NM24C02 / 03 - 2K位标准2线总线接口的串行EEPROM
2000年2月
NM24C02 / 03 - 2K位标准2线总线
接口串行EEPROM
概述
该NM24C02 / 03器件是2048比特的CMOS非易失性的
电可擦除存储器。这些器件符合所有试样
在IIC标准2线协议fications ，其目的是
尽量减少器件的引脚数，并简化PC板布局要求一
求。
该NM24C03的存储器的上半部分（上部1Kbit的）可以是
写操作将WP引脚连接到V保护
CC
。本节
内存则除非WP切换为V成为不可改变
SS
.
该通信协议使用时钟（SCL ）和数据
I / O （ SDA）线到主控之间的同步时钟数据
（例如微处理器）和从EEPROM器件（多个） 。
标准的IIC协议允许的最大的16K
这是支持由仙童家庭EEPROM存储器
2K，4K， 8K， 16K和设备，允许用户配置
存储在应用程序需要以任意组合
EEPROM的。为了实施更高的EEPROM存储器
IIC总线上的密度，扩展IIC协议必须被使用。
（请参阅NM24C32或NM24C65数据表如需更多信息
息）。
仙童的EEPROM的设计和测试应用程序要求还
荷兰国际集团高耐久性，高可靠性和低功耗。
特点
I
扩展的工作电压为2.7V - 5.5V
I
400 kHz时钟频率（ F） ，在2.7V - 5.5V
I
200μA典型工作电流
10μA待机电流典型
1μA待机电流典型的（L ）
0.1μA待机电流典型（ LZ ）
I
IIC兼容接口
- 提供双向数据传输协议
I
施密特触发器输入
I
十六个字节页写模式
- 最大限度地降低每字节写入时间总
I
自定时写周期
6ms的典型写周期时间
I
硬件写保护的上半部分（仅NM24C03 ）
I
续航能力：100万数据的变化
I
数据保存40年以上
I
封装： 8引脚DIP ， 8引脚SO和8引脚TSSOP
I
提供三种温度范围
- 商业： 0 °至+ 70°C
- 扩展（ E） ： -40 °C至+ 85°C
- 汽车（ V） ： -40 °C至+ 125°C
框图
VCC
VSS
WP
H.V. GENERATION
时序&CONTROL
开始
停止
逻辑
控制
逻辑
从机地址
寄存器&
比较
E2PROM
ARRAY
SDA
SCL
XDEC
A2
A1
A0
字
地址
计数器
读/写
YDEC
CK
DIN
数据寄存器
DOUT
DS500069-1
1998仙童半导体公司
NM24C02 / 03修订版摹
1
www.fairchildsemi.com
NM24C02 / 03 - 2K位标准2线总线接口的串行EEPROM
连接图
双列直插式封装（N ） ， SO封装（ M8 ）和TSSOP封装（ MT8 ）
A0
A1
A2
VSS
1
2
NM24C02
3
4
6
5
SCL
SDA
DS500069-2
8
7
VCC
NC
见包装数N08E ， M08A和MTC08
引脚名称
A0,A1,A2
V
SS
SDA
SCL
NC
V
CC
器件地址输入
地
串行数据I / O
串行时钟输入
无连接
电源
双列直插式封装（N ） ， SO封装（ M8 ）和TSSOP封装（ MT8 ）
A0
A1
A2
VSS
1
2
NM24C03
3
4
6
5
SCL
SDA
DS500069-3
8
7
VCC
WP
见包装数N08E ， M08A和MTC08
引脚名称
A0,A1,A2
V
SS
SDA
SCL
WP
V
CC
器件地址输入
地
串行数据I / O
串行时钟输入
写保护
电源
2
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NM24C02 / 03 - 2K位标准2线总线接口的串行EEPROM
订购信息
NM
24
C
XX
F
LZ
E
XXX
包
信
N
M8
MT8
无
V
E
空白
L
LZ
描述
8引脚DIP
8引脚SOIC
8引脚TSSOP
0至70℃
-40至+ 125°C
-40至+ 85°C
4.5V至5.5V
2.7V至5.5V
2.7V至5.5V，
<1μA待机电流
100KHz
400KHz
2K
2K带写保护
CMOS技术
IIC
仙童非易失性
内存
TEMP 。 RANGE
工作电压范围
SCL时钟频率
空白
F
02
03
C
密度
接口
24
NM
3
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NM24C02 / 03 - 2K位标准2线总线接口的串行EEPROM
产品规格
绝对最大额定值
保存环境温度
所有的输入或输出电压
相对于地面
焊接温度
（焊接， 10秒）
ESD额定值
-65 ° C至+ 150°C
6.5V至-0.3V
+300°C
2000V分钟。
工作条件
工作环境温度
NM24C02/03
NM24C02E/03E
NM24C02V/03V
正电源。
NM24C02/03
