固态器件， INC 。
14701凡世通大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SFT5671和SFT5672
SFT5672E
1/
设计师的数据表
零件编号/订购信息
SFT5671 __ __ __
SFT5672 __ __ __
SFT5672E __ __ __
│ │ └
筛选__
=无筛选
│ │
TX = TX水平
│ │
TXV = TXV水平
│ │
S =个级别。
3/ 4/
│ └
引脚弯曲
__
=直导线
│
UB =向上弯曲
│
DB =向下弯曲
3/
└
包
/ 3 = TO-3
M = TO- 254
S1 = SMD 1
最大额定值
集电极 - 发射极电压
SFT5671
SFT5672
SFT5672E
SFT5671
SFT5672
SFT5672E
SFT5671 ， SFT5672
SFT5672E
TO-3 （T
C
≤
25C)
TO- 254 （T
C
≤
25C)
SMD 1 （T
C
≤
25C)
TO-3
TO-254
SMD 1
30 - 50安培
90 - 130伏
高功率
NPN晶体管
产品特点：
与BV高频三极管
首席执行官
130伏
增强的SOA能力和快速切换
高功耗140瓦
200
o
C的工作温度
每TX ， TXV ，S级筛选MIL -PRF- 19500
可用;咨询厂家
增强的性能版本： SFT5672E
符号
V
首席执行官
价值
90
120
130
120
150
250
7
30
50
10
140
116
175
-65到+200
1.25
1.5
1.0
单位
伏
集电极 - 基极电压
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
J
＆放大器;牛逼
英镑
R
0JC
伏
伏
安培
安培
瓦
C
摄氏度/ W
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
工作&储存温度
最大热阻
（结点到外壳）
的TO- 3（ / 3）
的TO- 254 （M）的
贴片1（S1）
注意事项：
1 /有关订购信息，价格和可用性，请联系工厂。
3 /对于包装纲要工厂联系。
4 /向上和向下弯曲配置可用于“M” （ TO- 254 ）封装只。
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： TR0076C
DOC
固态器件， INC 。
14701凡世通大道*拉米拉达，钙90638
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SFT5671和SFT5672
SFT5672E
除非另有规定，T
A
= 25C
*脉冲测试; PW = 300我们，占空比=
2%
(I
C
= 200 mA）的SFT5671
SFT5672
SFT5672E
(I
C
= 200毫安，R
BE
= 50
)
SFT5671
SFT5672
SFT5672E
符号
民
90
120
130
110
140
250
120
150
350
7
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
20
20
10
10
10
––
––
––
––
––
––
最大
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
10
0.1
25
25
0.1
10
0.1
12
10
0.1
15
10
100
––
––
––
40
0.75
5.0
0.77
5.25
1.5
900
单位
电气特性
集电极 - 发射极阻断电压*
BV
首席执行官
伏
BV
CER
集电极 - 发射极阻断电压*
(I
C
= 200毫安， V
BE
= -1.5 V） SFT5671
SFT5672
SFT5672E
(I
E
= 100 A)
(V
CE
= 80 V） SFT5671 ， SFT5672
SFT5672E
(V
CB
= 120 V ） SFT5671
(V
CB
= 150V） SFT5672
(V
CB
= 150V） SFT5672E
(V
EB
= 7 V ） SFT5671 ， SFT5672
SFT5672E
(V
CE
= 110 V, V
BE
= 1.5 V） SFT5671
(V
CE
= 135 V, V
BE
= 1.5 V） SFT5672
(V
CE
= 135 V, V
BE
= 1.5 V） SFT5672E
(V
CE
= 100 V, V
BE
= 1.5 V） SFT5671
(V
CE
= 100 V, V
BE
= 1.5 V） SFT5672
(I
C
= 15 A，V
CE
= 2 V)
(I
C
= 20 A，V
CE
= 5 V)
(I
C
= 50 A，V
CE
= 5 V ） SFT5672E
(I
C
= 15 A，V
CE
= 2 V ，T
A
= -65C)
(I
C
= 2 A，V
CE
= 10 V ， F = 5兆赫）
TO-3 ，贴片1 （我
C
= 15 A，I
B
= 1.2 A)
(I
C
= 30 A，I
B
= 6.0 A)
TO- 254 （I
C
= 15 A，I
B
= 1.2 A)
(I
C
= 30 A，I
B
= 6.0 A)
BV
CEX
BV
EBO
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
伏
伏
mA
mA
mA
发射极 - 基阻断电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
T
A
= 25C
T
A
= 25C
T
A
= 25C
T
A
= 150C
T
A
= 150C
直流电流增益*
I
CEX
mA
h
FE
小信号共发射极
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
*
h
fe
V
CE （SAT）
伏
基射极饱和电压*
输出电容
(I
C
= 15 A，I
B
= 1.2 A)
V
CB
= 10 V，I
E
= 0 ， F = 1.0MHz的
V
CE
= 4.67 V，I
C
= 30 A ，T = 1秒
V
CE
= 24 V，I
C
= 5.0 ，T = 1秒
V
CE
= 45 V，I
C
= 0.9 ，T = 1秒
V
CE
= 90 V，I
C
= 0.19 ，T = 1秒， SFT5671 ， SFT5672
V
CE
= 120 V，I
C
= 0.11 ，T = 1秒， SFT5672E
V
BE （SAT）
C
ob
SOA1
SOA2
SOA3
SOA4
SOA4
t
（上）
t
（关闭）
伏
pF
安全工作区
开启时间
打开-O FF时间
可用型号：
(V
CC
= 30 V，I
C
= 15.0 A
,
I
B1
= I
B2
= 1.2 A)
––
––
500
1.5
ns
s
BASE
3脚
3脚
3脚
SFT5671 / 3 SFT5671M SFT5671MUB SFT5671MDB SFT5671S1
SFT5672 / 3 SFT5672M SFT5672MUB SFT5672MDB SFT5672S1
SFT5672E / 3 SFT5672EM SFT5672EMUB SFT5672EMDB SFT5672ES1
包
的TO- 3（ / 3）
的TO- 254 （M）的
贴片1（S1）
引脚配置（标准）
集热器
辐射源
例
销2
销1
销2
销1
销2
