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MWS5114
1997年3月
1024字×4位
LSI静态RAM
描述
该MWS5114是由4位的静态随机存取一个1024字
使用离子注入硅栅完井存储器
甘南MOS ( CMOS )技术。它被设计为在使用中
存储系统中的低功耗和简便的使用都
可取的。这种类型的具有共同的数据输入和数据输出
并利用4.5V至6.5V单电源供电。
该MWS5114在18引线,密封,供给的双列直插式
sidebrazed陶瓷封装(D SUF音响x)和18引线双
直插式塑料封装(E SUF网络X) 。
特点
全静态工作
行业标准的1024× 4引脚(同引出线
对于6514 , 2114 , 9114和4045型)
常见的数据输入和输出
内存保留为备用电池电压低
为2V敏
所有输入和输出直接TTL兼容
三态输出
低待机和操作电源
订购信息
200ns
MWS5114E3
MWS5114D3
MWS5114D3X
250ns
MWS5114E2
MWS5114E2X
MWS5114D2
300ns
MWS5114E1
MWS5114D1
温度范围
0
o
C至+70
o
C
0
o
C至+70
o
C
PDIP
BURN -IN
SBDIP
BURN -IN
PKG 。号
E18.3
E18.3
D18.3
D18.3
引脚
MWS5114
( PDIP , SBDIP )
顶视图
A6
A5
A4
A3
A0
A1
A2
CS
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18 V
DD
17 A7
16 A8
15 A9
14 I / O1
13个I / O 2
12 -I / O3
11 I / O4
10 WE
操作模式
功能
未选择
CS
0
0
1
WE
1
0
X
数据引脚
输出:取决于数据
输入
高阻抗
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
1325.2
6-160
MWS5114
功能框图
A
4
V
DD
A
5
V
SS
存储阵列
64行
64列
A
6
ROW
SELECT
A
7
A
8
A
9
I / O
1
输入
数据
控制
COLUMN
I / O电路
列选择
I / O
2
I / O
3
I / O
4
A
0
A
1
A
2
A
3
CS
启用
WE
6-161
MWS5114
绝对最大额定值
直流电源电压范围( V
DD
)
(所有电压参考V
SS
终奌站) 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7V
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
DD
+0.5V
直流输入电流,在任何一个输入。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
热信息
热电阻(典型值)
θ
JA
(
o
C / W )
θ
JC
(
o
C / W )
塑料DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
不适用
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
20
工作温度范围(T
A
)
封装类型D. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
套餐E型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至+ 85
o
C
最大存储温度范围(T
英镑
) . . .-65
o
C至+150
o
C
最高结温
陶瓷封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
塑料包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大的铅温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
推荐工作条件
在T
A
=全包温度范围。为了获得最大的可靠性,运行
条件应进行选择,以便操作总是在以下范围内:
范围
所有类型
参数
直流工作电压范围
输入电压范围
4.5
V
SS
最大
6.5
V
DD
单位
V
V
静电特定网络阳离子
在T
A
= 0
o
C至+70
o
C,V
DD
=
±5%,
除非另有说明
范围
MWS5114-3
MWS5114-2
(注1 )
典型值
75
MWS5114-1
(注1 )
典型值
75
条件
参数
设备
当前
输出低
(漏)电流
输出高
(来源)
当前
输出电压
低电平
输出电压
高位
输入低
电压
输入高
电压
输入漏
电流(注2 )
操作
电流(注3)
符号
国际直拨电话
V
O
(V)
-
V
IN
(V)
0, 5
V
DD
(V)
5
-
(注1 )
典型值
75
最大
100
-
最大
100
-
最大
250
单位
A
I
OL
0.4
0, 5
5
2
4
-
2
4
-
2
4
-
mA
I
OH
4.6
0, 5
5
-0.4
-1
-
-0.4
-1
-
-0.4
-1
-
mA
VOL
-
0, 5
5
-
0
0.1
-
0
0.1
-
0
0.1
V
VOH
-
0, 5
5
4.9
5
-
4.9
5
-
4.9
5
-
V
V
IL
0.5,
4.5
0.5,
4.5
-
-
5
-
1.2
0.8
-
1.2
0.8
-
1.2
0.8
V
V
IH
-
5
2.4
-
-
2.4
-
-
2.4
-
-
V
IIN
0, 5
5
-
±0.1
±5
-
±0.1
±5
-
±0.1
±5
A
IDD1
-
0, 5
5
-
4
8
-
4
8
-
4
8
mA
6-162
MWS5114
静电特定网络阳离子
在T
A
= 0
o
C至+70
o
C,V
DD
=
±5%,
除非另有说明
(续)
范围
MWS5114-3
V
O
(V)
0, 5
V
IN
(V)
0, 5
V
DD
(V)
5
(注1 )
典型值
±0.5
MWS5114-2
(注1 )
典型值
±0.5
MWS5114-1
(注1 )
典型值
±0.5
条件
参数
三态
输出漏
电流(注4 )
输入
电容
产量
电容
注意事项:
符号
I
OUT
-
最大
±5
-
最大
±5
最大
±5
单位
A
CI
N
-
-
-
-
5
7.5
-
5
7.5
-
5
7.5
pF
C
OUT
-
-
-
-
10
15
-
10
15
-
10
15
pF
1.典型数值为T
A
= 25
o
C和标称V
DD
.
