【摩托罗拉半导体技术资料订购此文件通过PZT2222AT1 / DNPN硅平面外延晶体管这NPN硅外延】,IC型号PZT2222AT1G,PZT2222AT1G PDF资料,PZT2222AT1G经销商,ic,电子元器件-51电子网

摩托罗拉

半导体技术资料

订购此文件

通过PZT2222AT1 / D

NPN硅平面

外延晶体管

这NPN硅外延晶体管设计用于线性和开关的使用

应用程序。该设备被容纳在所述的SOT- 223封装，其目的是为

中等功率表面贴装应用。

PNP补是PZT2907AT1

采用SOT - 223封装可以用波或回流焊接。

SOT- 223封装可以确保水平安装，从而提高了热

传导，并且允许焊点的目视检查。所形成的

在焊接过程中动态吸收热应力，消除的可能性

损坏模具。

采用12毫米磁带和卷轴

使用PZT2222AT1责令7英寸/ 1000单元卷轴。

使用PZT2222AT3订购13英寸/ 4000单元卷轴。

BASE

辐射源

集热器

2, 4

PZT2222AT1

摩托罗拉的首选设备

SOT- 223封装

NPN硅

晶体管

表面贴装

CASE 318E -04 ，风格1

TO-261AA

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压（集电极开路）

集电极电流

总功率耗散高达TA = 25 ° C（ 1 ）

存储温度范围°

结温°

符号

VCEO

VCBO

VEBO

TSTG

价值

6.0

600

1.5

- 65 + 150

150

单位

VDC

MADC

瓦

°C

热特性

从结点到环境的热阻

从案例无铅焊接温度的， 0.0625 “

在焊接洗澡时间

θJA

83.3

260

° C / W

°C

美国证券交易委员会

器件标识

P1F

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

符号

民

最大

单位

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压（ IC = 10 MADC ， IB = 0 ）

集电极 - 基极击穿电压（ IC = 10

μAdc ，

IE = 0 ）

发射极 - 基极击穿电压（ IE = 10

μAdc ，

IC = 0）

基射极截止电流（ VCE = 60 VDC ， VBE = - 3.0 V直流）

集电极 - 发射极截止电流（ VCE = 60 VDC ， VBE = - 3.0 V直流）

发射基截止电流（ VEB = 3.0伏， IC = 0 ）

热复合是贝格斯公司的商标。

首选

设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。

V（ BR ） CEO

V（ BR ） CBO

V（ BR ） EBO

IBEX

ICEX

IEBO

°75°

6.0

—

°—°

—

100

VDC

NADC

1.装置安装在环氧树脂印刷线路板1.575英寸X 1.575英寸X 0.059英寸;安装焊盘的集电极引线分钟。 0.93平方英寸。

REV 2

摩托罗拉公司1996年

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

PZT2222AT1

电气特性 - 续

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

符号

民

最大

单位

开关特性（续）

集电极 - 基极截止电流

（ VCB = 60 VDC ， IE = 0 ）

（ VCB = 60 VDC ， IE = 0 ， TA = 125°C ）

ICBO

—

NADC

μAdc

基本特征

直流电流增益

（ IC = 0.1 MADC ， VCE = 10 V直流）

（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 V直流）

（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 V直流）

