MX27L256
特点
256K - BIT [ 32Kx8 ]低电压工作
CMOS EPROM
完全兼容TTL
工作电流: 10毫安@ 3.6V , 5MHz的
套餐类型:
- 28引脚塑料DIP
- 32引脚PLCC
- 28引脚8× 13.4毫米TSOP ( I)
32K ×8的组织
宽电压范围, 2.7V至3.6V DC
+ 12.5V电压编程
快速访问时间: 120/150/200/250 NS
完全静态的操作
概述
该MX27L256是256K位,紫外线可擦除亲
可编程只读存储器。它是作为32K
由8位,采用单+ 3volt供应,有
静态待机模式和功能快单一地址
位置编程。所有的编程信号是TTL
水平,因此需要一个单脉冲。从编程
系统外,现有的EPROM编程器
可被使用。该MX27L256支持智能快
编程算法可以导致编程
的不到十秒钟的时间明。
这EPROM包装行业标准28针
双列直插式封装, 32引脚PLCC和28引
TSOP (I)的包。
销刀豆网络gurations
PDIP
VPP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
框图
VCC
CE
OE
控制
逻辑
产量
缓冲器
PLCC
VPP
A12
A14
A13
4
NC
A7
Q0~Q7
1
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
Q0
5
32
30
29
A8
A9
A11
NC
A0~A14
地址
输入
.
.
.
.
.
.
.
.
y解码器
.
.
.
.
.
.
.
.
Y选择
MX27L256
9
MX27L256
25
OE
A10
CE
Q7
X解码器
256K位
CELL
MAXTRIX
13
14
Q1
Q2
GND
17
Q3
Q4
NC
21
20
Q5
Q6
VCC
GND
VPP
8× 13.4毫米28 -TSOP (I)的
OE
A11
A9
A8
A13
A14
VCC
VPP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
GND
Q2
Q1
Q0
A0
A1
A2
引脚说明
符号
A0~A14
Q0~Q7
CE
OE
VPP
NC
VCC
GND
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
项目电源电压
无内部连接
电源引脚
接地引脚
MX27L256
P / N : PM0248
REV 。 3.3 ,九月19 , 2001年
1
MX27L256
功能说明
THE MX27L256编程
当MX27L256被递送,或者它被擦除时,该
芯片具有全256K位的"ONE"或HIGH状态。
"ZEROs"装入MX27L256通过
编程的过程。
用于编程,要被编程的数据被应用于
以8位并行数据引脚。
VCC必须同时应用或Vpp的面前,
同时或Vpp的后取出。当
编程的MXIC EPROM ,一个0.1uF的电容
跨VPP与地面压制寄生要求
电压瞬变可能会损坏设备。
AUTO IDENTIFY模式
自动识别模式允许读出一个二进制的
从EPROM ,将确定其制造商代码
和设备类型。此模式适用于使用由
编程设备为目的
自动匹配的设备进行编程
与其相应的规划算法。这
模式功能,在25℃
±
5 °C的环境
编程时所需要的温度范围内
该MX27L256 。
以激活此模式中,编程设备
必须强制12.0
±
0.5 (V H)上的地址线A9
装置。两个标识符字节可接着进行测序
从切换地址线A0器件输出从
VIL至VIH 。所有其他地址线必须在VIL举行
在自动识别模式。
字节0 ( A0 = VIL )代表的制造商代码,
和字节1( A0 = VIH)时,设备标识符的代码。对于
MX27L256 ,这两个标识符字节被在给定的
模式选择表。所有identi连接器的制造商,
设备代码将拥有奇校验,与MSB ( Q7 )
定义为奇偶校验位。
快速编程
该设备是建立在快速的编程模式时,
编程电压VPP = 12.75V被施加,以
VCC = 6.25 V和OE = VIH (算法显示在
图1)。编程是通过将实现
单TTL低电平100us的脉冲到CE输入后,
地址和数据线是稳定的。如果该数据是不
已验证,附加脉冲被施加了最大的
25个脉冲。这个过程被重复,而测序
通过该装置的每一个地址。当
编程模式完成后,所有的地址数据
是在VCC = VPP = 5V核实
±
10%.
