BTS 7741摹
1.3
PIN号
引脚定义和功能
符号
DL1
IL1
北卡罗来纳州
DHVS
GND
IH1
ST
IH2
北卡罗来纳州
DL2
IL2
SL2
SH2
SH1
SL1
功能
漏低端交换机1中，引线框架1
1)
低端交换机1的模拟输入
没有连接
高侧开关和电源电压的流失，
引线框架2
1)
地
高端交换机1的数字输入
高边开关的状态;开漏输出
高边开关2的数字输入
没有连接
漏低侧开关2的，引线框3
1)
低侧开关2的模拟输入
低侧开关2的源
高边开关2的源
高端交换机1的源
低端交换机1的源
1, 3, 25, 28
2
4
5, 10, 19, 24
6
7
8
9
11
12, 14, 15, 18
13
16,17
20,21
22,23
26,27
1)
以减小热阻这些引脚通过金属桥直接连接到引线框架上。
引脚写在
黑体字
需要电源接线。
数据表
3
2003-03-06
BTS 7741摹
1.5
电路描述
输入电路
控制输入IH1,2包括TTL / CMOS兼容的施密特触发器与
滞后。缓冲放大器由这些级驱动，所述逻辑信号转换成
必要的形式，用于驱动功率输出级。该输入由ESD保护
钳二极管。
输入IL1和IL2分别连接到N信道的内部栅极驱动单元
垂直功率MOS- FET的。
输出级
输出级包括一个低
R
DS ON
功率型MOS H桥。在H桥
构，则D -MOS体二极管可以换向时用于续流
感性负载。如果在高压侧开关被用作单个开关，正和
驱动感性负载时出现的负电压尖峰被限制
集成的电源钳位二极管。
短路保护
输出保护，防止
- 输出对地短路
- 输出短路到电源电压，并
- 过载（负载短路） 。
内部运放通过比较所述的DS-电压 - 控制所述漏源电压
降与内部参考电压。上面这个触发点运算放大器降低了
输出电流取决于结温及电压降。
在重载高端的情况下，开关状态输出设置为低。
完全保护低边开关没有状态输出。
过热保护
高侧和低侧开关还包含一个过温保护
电路滞后而关闭输出晶体管。在高的情况下
侧开关，状态输出设置为低。
欠压锁定（ UVLO ）
当
V
S
到达开关导通电压
V
UVON
该IC成为活跃的滞后。
高侧输出晶体管被关闭，如果电源电压
V
S
下面滴
开关关断值
V
UVOFF 。
数据表
5
2003-03-06
BTS 7741摹
1.3
PIN号
引脚定义和功能
符号
DL1
IL1
北卡罗来纳州
DHVS
GND
IH1
ST
IH2
北卡罗来纳州
DL2
IL2
SL2
SH2
SH1
SL1
功能
漏低端交换机1中，引线框架1
1)
低端交换机1的模拟输入
没有连接
高侧开关和电源电压的流失，
引线框架2
1)
地
高端交换机1的数字输入
高边开关的状态;开漏输出
高边开关2的数字输入
没有连接
漏低侧开关2的，引线框3
1)
低侧开关2的模拟输入
低侧开关2的源
高边开关2的源
高端交换机1的源
低端交换机1的源
1, 3, 25, 28
2
4
5, 10, 19, 24
6
7
8
9
11
12, 14, 15, 18
13
16,17
20,21
22,23
26,27
1)
以减小热阻这些引脚通过金属桥直接连接到引线框架上。
引脚写在
黑体字
需要电源接线。
数据表
3
2003-03-06
BTS 7741摹
1.5
电路描述
输入电路
控制输入IH1,2包括TTL / CMOS兼容的施密特触发器与
滞后。缓冲放大器由这些级驱动，所述逻辑信号转换成
必要的形式，用于驱动功率输出级。该输入由ESD保护
钳二极管。
输入IL1和IL2分别连接到N信道的内部栅极驱动单元
垂直功率MOS- FET的。
输出级
输出级包括一个低
R
DS ON
功率型MOS H桥。在H桥
构，则D -MOS体二极管可以换向时用于续流
感性负载。如果在高压侧开关被用作单个开关，正和
驱动感性负载时出现的负电压尖峰被限制
集成的电源钳位二极管。
短路保护
输出保护，防止
- 输出对地短路
- 输出短路到电源电压，并
- 过载（负载短路） 。
内部运放通过比较所述的DS-电压 - 控制所述漏源电压
降与内部参考电压。上面这个触发点运算放大器降低了
输出电流取决于结温及电压降。
在重载高端的情况下，开关状态输出设置为低。
完全保护低边开关没有状态输出。
过热保护
高侧和低侧开关还包含一个过温保护
电路滞后而关闭输出晶体管。在高的情况下
侧开关，状态输出设置为低。
欠压锁定（ UVLO ）
当
V
S
到达开关导通电压
V
UVON
该IC成为活跃的滞后。
高侧输出晶体管被关闭，如果电源电压
V
S
下面滴
开关关断值
V
UVOFF 。
数据表
5
2003-03-06
