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QS5K2
晶体管
2.5V驱动N沟道+ N沟道MOSFET
QS5K2
结构
硅N沟道MOSFET
尺寸
(单位:毫米)
TSMT5
1.0MAX
2.9
1.9
0.95 0.95
(5)
(4)
0.85
0.7
特点
1)低导通电阻。
3 )节省空间,小型表面贴装封装( TSMT5 ) 。
(1)
1.6
2.8
0~0.1
(2)
(3)
0.4
0.16
应用
开关
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号: K02
包装规格
TYPE
QS5K2
CODE
基本订购单位(件)
TAPING
TR
3000
内部电路
(5)
2
2
(4)
1
(1)
(2)
1
(3)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
(1) Tr1的栅极
(2) Tr1的源
TR2来源
(3) Tr2的栅
( 4 ) Tr2的漏
( 5 ) Tr1的漏
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
<It对于Tr1和Tr2>相同评级
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
(体二极管)
总功耗
通道温度
储存温度范围
1
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
2
安装在陶瓷基板
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
I
S
I
SP
1
P
D
总胆固醇
TSTG
2
范围
30
12
±2.0
±8.0
0.8
3.2
1.25
0.9
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
W / TOTAL
W /元
°C
°C
热阻
参数
渠道环境
安装在陶瓷基板
符号
RTH ( CH -A )
范围
100
139
单位
° C / W
° C / W
Rev.A的
0.3~0.6
1/3
QS5K2
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
<It是为Tr1和Tr2>相同特性
参数
符号最小值。典型值。
I
GSS
栅源漏
漏源击穿电压
V
( BR ) DSS
30
零栅极电压漏极电流
I
DSS
0.5
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
71
静态漏源导通状态
76
R
DS ( ON)
阻力
110
1.5
Y
fs
正向转移导纳
175
输入电容
C
国际空间站
输出电容
50
C
OSS
反向传输电容
25
C
RSS
导通延迟时间
8
t
D(上)
上升时间
10
t
r
打开-O FF延迟时间
21
t
D(关闭)
下降时间
8
t
f
总栅极电荷
2.8
Q
g
栅极 - 源
收费
0.6
Q
gs
栅极 - 漏极
收费
0.8
Q
gd
*脉冲
马克斯。
10
1
1.5
100
107
154
3.9
单位
A
V
A
V
m
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=12V, V
DS
=0V
I
D
= 1mA时, V
GS
=0V
V
DS
= 30V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ,我
D
= 1毫安
I
D
= 2A ,V
GS
= 4.5V
I
D
= 2A ,V
GS
= 4.0V
I
D
= 2A ,V
GS
= 2.5V
V
DS
= 10V ,我
D
= 2A
V
DS
= 10V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
DD
15V
I
D
= 1A
V
GS
= 4.5V
R
L
= 15
R
G
=10
V
DD
15V
V
GS
= 4.5V
I
D
= 2A
体二极管的特性
(源极 - 漏极) ( TA = 25 ° C)
<It是为Tr1和Tr2>相同特性
参数
符号最小值。典型值。
正向电压
脉冲
马克斯。
1.2
V
SD
单位
V
条件
I
S
= 3.2A ,V
GS
=0V
Rev.A的
2/3
QS5K2
晶体管
电气特性曲线
1000
tf
栅源电压: V
GS
(V)
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
1000
切换时间: T( NS )
电容:C (PF )
Ta=25°C
V
DD
=15V
V
GS
=4.5V
R
G
=10
脉冲
6
Ta=25°C
V
DD
=15V
5
I
D
=2A
R
G
=10
脉冲
100
TD (关闭)
4
西塞
100
3
10
TD (上)
tr
2
科斯
1
0
CRSS
10
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
0
1
2
3
漏源电压: V
DS
(V)
漏电流:我
D
(A)
总栅极电荷:的Qg ( NC )
图1典型电容
与漏源电压
图2开关特性
图3动态输入特性
10
300
静态漏源
通态电阻,R
DS
(m)
V
DS
=10V
脉冲
Ta=25°C
脉冲
10
V
GS
=0V
脉冲
Ta=125°C
75°C
1
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
I
D
=2A
200
源电流:我
S
(A)
漏电流:我
D
(A)
1
25°C
25°C
0.1
I
D
=1A
100
0.1
0.01
0.001
0.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
栅源电压: V
GS
(V)
栅源电压: V
GS
(V)
源极 - 漏极电压: V
SD
(V)
图4典型的传输特性
图5静态漏源
通态电阻VS.
门源电压
图6源电流和
源 - 漏电压
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
(m)
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
(m)
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
(m)
1000
V
GS
=4.5V
脉冲
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
1000
V
GS
=4.0V
脉冲
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
1000
V
GS
=2.5V
脉冲
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
100
100
100
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
漏电流:我
D
(A)
漏电流:我
D
(A)
漏电流:我
D
(A)
图7静态漏源
导通状态电阻
与漏电流(
Ι
)
图8静态漏源
导通状态电阻
与漏电流(
ΙΙ
)
图9静态漏源
导通状态电阻
与漏电流(
ΙΙΙ
)
Rev.A的
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
QS5K2
晶体管
2.5V驱动N沟道+ N沟道MOS FET
QS5K2
结构
硅N沟道MOS FET
外形尺寸
(单位:毫米)
TSMT5
1.0MAX
2.9
1.9
0.95 0.95
(5)
(4)
0.85
0.7
特点
1)低导通电阻。
3 )节省空间,小型表面贴装封装( TSMT5 ) 。
(1)
1.6
2.8
0~0.1
(2)
(3)
0.4
0.16
应用
开关
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号: K02
包装规格
TYPE
QS5K2
CODE
基本订购单位(件)
TAPING
TR
3000
内部电路
(5)
(4)
2
2
1
(1)
(2)
1
(3)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
(1) Tr1的栅极
(2) Tr1的源
TR2来源
(3) Tr2的栅
( 4 ) Tr2的漏
( 5 ) Tr1的漏
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
<It对于Tr1和Tr2>相同评级
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
(体二极管)
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
I
S
I
SP
1
P
D
总胆固醇
TSTG
2
总功耗
通道温度
储存温度范围
1
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
2
安装在陶瓷基板
范围
30
12
±2.0
±8.0
0.8
3.2
1.25
0.9
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
W / TOTAL
W /元
°C
°C
热阻
参数
渠道环境
安装在陶瓷基板
符号
RTH ( CH -A )
范围
100
139
单位
° C / W
° C / W
0.3~0.6
1/2
QS5K2
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
<It是为Tr1和Tr2>相同特性
参数
符号最小值。典型值。
栅源漏
I
GSS
漏源击穿电压
V
( BR ) DSS
30
零栅极电压漏极电流
I
DSS
0.5
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
71
静态漏源导通状态
76
R
DS ( ON)
阻力
110
正向转移导纳
1.5
Y
fs
175
输入电容
C
国际空间站
输出电容
50
C
OSS
反向传输电容
25
C
RSS
导通延迟时间
8
t
D(上)
上升时间
10
t
r
打开-O FF延迟时间
21
t
D(关闭)
下降时间
8
t
f
总栅极电荷
2.8
Q
g
栅极 - 源
收费
0.6
Q
gs
栅极 - 漏极
收费
0.8
Q
gd
*脉冲
马克斯。
10
1
1.5
100
107
154
3.9
单位
A
V
A
V
m
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=12V, V
DS
=0V
I
D
= 1mA时, V
GS
=0V
V
DS
= 30V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ,我
D
= 1毫安
I
D
= 2A ,V
GS
= 4.5V
I
D
= 2A ,V
GS
= 4.0V
I
D
= 2A ,V
GS
= 2.5V
V
DS
= 10V ,我
D
= 2A
V
DS
= 10V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
DD
15V
I
D
= 1A
V
GS
= 4.5V
R
L
= 15
R
G
=10
V
DD
15V
V
GS
= 4.5V
I
D
= 2A
体二极管的特性
(源极 - 漏极) ( TA = 25 ° C)
<It是为Tr1和Tr2>相同特性
参数
符号最小值。典型值。
正向电压
脉冲
马克斯。
1.2
V
SD
单位
V
条件
I
S
= 3.2A ,V
GS
=0V
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息
    电话:755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    QS5K2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    QS5K2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    QS5K2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息
电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
QS5K2
ROHM
2019
79600
SOT153
原装正品 钻石品质 假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