（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， TA = - 55 ° C）

（ IC = 150 MADC ， VCE = 10 V直流）

（ IC = 150 MADC ， VCE = 1.0 V直流）

（ IC = 500 MADC ， VCE = 10 V直流）

集电极 - 发射极饱和电压

（ IC = 150 MADC ， IB = 15 MADC ）

（ IC = 500 MADC ， IB = 50 MADC ）

基射极饱和电压

（ IC = 150 MADC ， IB = 15 MADC ）

（ IC = 500 MADC ， IB = 50 MADC ）

输入阻抗°

（ VCE = 10 VDC ， IC = 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

（ VCE = 10 VDC ， IC = 10 MADC ， F = 1.0千赫）

电压反馈比例

（ VCE = 10 VDC ， IC = 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

（ VCE = 10 VDC ， IC = 10 MADC ， F = 1.0千赫）

小信号电流增益

（ VCE = 10 VDC ， IC = 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

（ VCE = 10 VDC ， IC = 10 MADC ， F = 1.0千赫）

输出导纳°

（ VCE = 10 VDC ， IC = 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

（ VCE = 10 VDC ， IC = 10 MADC ， F = 1.0千赫）

噪声系数（ VCE = 10 VDC ， IC = 100

μAdc ，

F = 1.0千赫）

的hFE

100

VCE （ SAT ）

—

VBE （ SAT ）

0.6

—

°h

2.0

0.25

HRE

—

的hFE

°h

5.0

—

200

4.0

300

375

μmhos

8.0

1.25

—

8.0x10-4

4.0x10-4

—

1.2

2.0

0.3

1.0

VDC

—

300

—

VDC

—

动态特性

电流增益 - 带宽积

（ IC = 20 MADC ， VCE = 20伏， F = 100兆赫）

输出电容

（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）

输入电容

（ VEB = 0.5伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）

300

—

8.0

兆赫

开关时间

（ TA = 25°C ）

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

（ VCC = 30 V直流， IC = 150 MADC ，

IB （ ON） = 15 MADC ， VEB （关闭） = 0.5伏）

图1

（ VCC = 30 V直流， IC = 150 MADC ，

IB （ ON） = IB （关闭） = 15 MADC ）

图2

—

225

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

PZT2222AT1

90%

10%

D.U.T.

VCC

图1.输入波形和测试电路，用于确定延迟时间和上升时间

VI = - 0.5 V至9.9 V， VCC = 30 V， R1 = 619

R2 = 200

脉冲发生器：

脉冲持续时间

上升时间

占空比

≤

200纳秒

2纳秒

0.02

示波器：

输入阻抗

输入电容

上升时间

＆ GT ; 100千欧

＆ LT ;

12 pF的

＆ LT ;

5纳秒

+16.2 V

VCC

D.U.T.

