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BC 847PN
NPN / PNP硅AF晶体管阵列
对于AF输入级和驱动器应用
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
二(电流)的内部分离NPN / PNP
在一个封装晶体管
磁带加载方向
引脚配置
TYPE
BC 847PN
订购代码标识
1Ps
Q62702-C2374
NPN三极管
SOT-363
PNP三极管
1=E
4=E
2=B
5=B
6=C
3=C
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
总功耗,
T
S
= 115 °C
结温
储存温度
热阻
交界处的环境
1)
结 - 焊接点
符号
价值
45
50
50
5
100
200
250
150
-65...+150
≤275
≤140
单位
V
V
首席执行官
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
j
T
英镑
R
thJA
R
thjs
mA
mW
°C
K / W
1 )包装安装在印刷电路板40× 40× 1.5毫米/ 0.5厘米2铜
半导体集团
1
May-12-1998
BC 847PN
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
参数
每个晶体管直流特性
集电极 - 发射极击穿电压
符号
分钟。
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-
15
5
nA
A
-
-
200
250
290
90
200
700
900
660
-
-
630
mV
-
-
300
650
-
-
750
820
V
单位
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CES
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
CBO
h
FE
45
50
50
5
-
-
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
B
= 0
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10 A,
V
BE
= 0
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
直流电流增益1 )
I
C
= 10 A,
V
CE
= 5 V
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压1 )
V
CESAT
I
C
= 10毫安,
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安,
I
B
= 5毫安
基极 - 发射极饱和电压1)
V
BESAT
-
-
I
C
= 10毫安,
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安,
I
B
= 5毫安
基极 - 发射极电压1)
V
BE(上)
580
-
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安,
V
CE
= 5 V
1 )脉冲测试:吨< 300μS ; < 2 %
半导体集团
2
May-12-1998
BC 847PN
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
参数
每个晶体管的交流特性
跃迁频率
符号
分钟。
典型值。
250
2
10
4.5
2
330
30
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
k
10
-4
-
S
兆赫
pF
单位
f
T
C
cb
C
eb
h
11e
h
12e
h
21e
h
22e
-
-
-
-
-
-
-
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
短路输入阻抗
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
开路反向电压传输比
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
短路正向电流传输比
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
开路输出导纳
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
半导体集团
3
May-12-1998
BC 847PN
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;T
S
)
*包装安装在环氧
300
mW
P
合计
200
T
S
T
A
150
100
50
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
T
A
,T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
f
(t
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
f
(t
p
)
10
K / W
-
3
10
3
10
2
R
thjs
P
totmax
/ P
totDC
10
2
10
1
10
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
1
10
-1
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
t
p
半导体集团
4
May-12-1998
BC 847PN
集电极 - 基极capacitt
C
CB
=
f
(V
CBO
)
发射极 - 基capacitt
C
EB
=
f
(V
EBO
)
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5V
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
=
f
(T
A
)
集电极 - 发射极饱和电压
V
CB
= 30V
I
C
=
f
(V
CESAT
),
h
FE
= 20
半导体集团
5
May-12-1998
PNP硅晶体管自动对焦
公元前807
公元前808
q
对于一般自动对焦的应用
q
高集电极电流
q
高电流增益
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
互补类型:公元前817 ,公元前818 ( NPN )
TYPE
公元前807-16
公元前807-25
公元前807-40
公元前808-16
公元前808-25
公元前808-40
记号
5As
5Bs
5Cs
5Es
5Fs
5Gs
订购代码
Q62702-C1735
Q62702-C1689
Q62702-C1721
Q62702-C1736
Q62702-C1504
Q62702-C1692
引脚配置
1
2
3
B
E
C
1)
SOT-23
1)
有关详细信息,请参阅本章包装纲要。
半导体集团
1
5.91
公元前807
公元前808
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
1)
结 - 焊接点
R
日JA
R
日JS
285
215
符号
公元前807
V
CE0
V
CB0
V
EB0
I
C
I
CM
I
B
I
BM
T
j
T
英镑
45
50
5
公元前808
25
30
5
500
1
100
200
330
150
– 65 … + 150
单位
V
mA
A
mA
mW
C
总功耗,
T
C
= 79 C
P
合计
K / W
1)
安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐
×
40 mm
×
1.5毫米/ 6厘米
2
铜。
半导体集团
2
公元前807
公元前808
电气特性
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安
公元前807
公元前808
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100
A
公元前807
公元前808
发射极 - 基极击穿电压,
I
E
= 10
A
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 25 V
V
CB
= 25 V,
T
A
= 150 C
发射极截止电流,
V
EB
= 4 V
直流电流增益
1)
I
C
= 100毫安;
V
CE
= 1 V
公元前807-16 ,公元前808-16
公元前807-25 , 808-25 BC
公元前807-40 ,公元前808-40
I
C
= 300毫安;
V
CE
= 1 V
公元前807-16 ,公元前808-16
公元前807-25 , 808-25 BC
公元前807-40 ,公元前808-40
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 500毫安;
I
B
= 50毫安
基射极饱和电压
1)
I
C
= 500毫安;
I
B
= 50毫安
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 20 MHz的
输出电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
输入电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
1)
典型值。
马克斯。
单位
V
(BR)CE0
45
25
V
(BR)CB0
50
30
V
(BR)EB0
I
CB0
I
EB0
h
FE
100
160
250
60
100
170
V
CESAT
V
BESAT
160
250
350
250
400
630
0.7
2
100
50
100
5
V
nA
A
nA
V
f
T
C
敖包
C
IBO
200
10
60
兆赫
pF
脉冲测试:
t
300
s,
D
2 %.
半导体集团
3
公元前807
公元前808
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;
T
S
)
*包装安装在环氧
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5 V
允许的脉冲负载
P
TOT最大
/P
TOT DC
=
f
(t
p
)
收藏家Cuto FF电流
I
CB0
=
f
(T
A
)
V
CB0
= 25 V
半导体集团
4
公元前807
公元前808
基射极饱和电压
I
C
=
f
(V
BESAT
)
h
FE
= 10
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
f
(V
CESAT
)
h
FE
= 10
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 1 V
半导体集团
5
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数量
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单价/备注
操作
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    电话:755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    Q62702-C1735
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

    电话:0755-83795435
    联系人:李小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    Q62702-C1735
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    Q62702-C1735
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
Q62702-C1735
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