NM24C02L/03L
NM24C02LZ/03LZ
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
4.5V至5.5V
2.7V至5.5V
2.7V至5.5V
直流电气特性（ 2.7V至5.5V ）
符号
参数
测试条件
民
I
CCA
I
SB
有源电源电流
待机电流
f
SCL
= 400千赫
f
SCL
= 100千赫
V
IN
= GND
或V
CC
V
CC
= 2.7V - 5.5V
V
CC
= 2.7V - 5.5V （ L）
V
CC
= 2.7V - 4.5V （LZ）
范围
典型值
（注1 ）
0.2
10
1
0.1
0.1
0.1
单位
最大
1.0
50
10
1
1
1
V
CC
x 0.3
V
CC
+ 0.5
0.4
mA
A
A
A
A
A
V
V
V
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
–0.3
V
CC
x 0.7
I
OL
= 3毫安
电容
T
A
= + 25 ° C，F = 100/400千赫，V
CC
= 5V
（注2 ）
符号
C
I / O
C
IN
TEST
输入/输出电容（ SDA ）
输入电容（ A0，A1 ，A2 ，SCL）
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
最大
8
6
单位
pF
pF
注1 ：
典型数值为T
A
= 25°C和5V电压的4.5V - 5.5V工作电压，并在3V为2.7V - 4.5V操作标称电源电压。
注2 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
4
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NM24C02 / 03 - 2K位标准2线总线接口的串行EEPROM
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
&输入输出时序水平
输出负载
V
CC
X 0.1 V
CC
x 0.9
10纳秒
V
CC
×0.3到V
CC
x 0.7
1 TTL门和C
L
= 100 pF的
AC测试输入/输出波形
0.9V
CC
0.1V
CC
0.7V
CC
0.3V
CC
DS500069-4
读取和写入周期限制（标准和低V
CC
范围2.7V - 5.5V ）
符号
f
SCL
T
I
参数
SCL时钟频率
噪声抑制时间常数
SCL ， SDA输入（最小V
IN
脉冲宽度）
SCL低到SDA数据输出有效
时间总线必须是自由前
一个新的传输开始
START条件保持时间
时钟低电平时间
时钟高电平时间
启动条件建立时间
（对于重复启动条件）
数据保持时间
数据建立时间
SDA和SCL上升时间
SDA和SCL下降时间
停止条件的建立时间
数据输出保持时间
写周期时间 - NM24C02 / 03
- NM24C02 / 03L ， NM24C02 / 03LZ
100千赫
民
最大
100
100
0.3
4.7
4.0
4.7
4.0
4.7
20
250
1
300
4.7
300
10
15
3.5
400千赫
民
最大
400
50
0.1
1.3
0.6
1.5
0.6
0.6
20
100
0.3
300
0.6
50
10
15
0.9
单位
千赫
ns
s
s
s
s
s
s
ns
ns
s
ns
s
ns
ms
t
AA
t
BUF
t
高清： STA
t
低
t
高
t
SU ： STA
t
高清： DAT
t
苏： DAT
t
R
t
F
t
苏： STO
t
DH
t
WR
（注3）
注3 ：
写周期时间（t
WR
）是指一个写序列内部擦除/编程周期结束时的一个有效停止的时间。在写周期中，
NM24C02 / 03总线接口电路都被禁止，允许SDA每个总线级的上拉电阻仍然很高，并且该设备不给其从地址作出响应。参考
"Write周期Timing"图。
总线时序
tF
大腿
为tLOW
SCL
为tLOW
tR
SDA
IN
SDA
OUT
;;
TSU： STA
THD： STA
THD： DAT
TSU： DAT
TSU： STO
TBUF
TDH
TAA
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2000年2月
NM24C02 / 03 - 2K位标准2线总线
接口串行EEPROM
概述
该NM24C02 / 03器件是2048比特的CMOS非易失性的
电可擦除存储器。这些器件符合所有试样
在IIC标准2线协议fications ，其目的是
尽量减少器件的引脚数，并简化PC板布局要求一
求。
该NM24C03的存储器的上半部分（上部1Kbit的）可以是
写操作将WP引脚连接到V保护
CC
。本节
内存则除非WP切换为V成为不可改变
SS
.
