
SHD-6
接脚分布表
设备类型
MOSFET
SHD- 6封装
销1
漏
销2
来源
3脚
门
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798
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SENSITRON
半导体
技术参数
免责声明：
1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知，以提高产品
的特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售部门最新的版本
的数据表（S ） 。
2 - 在需要极高可靠性的情况下（如核电控制，航空航天，交通设备的使用，
医疗设备和安全设备），安全应该通过使用配有确保安全或由半导体器件来确保
手段，用户的故障安全防范措施或其他安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或在任何其他原因的责任
该用户的单元，根据所述数据表（多个）操作。 Sensitron半导体公司不承担任何智力不承担任何责任
物业索赔或任何其他问题可能导致的信息，产品或在数据表中所述的电路应用。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体器件中的任何故障或造成的任何二次伤害承担责任
在使用值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，未经明确的书面许可，
Sensitron半导体。
7-产品（技术）中的数据表（S ）描述不提供给任何一方，其目的在他们的应用程序将
妨碍维护国际和平与安全，也不是由他们的直接购买者或任何第三方适用于该目的
派对。在出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合有关法律，
的规定。
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681
（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798
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TYPE
数
来源
击穿
电压
V（ BR ） DSS
伏
漏
当前
ID
安培
25°C
100°C
动力
耗散
PD
瓦
25°C
漏
SOURCE ON
阻力
RDS （ ON）
欧
安培
热
阻力
R
θJC
° C / W
部件类型
PKG 。
风格
SHD2189
SHD21810
-100
-200
-18
-11
-11
-7
125
125
.20
.50
-11
-7
1.0
1.0
IRF9140
IRF9240
SHD-5
SHD2189A
SHD21810A
-100
-200
-18
-11
-11
-7
125
125
.20
.50
-11
-7
1.0
1.0
IRF9140
IRF9240
SHD-5A
SHD2189B
-100
-18
-11
125
125
.20
.50
-11
-7
1.0
1.0
IRF9140
IRF9240
SHD-5B
SHD21810B
-200
-11
-7
注意事项：
- 所有的评级是在Tc = 25 ℃，除非另有规定。
- 最大工作和存储温度-55°C至+ 150°C 。
引脚配置
设备类型
MOSFET - SHD- 5 ， SHD- 5A ， SHD -5B ，
LCC -3P ， SHD- 6
注：陶瓷密封件及GlidCop导致可用。
销1
漏
销2
来源
3脚
门