示波器

100

VBB

时间

– 13.8 V

图2.输入波形和测试电路，用于确定存储时间和下降时间

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

PZT2222AT1

对于采用SOT- 223表面贴装封装信息

推荐的最低足迹表面安装应用程序

表面贴装电路板布局是总的关键部分

设计。占地面积为半导体封装必须

为保证适当的焊料连接的正确大小

0.15

3.8

0.079

2.0

电路板和封装之间的接口。与

正确的垫几何，包会自我调整的时候

经受回流焊接工艺。

0.091

2.3

0.079

2.0

0.059

1.5

0.059

1.5

0.091

2.3

0.248

6.3

0.059

1.5

英寸

SOT-223

SOT- 223功耗

采用SOT -223的功耗的功能

焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化

焊接到给出的最大功耗垫的尺寸。

功耗用于表面贴装器件，确定

由TJ （最大值）的最大额定结温

死，R

θJA

从器件结的热阻

环境，以及工作温度TA 。使用

所提供的数据手册SOT- 223封装的价值观，

PD可以计算如下：

PD =

TJ（MAX） - TA

θJA

消耗几乎可以用这种方法增加了一倍，面积为

在印刷电路板，它可以战胜溶于

采用表面贴装目的的技术。为R的曲线图

θJA

对收集垫区示于图3 。

160

RJ-A ，热阻，结

到环境（ C / W ）

板材料= 0.0625 “

G- 10 / FR - 4 ; 2盎司纯铜

0.8瓦

TA = 25°C

140

120

1.25瓦*

1.5瓦

该方程的值被发现的最大

评级表上的数据表。这些值代入

该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以

计算在此所述装置的功率耗散

情况下为1.5瓦。

PD = 150 °C - 25 ° C = 1.5瓦特

83.3°C/W

为SOT- 223封装的83.3 ° C / W假设使用

玻璃环氧印刷电路上推荐的足迹

板实现为1.5瓦的功耗。有

其他的替代品，从实现更高的功率耗散

采用SOT - 223封装。之一是增加的面积

收集垫。通过增加收集垫的区域中，所述

功率消耗可以增加。虽然动力

100

*安装的DPAK足迹

0.2

0.4

0.6

A，面积（平方英寸）

0.8

1.0

0.0

图3.热阻与收藏家

为SOT- 223封装焊盘面积（典型值）

另一种替代方法是使用陶瓷基板或

铝核心板，如热复合。利用

板的材料，例如热复合，铝芯

板，所述功率耗散可以使用相同的一倍

足迹。

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

PZT2222AT1

焊膏丝网指南

在此之前将表面贴装元件在印刷

电路板中，焊料膏必须施加到焊盘上。一

焊料模版，需要筛选的最佳量

焊膏到足迹。该模板由黄铜制成

或不锈钢带0.008英寸的典型厚度。

为SOT- 223封装的模板开孔尺寸应该是

相同的焊盘尺寸的印刷电路板，即，一个

1 ： 1的注册。

焊接注意事项

焊料的熔融温度比额定高

温度的装置。当整个装置被加热

到很高的温度，不内完成焊接

短的时间内可能会导致器件失效。因此，该

下列项目应始终以观察到

最小化的热应力，以使设备

受。

总是预热装置。

预热之间的温度增量

焊接应为100 ℃或更低。 *

在预热和焊接，对温度

引线和外壳必须不超过最大

温度额定值上所示的数据表。当

采用红外加热与回流焊接方法，

的差值应该是最多10 ℃。

焊接温度和时间应不超过

260 ℃下进行10秒以上。

当从预热焊接移位时，

最大温度梯度为5 ℃或更小。

焊接完成后，该设备应

可以使其自然冷却至少三分钟。

逐渐冷却应作为采用强制

冷却将增加的温度梯度，从而导致

在潜失效由于机械应力。

机械应力或冲击不应在被应用

冷却

*进行焊接装置无需预热可导致过度

热冲击和应力，这可能导致损坏

装置。

典型焊加热曲线

对于任何给定的电路板，将有一组控制

设置值，将得到所需的加热方式。运营商

必须设置温度为几个加热区，和一个

数字皮带速度。两者合计，这些控制设置

补热“轮廓”为特定的电路板。

上由一台计算机，该计算机控制的机器

从一个工作会议上的记住这些配置文件

下一个。图4显示了一个典型的加热曲线时使用

焊接的表面贴装器件的印刷电路板。

此配置文件将焊接系统各不相同，但它是一个很好的

出发点。能够影响信息的因素包括

焊接系统的使用中，密度和类型的类型

电路板上元器件，焊料类型使用，且类型

板或基板材料的使用。该图显示

温度与时间的关系。图上的线表示

第1步

预热

1区

“ RAMP ”

200°C

第2步

STEP 3

VENT

加热

「浸泡」地带2及五

“ RAMP ”

所需的曲线用于高

MASS ASSEMBLIES

150°C

100°C

所需的曲线FOR LOW

MASS ASSEMBLIES

50°C

140°C

可能会遇到的表面上的实际温度

的试验板在或靠近中央的焊点。两

配置文件基于高密度和低密度板。

该维多利绍德SMD310对流/红外回流焊

系统被用来生成此配置文件。焊料的种类

用的是62/36/2铅锡银与熔点

在177 -189 ℃。当这种类型的炉子是用于

回流焊工作时，电路板和焊点倾向于

先热。电路板上的组件，然后通过加热

传导。在电路板上，因为它有一个大的表面

面积，更有效地吸收的热能，然后

分配的能量，以该组件。因为这

效果，一个组件的所述主体可以是最多30个

度比相邻焊点冷却。

步骤5

STEP 6 STEP 7

第4步

加热

VENT冷却

加热

开发区4和7

开发区3及6

205 °

“秒杀”

“浸泡”

