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> Q6800-A6477
NPN硅晶体管自动对焦
q
高直流电流增益
q
低集电极 - 发射极饱和电压
SMBTA 20
TYPE
SMBTA 20
记号
s1C
订购代码
（磁带和卷轴）
Q6800-A6477
引脚配置
1
2
3
B
E
C
包
1)
SOT-23
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗，
T
S
= 71 C
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
2)
结 - 焊接点
R
日JA
R
日JS
≤
310
≤
240
符号
V
CE0
V
EB0
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
值
40
4
100
200
200
330
150
– 65 … + 150
单位
V
mA
mW
C
K / W
1)
2)
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐
×
40 mm
×
1.5毫米/ 6厘米
2
铜。
半导体集团
1
5.91
SMBTA 20
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 100
A
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 V,
T
A
= 150 C
发射基截止电流
V
EB
= 4 V
直流电流增益
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 10 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
= 1毫安
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
输出电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
f
T
C
敖包
125
–
–
–
–
4
兆赫
pF
V
(BR)CE0
V
(BR)EB0
I
CB0
–
–
I
EB0
h
FE
V
CESAT
–
40
–
–
–
–
–
–
100
20
20
400
0.25
nA
A
nA
–
V
40
4
–
–
–
–
V
值
典型值。
马克斯。
单位
1)
脉冲测试条件：
t
≤
300
s,
D
= 2 %.
半导体集团
2
SMBTA 20
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;
T
S
)
*包装安装在环氧
集电极 - 基极电容
C
CB0
=
f
(V
CB0
)
发射极 - 基极电容
C
EB0
=
f
(V
EB0
)
f
= 1兆赫
允许的脉冲负载
P
TOT最大
/P
TOT DC
=
f
(t
p
)
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
半导体集团
3
SMBTA 20
基射极饱和电压
I
C
=
f
(V
BE坐
),
h
FE
= 20
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
f
(V
CE坐
),
h
FE
= 20
收藏家Cuto FF电流
I
CB0
=
f
(T
A
)
V
CB
= 30 V
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 1 V
半导体集团
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Q6800-A6477
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Q0256I-1N
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QS74FCT3245ATQ
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厂家
批号
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电话：0755-83209937
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