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BFS 480
NPN硅晶体管RF
对于低噪声，低功耗放大器在移动
通信系统（寻呼机，无绳
电话）集电极电流从0.2毫安到8毫安
f
T
= 7GHz的
F
= 1.5分贝在900MHz
两个（电）内部隔离
在一个封装晶体管
防静电：静电放电
敏感的设备，观察处理防范！
TYPE
订购代码标识
引脚配置
BFS 480
水库
Q62702-F1531
1/4 = B
2/5 = E
3/6 = C
包
SOT-363
下面的数据是一个单晶体管的
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
符号
值
8
10
10
2
10
1.2
mW
80
150
- 65 ... + 150
- 65 ... + 150
°C
mA
单位
V
V
首席执行官
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
A
T
英镑
T
S
≤
112 °C
结温
环境温度
储存温度
热阻
结 - 焊接点
1)
R
thjs
≤
470
K / W
1)
T
S
是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线。
半导体集团
1
Dec-16-1996
BFS 480
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） CEO
8
-
-
-
-
100
-
V
A
-
100
nA
-
100
A
-
1
-
30
200
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0
集电极 - 发射极截止电流
I
CES
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
= 10 V,
V
BE
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 8 V,
I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 1 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 3毫安，
V
CE
= 5 V
半导体集团
2
Dec-16-1996
BFS 480
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
AC特性
跃迁频率
值
典型值。
马克斯。
单位
f
T
5
7.5
0.23
0.1
0.23
-
GHz的
pF
-
0.4
-
-
dB
-
-
1.5
2
-
-
I
C
= 6毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 500 MHz的
集电极 - 基极电容
C
cb
C
ce
-
V
CB
= 5 V,
f
= 1兆赫
集电极 - 发射极电容
V
CE
= 5 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
C
eb
-
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
噪声系数
F
I
C
= 1.5毫安，
V
CE
= 5 V,
Z
S
=
Z
SOPT
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
功率增益
1)
G
ms
I
C
= 3毫安，
V
CE
= 5 V,
Z
S
=
Z
SOPT
Z
L
=
Z
LOPT
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
传感器增益
|S
21e
|
2
-
-
14
9.5
-
-
-
-
18
14
-
-
I
C
= 3毫安，
V
CE
= 5 V,
Z
S
=Z
L
= 50
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
1)
G
ms
= |S
21
/S
12
|
半导体集团
3
Dec-16-1996
BFS 480
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*,
T
S
)
*包装安装在环氧
100
mW
P
合计
80
70
60
50
T
S
T
A
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120 °C 150
T
A
,T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
f
(t
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/P
totDC
=
f
(t
p
)
10
3
10
2
R
thjs
K / W
P
totmax
/P
totDC
-
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
2
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
10
1
10
1
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10 s 10
t
p
-1
0
10
0
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10 s 10
t
p
-1
0
半导体集团
4
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BFS 480
集电极 - 基极电容
C
cb
=
f
(V
CB
)
V
BE
=
v
be
= 0,
f
= 1MHz的
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
=参数
0.40
10
GHz的
pF
10V
5V
3V
2V
C
cb
0.30
f
T
8
7
0.25
6
0.20
5
0.15
4
0.10
3
2
1
2
4
6
8
V
12
0
2
4
6
8
1V
0.7V
0.05
0.00
0
V
R
mA
I
C
12
功率增益
G
ma
,
G
ms
=
F（我
C
)
f
= 0.9GHz
V
CE
=参数
22
功率增益
G
ma
,
G
ms
=
F（我
C
)
f
= 1.8GHz的
V
CE
=参数
15
dB
dB
G
18
8V
2V
G
13
12
11
8V
3V
2V
16
1V
14
0.7V
12
10
9
8
7
0.7V
1V
10
6
8
0
2
4
6
8
mA
I
C
12
5
0
2
4
6
8
mA
I
C
12
半导体集团
5
Dec-16-1996
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Q67000-A6045
Q62703-Q2647
Q60118-Y48-E
Q62702-D246
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