219°C

170°C

高峰

SOLDER

160°C

联合

焊料液

40至80秒

（根据

装配质量）

时间（ 37分钟总）

TMAX

图4.典型的焊接暖气简介

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

摩托罗拉

半导体技术资料

订购此文件

通过PZT2222AT1 / D

NPN硅平面

外延晶体管

这NPN硅外延晶体管设计用于线性和开关的使用

应用程序。该设备被容纳在所述的SOT- 223封装，其目的是为

中等功率表面贴装应用。

PNP补是PZT2907AT1

采用SOT - 223封装可以用波或回流焊接。

SOT- 223封装可以确保水平安装，从而提高了热

传导，并且允许焊点的目视检查。所形成的

在焊接过程中动态吸收热应力，消除的可能性

损坏模具。

采用12毫米磁带和卷轴

使用PZT2222AT1责令7英寸/ 1000单元卷轴。

使用PZT2222AT3订购13英寸/ 4000单元卷轴。

BASE

辐射源

集热器

2, 4

PZT2222AT1

摩托罗拉的首选设备

SOT- 223封装

NPN硅

晶体管

表面贴装

CASE 318E -04 ，风格1

TO-261AA

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压（集电极开路）

集电极电流

总功率耗散高达TA = 25 ° C（ 1 ）

存储温度范围°

结温°

符号

VCEO

VCBO

VEBO

TSTG

价值

6.0

600

1.5

- 65 + 150

150

单位

VDC

MADC

瓦

°C

热特性

从结点到环境的热阻

从案例无铅焊接温度的， 0.0625 “

在焊接洗澡时间

θJA

83.3

260

° C / W

°C

美国证券交易委员会

器件标识

P1F

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

符号

民

最大

单位

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压（ IC = 10 MADC ， IB = 0 ）

集电极 - 基极击穿电压（ IC = 10

μAdc ，

IE = 0 ）

发射极 - 基极击穿电压（ IE = 10

μAdc ，

IC = 0）

基射极截止电流（ VCE = 60 VDC ， VBE = - 3.0 V直流）

集电极 - 发射极截止电流（ VCE = 60 VDC ， VBE = - 3.0 V直流）

发射基截止电流（ VEB = 3.0伏， IC = 0 ）

热复合是贝格斯公司的商标。

首选

设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。

V（ BR ） CEO

V（ BR ） CBO

V（ BR ） EBO

IBEX

ICEX

IEBO

°75°

6.0

—

°—°

—

100

VDC

NADC

1.装置安装在环氧树脂印刷线路板1.575英寸X 1.575英寸X 0.059英寸;安装焊盘的集电极引线分钟。 0.93平方英寸。

REV 2

摩托罗拉公司1996年

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

PZT2222AT1

电气特性 - 续

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

符号

民

最大

单位

开关特性（续）

集电极 - 基极截止电流

（ VCB = 60 VDC ， IE = 0 ）

（ VCB = 60 VDC ， IE = 0 ， TA = 125°C ）

ICBO

—

NADC

μAdc

基本特征

直流电流增益

（ IC = 0.1 MADC ， VCE = 10 V直流）

（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 V直流）

（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 V直流）

（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， TA = - 55 ° C）

（ IC = 150 MADC ， VCE = 10 V直流）

（ IC = 150 MADC ， VCE = 1.0 V直流）

（ IC = 500 MADC ， VCE = 10 V直流）

集电极 - 发射极饱和电压

（ IC = 150 MADC ， IB = 15 MADC ）

（ IC = 500 MADC ， IB = 50 MADC ）

基射极饱和电压

（ IC = 150 MADC ， IB = 15 MADC ）

（ IC = 500 MADC ， IB = 50 MADC ）

输入阻抗°

（ VCE = 10 VDC ， IC = 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

（ VCE = 10 VDC ， IC = 10 MADC ， F = 1.0千赫）

电压反馈比例

（ VCE = 10 VDC ， IC = 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

（ VCE = 10 VDC ， IC = 10 MADC ， F = 1.0千赫）

小信号电流增益

（ VCE = 10 VDC ， IC = 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

（ VCE = 10 VDC ， IC = 10 MADC ， F = 1.0千赫）

输出导纳°

（ VCE = 10 VDC ， IC = 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

（ VCE = 10 VDC ， IC = 10 MADC ， F = 1.0千赫）

噪声系数（ VCE = 10 VDC ， IC = 100

μAdc ，

F = 1.0千赫）

的hFE

100

VCE （ SAT ）

—

VBE （ SAT ）

0.6

—

°h

2.0

0.25

HRE

—

的hFE

°h

5.0

—

200

4.0

300

375

μmhos

8.0

1.25

—

8.0x10-4

4.0x10-4

—

1.2

2.0

0.3

1.0

VDC

—

300

—

VDC

—

动态特性

电流增益 - 带宽积

（ IC = 20 MADC ， VCE = 20伏， F = 100兆赫）

输出电容

（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）

输入电容

（ VEB = 0.5伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）

300

—

8.0

兆赫

开关时间

（ TA = 25°C ）

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

（ VCC = 30 V直流， IC = 150 MADC ，

IB （ ON） = 15 MADC ， VEB （关闭） = 0.5伏）

图1

（ VCC = 30 V直流， IC = 150 MADC ，

IB （ ON） = IB （关闭） = 15 MADC ）

图2

—

225

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

PZT2222AT1

90%

10%

D.U.T.

VCC

图1.输入波形和测试电路，用于确定延迟时间和上升时间

VI = - 0.5 V至9.9 V， VCC = 30 V， R1 = 619

R2 = 200

脉冲发生器：

脉冲持续时间

上升时间

占空比

≤

200纳秒

2纳秒

0.02

示波器：

输入阻抗

输入电容

上升时间

＆ GT ; 100千欧

＆ LT ;

12 pF的

＆ LT ;

5纳秒

+16.2 V

VCC

D.U.T.