电话:83209217
联系人:李先生
地址:深圳市福田区振华西路华康大厦二栋603室/柜台地址:华强广场Q2C022/工厂地址:宝安华丰工业区A栋7楼
QS5K2
ROHM
23+
18000
强调进口原装假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息
电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
QS5K2
ROHM/罗姆
150000
全新原装15818663367
QQ: 点击这里给我发消息

电话:0755-23996734
联系人:李先生
地址:深圳市福田区华航社区中航路4号都会100大厦A座11C
QS5K2
ROHM
20+
150000
原装现货假一赔十★品惠特价热卖
QQ: 点击这里给我发消息

电话:0755-82540706
联系人:欧迪
地址:广东深圳福田区华强北华匀大厦2栋518
QS5K2
ROHM/罗姆
20+
120000
SOT-25
进口原装现货样品提前交代QQ1399968898
QQ: 点击这里给我发消息

电话:0755-83253648
联系人:欧阳先生
地址:福田区华强北街道上步工业区405栋7楼
QS5K2
ROHM/罗姆
22+
8240
SOT-25
仅售原装正品/假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息
电话:0755-83777607/83777708/82799993
联系人:销售部1部
地址:美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
QS5K2
ROHM
2322+
12500
SOT153
绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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电话:18927479189
联系人:李
地址:福田区振兴西路109号华康大厦2栋6楼
QS5K2
ROHM
22+
6483
SOT153
【原装正品现货供应技术支持】
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电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2(本公司为一般纳税人,可开增票)
QS5K2
rohm
23+
4500
SOT153
全新原装现货特价销售!
QQ: 点击这里给我发消息

电话:0755-83291010 83678410
联系人:赵小姐
地址:深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
QS5K2
ROHM/罗姆
22+
33000
百分百进口正品原装现货 支持实单!
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