P10C68/P11C68
初步信息
1992年DS3600-1.2九月
P10C68/P11C68
（以前PNC10C68和PNC11C68
)
CMOS / SNOS NVSRAM
高性能为8K ×8非易失性静态RAM
（取代DS3159-1.3 ， DS3160-1.3 ， DS3234-1.1 ， DS3235-1.1 ）
该P10C68和P11C68是快速静态RAM （ 35和45
纳秒）与非易失性electically可擦除PROM（EEPROM）
细胞掺入在每个静态存储器单元。该SRAM可
进行读取和写入的次数不受限制，而
独立的非易失性数据驻留在PROM中。
在P10C68数据可以很容易地从被转印
SRAM到EEPROM （存储）和从EEPROM
使用NE （条）引脚SRAM中（ RECALL ） 。商店和
召回循环通过在软件的序列开始
P11C68 。这些设备结合了高性能和
易用性快速的SRAM与非数据完整性
波动性。
该P10C68和P11C68采用业界标准
采用28引脚，0.3英寸的塑料插脚引线用于非易失性RAM和
陶瓷双列直插式封装。
NE
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
ss
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
W
NC
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
特点
I
非易失性数据完整性
I
10年的数据保留到EEPROM
I
为35ns ，并为45nS地址和芯片使能访问时间
I
为20ns和25ns的输出启用访问
I
无限的读取和写入SRAM
I
从EEPROM中无限循环回收
I
10
4
商店循环到EEPROM
I
自动恢复开机时
I
自动定时商店
I
硬件存储保护
I
单5V
±
10 ％的操作
I
可在标准包装28引脚0.3英寸DIL
塑料和陶瓷
I
商用和工业温度范围
订购信息
（见背页）
图1.引脚连接 - 顶视图。
引脚名称
A
0
- A
12
W
DQ
0
- DQ
7
E
G
V
CC
V
SS
销1
NE
PIN 1 N / C
功能
地址输入
写使能
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源（+ 5V）的
地
非挥发性能P10C68
无连接
P11C68
1
P10C68/P11C68
绝对最大额定值
典型输入电压
相对于Vss
在DQ0-7和G （巴）电压
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
-0.6V至7.0V
-0.5V至（ VCC + 0.5V ）
-55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
1W
15mA
记
应力大于在绝对列出
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些压力额定值只;的功能操作
该装置在任何其它条件下比在表示
规范的业务部门是不是暗示。
长期在绝对最大额定值条件
长时间会影响其可靠性。
（一次一个输出，一秒的持续时间）
直流工作条件
参数
符号
分钟。
电源电压
输入逻辑'1'的电压
输入逻辑“0”电压
工作环境温度
广告
产业
V
CC
V
IH
V
IL
T
AMB
T
AMB
价值
典型值。
5.0
2.2
V
SS
-0.5
0
-40
V
CC
+0.5
0.8
+70
+85
马克斯。
V
V
V
o
o
单位
条件
所有的输入
所有的输入
C
C
DC电气特性
商业级温度范围
测试条件（除非另有说明） ：
TAMB = 0 ° C至70 ° C， VCC = 5V + （见注1 ， 2和3 ）
特征
符号
分钟。
平均供电
当前
平均供电电流
在STORE周期
平均供电电流
（待机，骑自行车TTL电平输入）
I
CC1
I
CC2
I
SB1
价值
马克斯。
75
65
50
mA
mA
mA
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
所有输入在V
IN
≤
0.2V
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
E（巴）
≥V
IH
所有其它输入
循环
E（巴） ≥ （V
CC
-0.2V ） ，所有其他
输入在V
IN
≤0.2V
or
≥(V
CC
-
0.2V)
V
CC
=最大，V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大，V
IN
= V
SS
到V
CC
I
OUT
= 4毫安
I
OUT
= 8毫安
单位
条件
23
20
mA
mA
平均供电电流
（待机，稳定的CMOS输入电平）
I
SB2
1
mA
输入漏电流（任何输入）
关机状态下输出漏电流
输出逻辑“1”的电压
输出电压0电压
I
ILK
I
OLK
V
OH
V
OL
±1
±5
2.4
0.4
A
A
V
V
笔记
1.
