SGB15N60HS
^
高速IGBT在NPT技术
低30％
E
关闭
相比上一代
短路承受时间 - 10
s
专为运行超过30千赫
NPT -技术600V应用提供：
- 并行交换能力
- 适度ê
关闭
随温度
- 参数分布非常紧凑
高耐用性，温度稳定的行为
根据JEDEC合格
1
为目标的应用
完整的产品范围和PSpice的模型：
http://www.infineon.com/igbt/
V
CE
600V
I
C
15A
E
关闭
200J
T
j
150°C
记号
G15N60HS
包
P-TO-263-3-2
订购代码
Q67040-S4535
G
C
E
P- TO- 263-3-2 （ D -PAK ）
(TO-263AB)
TYPE
SGB15N60HS
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
符号
V
CE
I
C
价值
600
27
15
单位
V
A
集电极电流脉冲，
t
p
受
T
JMAX
关闭安全工作区
V
CE
≤
600V,
T
j
≤
150°C
栅极 - 发射极电压的静态
瞬态（T
p
<1s,
D<0.05)
短路承受时间
2)
V
GE
= 15V,
V
CC
≤
400V,
T
j
≤
150°C
功耗
T
C
= 25°C
工作结温和存储温度
有时间限制的工作结温
t
< 150H
焊接温度（回流焊接， MSL1 ）
I
Cpuls
-
V
GE
t
SC
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
J（下TL ）
-
60
60
±20
±30
10
138
-55...+150
175
220
V
s
W
°C
1
2)
J- STD- 020和JESD -022
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
1
修订版2.1
1月5日
功率半导体
SGB15N60HS
^
热阻
参数
特征
IGBT的热电阻，
结 - 案
热阻，
结 - 环境
SMD版本， PCB上的元件
1)
R
thJA
40
R
thJA
62
R
thJC
0.9
K / W
符号
条件
马克斯。值
单位
电气特性，
at
T
j
= 25
°C,
除非另有说明
参数
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
（ B R ）C （E S）
V
摹ê
= 0V,
I
C
= 50 0A
V
CE （ SAT ）
V
摹ê
= 15V,
I
C
= 15A
T
j
= 25° C
T
j
= 15 0° C
栅极 - 发射极阈值电压
零栅极电压集电极电流
V
GE （日）
I
CES
I
C
= 40 0A,
V
权证
=V
摹ê
V
权证
= 600V ,V
摹ê
= 0V
T
j
= 25° C
T
j
= 15 0° C
栅极 - 发射极漏电流
跨
I
GES
g
fs
V
权证
= 0V ,V
摹ê
= 2 0V
V
权证
= 20V,
I
C
= 15A
-
-
-
-
-
-
-
10
40
2000
100
nA
S
3
2.8
3.5
4
3.15
4.00
5
A
600
-
-
V
符号
条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
内置发射器电感
（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米
短路集电极电流
2)
I
C（ SC ）
V
摹ê
1 = 5V ，T
S·C
≤10s
V
C C
≤
400V,
T
j
≤
150° C
-
135
A
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
门
L
E
V
权证
= 25V,
V
摹ê
= 0V,
f=
1M的赫兹
V
C C
= 4 80V,
I
C
= 15A
V
摹ê
= 1 5V
-
7
nH
-
-
-
-
810
83
51
80
nC
pF
1)
设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜区
集电极连接。 PCB是垂直的不吹气。
2)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
功率半导体
2
修订版2.1
1月5日