读取模式
该MX27L256具有两个控制功能,这两者
必须在逻辑SATIS音响编,以便获得在所述数据
输出。芯片使能( CE )是功率控制和
应该用于设备的选择。输出使能
(OE )是输出控制,并应被用于栅
数据到输出引脚,独立的设备的选择。
假设地址是稳定的,地址访问
时间( TACC )等于从CE中的延迟输出(TCE) 。
数据可在输出脚趾下降沿后
OE中,假设CE一直偏低和地址
一直保持稳定至少TACC - 脚趾。
编程禁止模式
多个MX27L256s平行的编程
不同的数据也很容易通过使用实现
禁止编程模式。除了CE和OE ,都喜欢
平行MX27L256的输入可以是共同的。一
TTL低电平编程脉冲施加到一个MX27L256
CE输入与VPP = 12.5
±
0.5 V和OE高会
程序MX27L256 。一个高层次的CE输入抑制
从其他MX27L256s被编程。
待机模式
该MX27L256具有CMOS待机模式,
降低到10微安的最大VCC电流。它被放置
在CMOS待机状态时, CE是在VCC
±
0.3五,
MX27L 256还具有一个TTL待机模式,该模式
降低最大VCC电流0.25毫安。这是
摆在TTL待机时, CE是VIH 。当
待机模式下,输出处于高阻抗
国家,独立于OE输入。
程序校验模式
验证应在执行编程
位,以确定他们是正确编程。
核查应符合CE和OE执行
在VIL和VPP在其编程电压。
P / N : PM0248
2
REV.3.3 ,九月19 , 2001年
MX27L256
两线输出控制功能
为了适应多种存储连接,一两
行控制功能提供了允许:
1.低内存功耗,
2.保证输出的总线争用会不会
发生。
因此建议的CE进行解码,并用作
主要设备选择功能,而OE做出一个
在阵列中的所有设备共同连接,并
连接到所述读取线从系统控制总线。
这保证了所有选择的存储设备是在
其低功耗待机模式,而输出引脚
只有当数据从一个特定的所需活性
存储器设备。
系统注意事项
在主备之间的切换
的条件下,瞬态电流峰值上产生的
芯片的上升沿和下降沿启动。大小
这些瞬态电流峰值是依赖于
输出电容负载的装置。在最低限度,
一个0.1微法陶瓷电容器(高频率,低固有
电感)应之间的每个设备上使用
VCC和GND ,以尽量减少瞬态效应。此外,
以克服由所述感应的电压降
在EPROM中的印刷电路板迹线的影响
数组,一个4.7 uF的大容量电解电容应该是
使用Vcc和GND之间的每个八台设备。该
电容器的位置应靠近那里的
电源被连接到所述阵列。
模式选择表
引脚
模式
读
输出禁用
待机( TTL)的
待机(CMOS)
节目
程序校验
禁止程序
制造商代码( 3 )
设备代码( 3 )
CE
VIL
VIL
VIH
VCC±0.3V
VIL
VIH
VIH
VIL
VIL
OE
VIL
VIH
X
X
VIH
VIL
VIH
VIL
VIL
A0
X
X
X
X
X
X
X
VIL
VIH
A9
X
X
X
X
X
X
X
VH
VH
VPP
VCC
VCC
VCC
VCC
VPP
VPP
VPP
VCC
VCC
输出
DOUT
高Z
高Z
高Z
DIN
DOUT
高Z
C2H
10H
注意事项:
1. VH = 12.0 V
±
0.5 V
2. X =要么VIH或VIL
3. A1 - A8 = A10 - A14 = VIL (对于自动选择)
4.在查看DC编程特性的电压VPP
编程。
P / N : PM0248
3
REV.3.3 ,九月19 , 2001年
MX27L256
开合试验电路
设备
下
TEST
1.8K欧姆
+5V
CL
6.2K欧姆
二极管= IN3064
或同等学历
CL = 100 pF包括夹具电容
切换测试波形
2.0V
AC驾驶水平
2.0V
测试点
0.8V
产量
0.8V
输入
AC测试: AC驾驶水平2.4V / 0.4V两种商业级和工业级。
输入脉冲的上升和下降时间为20ns < 。
P / N : PM0248
5
REV.3.3 ,九月19 , 2001年
MX27L256
特点
256K - BIT [ 32Kx8 ]低电压工作
CMOS EPROM
完全兼容TTL
工作电流: 10毫安@ 3.6V , 5MHz的
套餐类型:
- 28引脚塑料DIP
