飞利浦半导体
产品speci fi cation
互补增强模式
MOS晶体管
特点
高速开关
无二次击穿。
应用
在电话机通用线路接口
继电器，高速和线路变压器驱动程序。
描述
一个N沟道和一个P沟道增强型
MOS管采用8引脚塑料SOT96-1 （ SO8 ）
封装。
小心
该器件采用防静电包装中提供。
栅源输入必须加以保护，防止静电
运输或装卸过程中排出。
8
PHC2300
钉扎 - SOT96-1 （ SO8 ）
针
1
2
3
4
5
6
7
8
符号
s
1
g
1
s
2
g
2
d
2
d
2
d
1
d
1
描述
源1
门1
源2
门2
排水2
排水2
排水1
排水1
手册， halfpage
d1 d1
5
d2 d2
1
4
s1
g1
s2
g2
MAM118
Fig.1简化外形和符号。
快速参考数据
符号
每FET
V
DS
漏极 - 源极电压（直流）
N沟道
P沟道
V
GS
V
gsth
栅极 - 源极电压（直流）
门源阈值电压
N沟道
P沟道
I
D
漏电流（ DC ）
N沟道
P沟道
R
DSON
漏源导通电阻
N沟道
P沟道
P
合计
总功耗
V
GS
= 10 V ;我
D
= 170毫安
V
GS
=
10
V ;我
D
=
115
mA
T
s
= 80
°C
8
17
1.6
W
V
DS
= V
GS ;
I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
; I
D
=
1
mA
T
s
= 80
°C
340
235
mA
mA
0.8
0.8
2
2
300
300
±20
V
V
V
V
V
V
参数
条件
分钟。
马克斯。
单位
1997年10月24日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
互补增强模式
MOS晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
每FET
V
DS
漏极 - 源极电压（直流）
N沟道
P沟道
V
GS
I
D
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
N沟道
P沟道
I
DM
峰值漏极电流
N沟道
P沟道
P
合计
总功耗
T
s
= 80
°C;
注3
T
AMB
= 25
°C;
注4
T
AMB
= 25
°C;
注5
T
AMB
= 25
°C;
注6
T
英镑
T
j
笔记
1. T
s
是在漏极引线的焊接点的温度。
2.脉冲宽度和占空比限制的最高结温。
储存温度
工作结温
注2
55
55
T
s
= 80
°C;
注1
参数
条件
分钟。
PHC2300
马克斯。
单位
300
300
±20
340
235
1.4
0.9
1.6
1.8
0.9
1.2
+150
+150
V
V
V
mA
mA
A
A
W
W
W
W
°C
°C
每个MOS晶体管3.最大允许耗散。 （因此，这两个设备可以被装载到1.6瓦，在同一时间）。
每个MOS晶体管4最大允许耗散。根据印刷电路板用的R值
TH A- TP
（环境
为配合点27.5 K / W ） 。
每个MOS晶体管5.最大允许耗散。根据印刷电路板用的R值
TH A- TP
（环境
为配合点90 K / W ） 。
如果只有一个MOS晶体管的功耗6.最大允许耗散。基于与一印刷电路板的值
的R
TH A- TP
（环境，以配合点） 90 K / W 。
1997年10月24日
3