I
CC1
依赖于输出负载和循环率。指定的值与空载输出获得。
2.
把E（巴）
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。看
模式选择表。
3.
I
CC2
需要对STORE周期的持续时间（吨的平均电流
商店
）发起的后序
周期。
3
P10C68/P11C68
工业温度范围
测试条件（除非另有说明） ：
环境温度Tamb = -40°C至70°C ， VCC = 5V +
±
10 ％ （见注4 ， 5和6）
特征
符号
分钟。
平均供电
当前
平均供电电流
在STORE周期
平均供电电流
（待机，骑自行车TTL电平输入）
I
CC1
I
CC2
I
SB1
价值
马克斯。
80
75
50
mA
mA
mA
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
所有输入在V
IN
≤
0.2V
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
E（巴）
≥V
IH
所有其它输入
循环
E（巴） ≥ （V
CC
-0.2V ） ，所有其他
输入在V
IN
≤0.2V
or
≥(V
CC
-
0.2V)
V
CC
=最大，V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大，V
IN
= V
SS
到V
CC
I
OUT
= 4毫安
I
OUT
= 8毫安
单位
条件
27
23
mA
mA
平均供电电流
（待机，稳定的CMOS输入电平）
I
SB2
1
mA
输入漏电流（任何输入）
关机状态下输出漏电流
输出逻辑“1”的电压
输出电压0电压
I
ILK
I
OLK
V
OH
V
OL
±1
±5
2.4
0.4
A
A
V
V
笔记
4.
I
CC1
依赖于输出负载和循环率。指定的值与空载输出获得。
5.
把E（巴）
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。看
模式选择表。
6.
I
CC2
需要对STORE周期的持续时间（吨的平均电流
商店
）发起的后序
周期。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
V
SS
到3V
≤5ns
1.5V
见图3
5.0V
480欧姆
电容
T
AMB
= 25 ° C，F = 1.0MHz的（见注7 ）
参数
输入电容
输出电容
符号
C
IN
C
OUT
MAX 。单位
5
7
pF
pF
条件
V=0
到3V
V=0
到3V
产量
255
欧
30p
INCLUDING
范围和
灯具
记
7.这些参数为特征，但不是100 ％测试。
图3. AC输出负载。
4
P10C68/P11C68
SRAM存储器操作
测试条件（除非另有说明） ：
商用和工业温度范围
环境温度Tamb = -40 ° C至+ 85°C ， VCC = 5V +
±
10%
读周期1和2
（见注8 ）
符号
标准
t
ELQV
t
AVAV
t
AVQV
t
GLQV
t
AXQX
t
ELQX
t
EHQZ
t
GLQX
t
GHQZ
t
ELICCH
t
EHICCL
t
WHQV
另类
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
OHZ
t
OLZ
t
HZ
t
PA
t
PS
t
WR
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
Outout禁用输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
写恢复时间
P10C68-35
P11C68-35
分钟。
马克斯。
35
35
35
20
5
5
20
0
15
0
25
45
0
25
55
0
20
5
5
25
45
45
25
P10C68-45
P11C68-45
马克斯。
分钟。
45
参数
单位
笔记
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
9
10
11
11
12
12
笔记
8.
E（条） ，G （巴）和W （巴）必须对VIH （MIN）的VIH （MIN）以VIL（MAX ） ，或VIL （最大）之间的过渡
单调的时装。网元（巴）必须
≥
在整个周期VIH 。
9.
对于读周期1和2中，W （巴）和NE （巴）必须要高为整个循环。
10.
设备不断选择与E（条）低，且G（巴）低。
11.
测
±200mV
从稳态输出电压。负载电容在5pF 。
12.
参数的保证，但未经测试。
t
AVAV
地址
t
AVQV
t
AXQX
DQ （ DATA OUT ）
数据有效
W
t
WHQV
图4.读周期1时序图（见注9和10） 。
5