- 32引脚PLCC
- 28引脚8× 13.4毫米TSOP ( I)
32K ×8的组织
宽电压范围, 2.7V至3.6V DC
+ 12.5V电压编程
快速访问时间: 120/150/200/250 NS
完全静态的操作
概述
该MX27L256是256K位,一次可编程
只读存储器。它是作为32K ×8位,
从单一的+ 3volt电源供电,具有静态
待机模式,并具有快速单地址位置
编程。所有的编程信号是TTL电平,
需要单个脉冲。用于从外部编程
系统,现有的EPROM编程器可
使用。该MX27L256支持智能快速编程
明的算法可导致编程时间
不到十秒钟。
这EPROM包装行业标准28针
双列直插式封装, 32引脚PLCC和28引
TSOP (I)的包。
销刀豆网络gurations
PDIP
VPP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
框图
VCC
CE
OE
控制
逻辑
产量
缓冲器
PLCC
VPP
A12
A14
A13
4
NC
A7
Q0~Q7
1
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
Q0
5
32
30
29
A8
A9
A11
NC
A0~A14
地址
输入
.
.
.
.
.
.
.
.
y解码器
.
.
.
.
.
.
.
.
Y选择
MX27L256
9
MX27L256
25
OE
A10
CE
Q7
X解码器
256K位
CELL
MAXTRIX
13
14
Q1
Q2
GND
17
Q3
Q4
NC
21
20
Q5
Q6
VCC
GND
VPP
8× 13.4毫米28 -TSOP (I)的
OE
A11
A9
A8
A13
A14
VCC
VPP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
GND
Q2
Q1
Q0
A0
A1
A2
引脚说明
符号
A0~A14
Q0~Q7
CE
OE
VPP
NC
VCC
GND
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
项目电源电压
无内部连接
电源引脚
接地引脚
MX27L256
P / N : PM0248
REV 。 3.6 ,八月26 , 2003
1
MX27L256
功能说明
THE MX27L256编程
当MX27L256被递送,或者它被擦除时,该
芯片具有全256K位的"ONE"或HIGH状态。
"ZEROs"装入MX27L256通过
编程的过程。
用于编程,要被编程的数据被应用于
以8位并行数据引脚。
VCC必须同时应用或Vpp的面前,
同时或Vpp的后取出。当
编程的MXIC EPROM ,一个0.1uF的电容
跨VPP与地面压制寄生要求
电压瞬变可能会损坏设备。
AUTO IDENTIFY模式
自动识别模式允许读出一个二进制的
从EPROM ,将确定其制造商代码
和设备类型。此模式适用于使用由
编程设备为目的
自动匹配的设备进行编程
与其相应的规划算法。这
模式功能,在25℃
±
5 °C的环境
编程时所需要的温度范围内
该MX27L256 。
以激活此模式中,编程设备
必须强制12.0
±
0.5 (V H)上的地址线A9
装置。两个标识符字节可接着进行测序
从切换地址线A0器件输出从
VIL至VIH 。所有其他地址线必须在VIL举行
在自动识别模式。
字节0 ( A0 = VIL )代表的制造商代码,
和字节1( A0 = VIH)时,设备标识符的代码。对于
MX27L256 ,这两个标识符字节被在给定的
模式选择表。所有identi连接器的制造商,
设备代码将拥有奇校验,与MSB ( Q7 )
定义为奇偶校验位。
快速编程
该设备是建立在快速的编程模式时,
编程电压VPP = 12.75V被施加,以
VCC = 6.25 V和OE = VIH (算法显示在
图1)。编程是通过将实现
单TTL低电平100us的脉冲到CE输入后,
地址和数据线是稳定的。如果该数据是不
已验证,附加脉冲被施加了最大的
25个脉冲。这个过程被重复,而测序
通过该装置的每一个地址。当
编程模式完成后,所有的地址数据
是在VCC = VPP = 5V核实
±
10%.