该通信协议使用时钟（SCL ）和数据
I / O （ SDA）线到主控之间的同步时钟数据
（例如微处理器）和从EEPROM器件（多个） 。
标准的IIC协议允许的最大的16K
这是支持由仙童家庭EEPROM存储器
2K，4K， 8K， 16K和设备，允许用户配置
存储在应用程序需要以任意组合
EEPROM的。为了实施更高的EEPROM存储器
IIC总线上的密度，扩展IIC协议必须被使用。
（请参阅NM24C32或NM24C65数据表如需更多信息
息）。
仙童的EEPROM的设计和测试应用程序要求还
荷兰国际集团高耐久性，高可靠性和低功耗。
特点
I
扩展的工作电压为2.7V - 5.5V
I
400 kHz时钟频率（ F） ，在2.7V - 5.5V
I
200μA典型工作电流
10μA待机电流典型
1μA待机电流典型的（L ）
0.1μA待机电流典型（ LZ ）
I
IIC兼容接口
- 提供双向数据传输协议
I
施密特触发器输入
I
十六个字节页写模式
- 最大限度地降低每字节写入时间总
I
自定时写周期
6ms的典型写周期时间
I
硬件写保护的上半部分（仅NM24C03 ）
I
续航能力：100万数据的变化
I
数据保存40年以上
I
封装： 8引脚DIP ， 8引脚SO和8引脚TSSOP
I
提供三种温度范围
- 商业： 0 °至+ 70°C
- 扩展（ E） ： -40 °C至+ 85°C
- 汽车（ V） ： -40 °C至+ 125°C
框图
VCC
VSS
WP
H.V. GENERATION
时序&CONTROL
开始
停止
逻辑
控制
逻辑
从机地址
寄存器&
比较
E2PROM
ARRAY
SDA
SCL
XDEC
A2
A1
A0
字
地址
计数器
读/写
YDEC
CK
DIN
数据寄存器
DOUT
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1
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连接图
双列直插式封装（N ） ， SO封装（ M8 ）和TSSOP封装（ MT8 ）
A0
A1
A2
VSS
1
2
NM24C02
3
4
6
5
SCL
SDA
DS500069-2
8
7
VCC
NC
见包装数N08E ， M08A和MTC08
引脚名称
A0,A1,A2
V
SS
SDA
SCL
NC
V
CC
器件地址输入
地
串行数据I / O
串行时钟输入
无连接
电源
双列直插式封装（N ） ， SO封装（ M8 ）和TSSOP封装（ MT8 ）
A0
A1
A2
VSS
1
2
NM24C03
3
4
6
5
SCL
SDA
DS500069-3
8
7
VCC
WP
见包装数N08E ， M08A和MTC08
引脚名称
A0,A1,A2
V
SS
SDA
SCL
WP
V
CC
器件地址输入
地
串行数据I / O
串行时钟输入
写保护
电源
2
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订购信息
NM
24
C
XX
F
LZ
E
XXX
包
信
N
M8
MT8
无
V
E
空白
L
LZ
描述
8引脚DIP
8引脚SOIC
8引脚TSSOP
0至70℃
-40至+ 125°C
-40至+ 85°C
4.5V至5.5V
2.7V至5.5V
2.7V至5.5V，
<1μA待机电流
100KHz
400KHz
2K
2K带写保护
CMOS技术
IIC
仙童非易失性
内存
TEMP 。 RANGE
工作电压范围
SCL时钟频率
空白
F
02
03
C
密度
接口
24
NM
3
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产品规格
绝对最大额定值
保存环境温度
所有的输入或输出电压
相对于地面
焊接温度
（焊接， 10秒）
ESD额定值
-65 ° C至+ 150°C
6.5V至-0.3V
+300°C
2000V分钟。
工作条件
工作环境温度
NM24C02/03
NM24C02E/03E
NM24C02V/03V
正电源。
NM24C02/03
NM24C02L/03L
NM24C02LZ/03LZ
