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BFR 92P
NPN硅晶体管RF
对于宽带放大器高达2GHz和
集电极电流快速非饱和开关
0.5 mA至20 mA
互补类型: BFT92 ( PNP )
CECC型可供选择: CECC 249分之50002
防静电:静电放电
敏感的设备,观察处理防范!
TYPE
订购代码标识
引脚配置
BFR 92P
政府飞行服务队
Q62702-F1050
1=B
2=E
3=C
SOT-23
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
符号
15
20
20
2.5
30
4
mW
280
150
- 65 ... + 150
- 65 ... + 150
365
°C
mA
单位
V
V
首席执行官
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
A
T
英镑
1)
T
S
48 °C
结温
环境温度
储存温度
热阻
结 - 焊接点
R
thjs
K / W
1)
T
S
是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线。
半导体集团
1
Dec-12-1996
BFR 92P
电气特性
at
T
A
= 25 ° C,除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
典型值。
马克斯。
单位
V
( BR ) CEO
15
-
-
-
-
100
-
V
A
-
10
nA
-
100
A
-
100
-
40
200
I
C
= 1毫安,
I
B
= 0
集电极 - 发射极截止电流
I
CES
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
= 20 V,
V
BE
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 10 V,
I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 2.5 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 15毫安,
V
CE
= 8 V
半导体集团
2
Dec-12-1996
BFR 92P
电气特性
at
T
A
= 25 ° C,除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
AC特性
跃迁频率
典型值。
马克斯。
单位
f
T
3.5
5
0.38
0.2
0.7
-
GHz的
pF
-
0.6
-
-
dB
-
-
1.8
2.9
-
-
I
C
= 15毫安,
V
CE
= 8 V,
f
= 500 MHz的
集电极 - 基极电容
C
cb
C
ce
-
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
集电极 - 发射极电容
V
CE
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
C
eb
-
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
噪声系数
F
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 6 V,
Z
S
=
Z
SOPT
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
功率增益
2)
G
ma
I
C
= 15毫安,
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
Z
L
=
Z
LOPT
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
传感器增益
|S
21e
|
2
-
-
12.5
7
-
-
-
-
15
9.5
-
-
I
C
= 15毫安,
V
CE
= 8 V,
Z
S
=Z
L
= 50
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
2)
G
ma
= |S
21
/S
12
| (k-(k
2
-1)
1/2
)
半导体集团
3
Dec-12-1996
BFR 92P
SPICE参数(的Gummel -潘型号,伯克利SPICE 2G.6语法) :
晶体管芯片数据
IS =
0.1213
fA
VAF =
NE =
VAR =
NC =
RBM =
CJE =
TF =
ITF =
VJC =
TR =
MJS =
XTI =
30
1.9052
14.599
1.371
7.8145
10.416
26.796
4.4601
0.84079
1.2744
0
3
V
-
V
-
fF
ps
mA
V
ns
-
-
BF =
IKF =
BR =
IKR =
RB =
RE =
VJE =
XTF =
PTF =
MJC =
CJS =
XTB =
FC =
94.733
0.46227
10.729
0.01
14.998
0.29088
0.70618
0.3817
0
0.4085
0
0
0.99545
-
A
-
A
V
-
-
fF
-
-
NF =
ISE =
NR =
ISC =
IRB =
RC =
MJE =
VTF =
CJC =
XCJC =
VJS =
EG =
TNOM
1.0947
129.55
0.8983
0.75557
0.01652
0.13793
0.34686
0.32861
946.47
0.13464
0.75
1.11
300
-
fA
-
fA
mA
-
V
fF
-
V
eV
K
所有的参数都可以使用了,没有scalling是必要的。
提取的代表SIEMENS小信号半导体的方式:
研究所献给美孚- UND Satellitenfunktechnik ( IMST )
1996 SIEMENS AG
包装等效电路:
LBI =
LBO =
雷=
LEO =
LCI =
LCO =
CBE =
建行=
CCE =
0.85
0.51
0.69
0.61
0
0.49
73
84
165
nH
nH
nH
nH
nH
nH
fF
fF
fF
有效期至6 GHz
有关示例,并准备使用参数,请联系您当地的西门子分销商或销售办事处
获得西门子的CD -ROM或参阅网址: http://www.siemens.de/Semiconductor/products/35/35.htm
半导体集团
4
Dec-12-1996
BFR 92P
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*,
T
S
)
*包装安装在环氧
300
mW
P
合计
200
T
S
150
T
A
100
50
0
0
20
40
60
80
100
120 °C 150
T
A
,T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
f
(t
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/P
totDC
=
f
(t
p
)
10
3
10
2
R
thjs
K / W
P
totmax
/P
totDC
-
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
2
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
10
1
10
1
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10 s 10
t
p
-1
0
10
0
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10 s 10
t
p
-1
0
半导体集团
5
Dec-12-1996
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    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

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    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    Q62702-F1050
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

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联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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