DICE / DWF规格
RH1056
精密，高速， JFET
输入运算放大器器
1
7
DIE交叉参考
（注1及2 ）
LTC成品
产品型号
6
2
为了DICE候选
下面型号
RH1056 DICE
RH1056 DWF *
RH1056A
RH1056A
请参考LTC标准的产品数据表
其他适用的产品信息。
* DWF = DICE以晶圆形式。
垫功能
3
4
5
59mils
×
78mils,
Backlap ： 12mils
背侧（基板）是一种合金化的金层。
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
平衡
“在
+在
V
–
平衡
OUT
V
+
， LT ， LTC和LTM是凌力尔特公司的注册商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
DICE电气测试极限
（注3）
符号
V
OS
I
OS
I
B
A
VOL
参数
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
大信号电压增益
条件
（注3）
（注4 ）
（注4 ）
V
O
= ± 10V ，R
L
= 2k
120
民
最大
0.5
50
200
单位
mV
pA
pA
V / MV
提供的信息由凌力尔特公司被认为是准确和可靠。
但是，没有责任承担供其使用。凌力尔特公司是没有代表性
化，其如本文所描述的电路的互连不会对现有的专利权侵犯。
1
DICE / DWF规格
RH1056
DICE电气测试极限
（注3）
符号
V
OUT
CMRR
PSRR
SR
I
S
参数
输出电压摆幅
共模抑制比
电源抑制比
压摆率
电源电流
条件
R
L
= 2K ，V
S
= ±15V
V
CM
= ±11V, V
S
= ±15V
VS = ± 10V到± 18V
（注5 ）
民
±12
86
88
10
6
最大
单位
V
dB
dB
V / μs的
mA
注1 ：
骰子被探针测试在25℃下，以如图所示的范围。最终规格，
装配后不能在由于产生损耗模水平保证
装配的变化。对于绝对最大ratrings ，典型的特定连接的阳离子，
性能曲线和音响nished产品规范阳离子，请参考
标准的产品数据表。
注2 ：
为骰子测试，以严格的限制除上述和/或，大量上市
基于大量样品的组装和测试对外贸易资质科幻阳离子，请联系LTC
市场营销。
注3 ：
V
S
= ± 15V ，T
A
= 25 ° C，V
CM
= 0
V
中，除非另有说明。
注4 ：
这不是实际的I重新挠度
OS
我
B
。典型值是的5Pa
和20PA分别在网络最终测试。 JFET的晶圆排序畏光
需要一个宽松的限制。
注5 ：
经测试为“5”的增益。
抗辐射模需要进行特殊处理较标准的IC芯片。
抗辐射死很容易受到表面损坏，因为没有硅
氮化物钝化的标准模具。氮化硅保护芯片表面
从划痕其硬而致密的特性。在抗辐射的钝化
模是二氧化硅是多少“软”比氮化硅。
LTC建议模具处理被格外照顾，让执行
作为保护管芯表面被刮伤。如有需要移动至
从芯片托盘模具周围，使用特FL对嘴真空吸笔。
这个棒可以通过在管推着小直径テ佛罗里达州上作出
尖钢尖的棒。在特FL对尖端内径应匹配
芯片尺寸为外汇基金fi cient皮卡。该特的尖端FL上应切割平整
而在佛罗里达州，以保证良好的真空死面。确保尖端遗骸特FL
通过在体视镜检查的杂物清理干净。
在芯片粘接，必须小心，以确保没有镊子触碰
模具的顶部。
晶圆级测试是按照指定的特定连接的阳离子进行了骰子。通常可以对骰子与观察到的性能差异相当大
包装单元，由于在封装和组装在某些设备上和/或参数佛罗里达州uences 。请咨询厂家获得更多信息
在通过大量的抽样检验程序骰子的性能和大量的对外贸易资质科幻阳离子。
骰子的数据表可能会改变。请咨询工厂当前版本的制作。
I.D.No. 66-13-1056
2
凌力尔特公司
1630麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-7417
(408) 432-1900
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传真：
(408) 434-0507
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凌力尔特公司2006年