示波器

100

VBB

时间

– 13.8 V

图2.输入波形和测试电路，用于确定存储时间和下降时间

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

PZT2222AT1

对于采用SOT- 223表面贴装封装信息

推荐的最低足迹表面安装应用程序

表面贴装电路板布局是总的关键部分

设计。占地面积为半导体封装必须

为保证适当的焊料连接的正确大小

0.15

3.8

0.079

2.0

电路板和封装之间的接口。与

正确的垫几何，包会自我调整的时候

经受回流焊接工艺。

0.091

2.3

0.079

2.0

0.059

1.5

0.059

1.5

0.091

2.3

0.248

6.3

0.059

1.5

英寸

SOT-223

SOT- 223功耗

采用SOT -223的功耗的功能

焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化

焊接到给出的最大功耗垫的尺寸。

功耗用于表面贴装器件，确定

由TJ （最大值）的最大额定结温

死，R

θJA

从器件结的热阻

环境，以及工作温度TA 。使用

所提供的数据手册SOT- 223封装的价值观，

PD可以计算如下：

PD =

TJ（MAX） - TA

θJA

消耗几乎可以用这种方法增加了一倍，面积为

在印刷电路板，它可以战胜溶于

采用表面贴装目的的技术。为R的曲线图

θJA

对收集垫区示于图3 。

160

RJ-A ，热阻，结

到环境（ C / W ）

板材料= 0.0625 “

G- 10 / FR - 4 ; 2盎司纯铜

0.8瓦

TA = 25°C

140

120

1.25瓦*

1.5瓦

该方程的值被发现的最大

评级表上的数据表。这些值代入

该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以

计算在此所述装置的功率耗散

情况下为1.5瓦。

PD = 150 °C - 25 ° C = 1.5瓦特

83.3°C/W

为SOT- 223封装的83.3 ° C / W假设使用

玻璃环氧印刷电路上推荐的足迹

板实现为1.5瓦的功耗。有

其他的替代品，从实现更高的功率耗散

采用SOT - 223封装。之一是增加的面积

收集垫。通过增加收集垫的区域中，所述

功率消耗可以增加。虽然动力

100

*安装的DPAK足迹

0.2

0.4

0.6

A，面积（平方英寸）

0.8

1.0

0.0

图3.热阻与收藏家

为SOT- 223封装焊盘面积（典型值）

另一种替代方法是使用陶瓷基板或

铝核心板，如热复合。利用

板的材料，例如热复合，铝芯

板，所述功率耗散可以使用相同的一倍

足迹。

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

PZT2222AT1

焊膏丝网指南

在此之前将表面贴装元件在印刷

电路板中，焊料膏必须施加到焊盘上。一

焊料模版，需要筛选的最佳量