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
4.5V至5.5V
2.7V至5.5V
2.7V至5.5V
直流电气特性（ 2.7V至5.5V ）
符号
参数
测试条件
民
I
CCA
I
SB
有源电源电流
待机电流
f
SCL
= 400千赫
f
SCL
= 100千赫
V
IN
= GND
或V
CC
V
CC
= 2.7V - 5.5V
V
CC
= 2.7V - 5.5V （ L）
V
CC
= 2.7V - 4.5V （LZ）
范围
典型值
（注1 ）
0.2
10
1
0.1
0.1
0.1
单位
最大
1.0
50
10
1
1
1
V
CC
x 0.3
V
CC
+ 0.5
0.4
mA
A
A
A
A
A
V
V
V
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
–0.3
V
CC
x 0.7
I
OL
= 3毫安
电容
T
A
= + 25 ° C，F = 100/400千赫，V
CC
= 5V
（注2 ）
符号
C
I / O
C
IN
TEST
输入/输出电容（ SDA ）
输入电容（ A0，A1 ，A2 ，SCL）
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
最大
8
6
单位
pF
pF
注1 ：
典型数值为T
A
= 25°C和5V电压的4.5V - 5.5V工作电压，并在3V为2.7V - 4.5V操作标称电源电压。
注2 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
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AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
&输入输出时序水平
输出负载
V
CC
X 0.1 V
CC
x 0.9
10纳秒
V
CC
×0.3到V
CC
x 0.7
1 TTL门和C
L
= 100 pF的
AC测试输入/输出波形
0.9V
CC
0.1V
CC
0.7V
CC
0.3V
CC
DS500069-4
读取和写入周期限制（标准和低V
CC
范围2.7V - 5.5V ）
符号
f
SCL
T
I
参数
SCL时钟频率
噪声抑制时间常数
SCL ， SDA输入（最小V
IN
脉冲宽度）
SCL低到SDA数据输出有效
时间总线必须是自由前
一个新的传输开始
START条件保持时间
时钟低电平时间
时钟高电平时间
启动条件建立时间
（对于重复启动条件）
数据保持时间
数据建立时间
SDA和SCL上升时间
SDA和SCL下降时间
停止条件的建立时间
数据输出保持时间
写周期时间 - NM24C02 / 03
- NM24C02 / 03L ， NM24C02 / 03LZ
100千赫
民
最大
100
100
0.3
4.7
4.0
4.7
4.0
4.7
20
250
1
300
4.7
300
10
15
3.5
400千赫
民
最大
400
50
0.1
1.3
0.6
1.5
0.6
0.6
20
100
0.3
300
0.6
50
10
15
0.9
单位
千赫
ns
s
s
s
s
s
s
ns
ns
s
ns
s
ns
ms
t
AA
t
BUF
t
高清： STA
t
低
t
高
t
SU ： STA
t
高清： DAT
t
苏： DAT
t
R
t
F
t
苏： STO
t
DH
t
WR
（注3）
注3 ：
写周期时间（t
WR
）是指一个写序列内部擦除/编程周期结束时的一个有效停止的时间。在写周期中，
NM24C02 / 03总线接口电路都被禁止，允许SDA每个总线级的上拉电阻仍然很高，并且该设备不给其从地址作出响应。参考
"Write周期Timing"图。
总线时序
tF
大腿
为tLOW
SCL
为tLOW
tR
SDA
IN
SDA
OUT
;;
TSU： STA
THD： STA
THD： DAT
TSU： DAT
TSU： STO
TBUF
TDH
TAA
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