SPB80N06S-08
SPI80N06S -08 ， SPP80N06S -08
SIPMOS
功率晶体管
特点
N沟道 - 增强型
汽车AEC Q101标准
MSL1高达260 ℃的峰值回流焊
175 ° C工作温度
雪崩测试
宋衍涛雪崩达
T
JMAX
= 175 °C
dv / dt的额定
TYPE
SPB80N06S-08
SPI80N06S-08
SPP80N06S-08
包
P-TO263-3-2
P-TO262-3-1
P-TO220-3-1
订购代码
P-TO263-3-2
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
（ SMD版）
I
D
55
7.7
80
V
m
A
P-TO262-3-1
P-TO220-3-1
V
DD
= 30 V，I
D
= 80 A，V
GS
= 10 V ，R
G
=2.4
记号
Q67060-S6185
1N0608
T
C
=25 °C,
V
GS
=10 V
Q67060-S6187
1N0608
T
C
=100 °C,
V
GS
=10 V
Q67060-S6186
1N0608
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
1)
符号条件
I
D
T
C
=25 °C,
V
GS
=10 V
价值
单位
A
80
T
C
=100 °C,
V
GS
=10 V
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
雪崩能量，周期
2)
反向二极管的dv / dt
2)
门源电压
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
1.0版
第1页
I
D，脉冲
E
AS
E
AR
的dV / dt
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=80 A,
R
GS
=25
,
V
DD
=25 V
T
j
≤175
°C
I
D
=80 A,
V
DS
=40 V,
的di / dt = 200 A / μs的，
T
， MAX
=175 °C
80
320
700
30
6
±20
300
-55 ... +175
55/175/56
2004-11-30
KV / μs的
V
W
°C
mJ
SPB80N06S-08
SPI80N06S -08 ， SPP80N06S -08
参数
符号条件
分钟。
热特性
2)
热阻，结 - 案
热阻，结 -
环境，含铅
SMD版本， PCB上的元件
R
thJC
R
thJA
R
thJA
最小的足迹
6平方厘米散热面积
3)
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=240 A
V
DS
=25 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=25 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=150 °C
2)
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=80 A
V
GS
=10 V,
I
D
=80 A
SMD版
跨
2)
脚注3页
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=80 A
55
2.1
-
-
3.0
0.1
-
4
1
A
V
-
-
-
-
0.38
-
-
-
0.5
62
62
40
K / W
值
典型值。
马克斯。
单位
-
-
-
-
10
10
6.5
6.2
100
100
8
7.7
nA
m
-
73
-
S
1.0版
第2页
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SPB80N06S-08
SPI80N06S -08 ， SPP80N06S -08
参数
符号条件
分钟。
动态特性
2)
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
2)
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
2)
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
I
S
I
S，脉冲
V
SD
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=80 A,
T
j
=25 °C
V
R
=27.5 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
0.9
80
320
1.3
V
A
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=44 V,
I
D
=80 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
19
62
125
5.4
-
-
187
-
V
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 30 V，I
D
=80 A,
V
GS
= 10 V ，R
G
=2.4
V
GS
=0 V,
V
DS
=25 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
3660
1075
540
22
53
54
32
-
-
-
-
-
-
-
ns
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
反向恢复时间
t
rr
-
105
ns
反向恢复电荷
Q
rr
-
30
-
nC
1)
电流是由键合线的限制;有
R
thJC
= 0.5 K / W ，芯片能够承载132A在25℃ 。有关详细
信息，请参阅应用笔记APPS071E在
www.infineon.com/optimos
2)
3)
按设计规定不进行生产测试。
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
1.0版
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SPB80N06S-08
SPI80N06S -08 ， SPP80N06S -08
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≥10
V
350
100
300
80
250
60
P
合计
[W]
200
150
I
D
[A]
40
20
0
0
50
100
150
200
0
50
100
150
200
100
50
0
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
1000
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
1
限于由导通状态
阻力
10 s
100 s
1毫秒
10
0
100
DC
Z
thJC
〔 K / W〕
10毫秒
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
I
D
[A]
10
-1
10
10
-2
单脉冲
1
0.1
1
10
100
10
-3
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
[V]
t
p
[s]
1.0版
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SPB80N06S-08
SPI80N06S -08 ， SPP80N06S -08
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
160
8V
6.5 V
6V
7V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
25
140
120
100
10 V
20
4.5 V
5V
5.5 V
5.5 V
80
60
40
4.5 V
R
DS （ ON）
[m
]
15
I
D
[A]
6V
10
6.5 V
7V
8V
10 V
5V
5
20
0
0
1
2
3
0
0
20
40
60
80
100
120
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
80
70
60
50
g
fs
[S]
175 °C
25 °C
I
D
[A]
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
V
GS
[V]
I
D
[A]
1.0版
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