读取模式
该MX27L256具有两个控制功能,这两者
必须在逻辑SATIS音响编,以便获得在所述数据
输出。芯片使能( CE )是功率控制和
应该用于设备的选择。输出使能
(OE )是输出控制,并应被用于栅
数据到输出引脚,独立的设备的选择。
假设地址是稳定的,地址访问
时间( TACC )等于从CE中的延迟输出(TCE) 。
数据可在输出脚趾下降沿后
OE中,假设CE一直偏低和地址
一直保持稳定至少TACC - 脚趾。
编程禁止模式
多个MX27L256s平行的编程
不同的数据也很容易通过使用实现
禁止编程模式。除了CE和OE ,都喜欢
平行MX27L256的输入可以是共同的。一
TTL低电平编程脉冲施加到一个MX27L256
CE输入与VPP = 12.5
±
0.5 V和OE高会
程序MX27L256 。一个高层次的CE输入抑制
从其他MX27L256s被编程。
待机模式
该MX27L256具有CMOS待机模式,
降低到10微安的最大VCC电流。它被放置
在CMOS待机状态时, CE是在VCC
±
0.3五,
MX27L 256还具有一个TTL待机模式,该模式
降低最大VCC电流0.25毫安。这是
摆在TTL待机时, CE是VIH 。当
待机模式下,输出处于高阻抗
国家,独立于OE输入。
程序校验模式
验证应在执行编程
位,以确定他们是正确编程。
核查应符合CE和OE执行
在VIL和VPP在其编程电压。
P / N : PM0248
2
REV.3.6 ,八月26 , 2003
MX27L256
两线输出控制功能
为了适应多种存储连接,一两
行控制功能提供了允许:
1.低内存功耗,
2.保证输出的总线争用会不会
发生。
因此建议的CE进行解码,并用作
主要设备选择功能,而OE做出一个
在阵列中的所有设备共同连接,并
连接到所述读取线从系统控制总线。
这保证了所有选择的存储设备是在
其低功耗待机模式,而输出引脚
只有当数据从一个特定的所需活性
存储器设备。
系统注意事项
在主备之间的切换
的条件下,瞬态电流峰值上产生的
芯片的上升沿和下降沿启动。大小
这些瞬态电流峰值是依赖于
输出电容负载的装置。在最低限度,
一个0.1微法陶瓷电容器(高频率,低固有
电感)应之间的每个设备上使用
VCC和GND ,以尽量减少瞬态效应。此外,
以克服由所述感应的电压降
在EPROM中的印刷电路板迹线的影响
数组,一个4.7 uF的大容量电解电容应该是
使用Vcc和GND之间的每个八台设备。该
电容器的位置应靠近那里的
电源被连接到所述阵列。
模式选择表
引脚
模式
读
输出禁用
待机( TTL)的
待机(CMOS)
节目
程序校验
禁止程序
制造商代码( 3 )
设备代码( 3 )
CE
VIL
VIL
VIH
VCC±0.3V
VIL
VIH
VIH
VIL
VIL
OE
VIL
VIH
X
X
VIH
VIL
VIH
VIL
VIL
A0
X
X
X
X
X
X
X
VIL
VIH
A9
X
X
X
X
X
X
X
VH
VH
VPP
VCC
VCC
VCC
VCC
VPP
VPP
VPP
VCC
VCC
输出
DOUT
高Z
高Z
高Z
DIN
DOUT
高Z
C2H
10H
注意事项:
1. VH = 12.0 V
±
0.5 V
2. X =要么VIH或VIL
3. A1 - A8 = A10 - A14 = VIL (对于自动选择)
4.在查看DC编程特性的电压VPP
编程。
P / N : PM0248
3
REV.3.6 ,八月26 , 2003
MX27L256
开合试验电路
设备
下
TEST
1.8K欧姆
+5V
CL
6.2K欧姆
二极管= IN3064
或同等学历
CL = 100 pF包括夹具电容
切换测试波形
2.0V
AC驾驶水平
2.0V
测试点
0.8V
产量
0.8V
输入
AC测试: AC驾驶水平2.4V / 0.4V两种商业级和工业级。
输入脉冲的上升和下降时间为20ns < 。
P / N : PM0248
5
REV.3.6 ,八月26 , 2003