焊膏到足迹。该模板由黄铜制成

或不锈钢带0.008英寸的典型厚度。

为SOT- 223封装的模板开孔尺寸应该是

相同的焊盘尺寸的印刷电路板，即，一个

1 ： 1的注册。

焊接注意事项

焊料的熔融温度比额定高

温度的装置。当整个装置被加热

到很高的温度，不内完成焊接

短的时间内可能会导致器件失效。因此，该

下列项目应始终以观察到

最小化的热应力，以使设备

受。

总是预热装置。

预热之间的温度增量

焊接应为100 ℃或更低。 *

在预热和焊接，对温度

引线和外壳必须不超过最大

温度额定值上所示的数据表。当

采用红外加热与回流焊接方法，

的差值应该是最多10 ℃。

焊接温度和时间应不超过

260 ℃下进行10秒以上。

当从预热焊接移位时，

最大温度梯度为5 ℃或更小。

焊接完成后，该设备应

可以使其自然冷却至少三分钟。

逐渐冷却应作为采用强制

冷却将增加的温度梯度，从而导致

在潜失效由于机械应力。

机械应力或冲击不应在被应用

冷却

*进行焊接装置无需预热可导致过度

热冲击和应力，这可能导致损坏

装置。

典型焊加热曲线

对于任何给定的电路板，将有一组控制

设置值，将得到所需的加热方式。运营商

必须设置温度为几个加热区，和一个

数字皮带速度。两者合计，这些控制设置

补热“轮廓”为特定的电路板。

上由一台计算机，该计算机控制的机器

从一个工作会议上的记住这些配置文件

下一个。图4显示了一个典型的加热曲线时使用

焊接的表面贴装器件的印刷电路板。

此配置文件将焊接系统各不相同，但它是一个很好的

出发点。能够影响信息的因素包括

焊接系统的使用中，密度和类型的类型

电路板上元器件，焊料类型使用，且类型

板或基板材料的使用。该图显示

温度与时间的关系。图上的线表示

第1步

预热

1区

“ RAMP ”

200°C

第2步

STEP 3

VENT

加热

「浸泡」地带2及五

“ RAMP ”

所需的曲线用于高

MASS ASSEMBLIES

150°C

100°C

所需的曲线FOR LOW

MASS ASSEMBLIES

50°C

140°C

可能会遇到的表面上的实际温度

的试验板在或靠近中央的焊点。两

配置文件基于高密度和低密度板。

该维多利绍德SMD310对流/红外回流焊

系统被用来生成此配置文件。焊料的种类

用的是62/36/2铅锡银与熔点

在177 -189 ℃。当这种类型的炉子是用于

回流焊工作时，电路板和焊点倾向于

先热。电路板上的组件，然后通过加热

传导。在电路板上，因为它有一个大的表面

面积，更有效地吸收的热能，然后

分配的能量，以该组件。因为这

效果，一个组件的所述主体可以是最多30个

度比相邻焊点冷却。

步骤5

STEP 6 STEP 7

第4步

加热

VENT冷却

加热

开发区4和7

开发区3及6

205 °

“秒杀”

“浸泡”

219°C

170°C

高峰

SOLDER

160°C

联合

焊料液

40至80秒

（根据

装配质量）

时间（ 37分钟总）

TMAX

图4.典型的焊接暖气简介