2.并联的所有输入。
3.输出开路;周期时间= 1μs的时间。
4.在所有的并行输出。
6-163
MWS5114
动态电连接特定的阳离子
在T
A
= 0
o
C至+70
o
C,V
DD
= 5V
±5%,
输入吨
R
, t
F
= 10ns的;
L
= 50pF的和1个TTL负载
范围
MWS5114-3
(注1 )
(注2 )
典型值
MWS5114-2
(注1 )
(注2 )
典型值
MWS5114-1
(注1 )
(注2 )
典型值
参数
符号
最大
最大
最大
单位
读周期时间(图1 )
读周期
从访问
地址
芯片选择到
输出有效
芯片选择到
输出活动
输出三态
从取消选择
从输出保持
地址变更
TRC
TAA
200
-
160
160
-
200
250
-
200
200
-
250
300
-
250
250
-
300
ns
ns
TCO
-
110
150
-
150
200
-
200
250
ns
TCX
20
100
-
20
100
-
20
100
-
ns
TOTD
-
75
125
-
75
125
-
75
125
ns
托阿
50
100
-
50
100
-
50
100
-
ns
写时间(图2 )
写周期
写发布
地址为芯片
选择设置时间
地址写
建立时间
数据写
建立时间
从数据保持
注意事项:
1.以允许指示的功能所要求的限制装置的时间。
2.典型的数值为T
A
= 25
o
C和标称V
DD
.
TWC
tW
tWR的
TACS
200
125
50
0
160
100
40
0
-
-
-
-
250
150
50
0
200
120
40
0
-
-
-
-
300
200
50
0
220
140
40
0
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
TAW
25
20
-
50
40
-
50
40
-
ns
tDSU
75
50
-
75
50
-
75
50
-
ns
TDH
30
10
-
30
10
-
30
10
-
ns
6-164
TM
MWS5114
1024字×4位
LSI静态RAM
为2V敏
所有输入和输出直接TTL兼容
三态输出
低待机和操作电源
1997年3月
特点
全静态工作
行业标准的1024× 4引脚(同引出线
对于6514 , 2114 , 9114和4045型)
常见的数据输入和输出
内存保留为备用电池电压低
描述
订购信息
200ns
MWS5114E3
MWS5114D3
MWS5114D3X
250ns
MWS5114E2
MWS5114E2X
MWS5114D2
300ns
MWS5114E1
MWS5114D1
温度范围
0
o
C至+70
o
C
0
o
C至+70
o
C
PDIP
BURN -IN
SBDIP
BURN -IN
PKG 。号
E18.3
E18.3
D18.3
D18.3
引脚
MWS5114
( PDIP , SBDIP )
顶视图
A6
A5
A4
A3
A0
A1
A2
CS
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18 V
DD
17 A7
16 A8
15 A9
14 I / O1
13个I / O 2
12 -I / O3
11 I / O4
10 WE
操作模式
功能
未选择
CS
0
0
1
WE
1
0
X
数据引脚
输出:取决于数据
输入
高阻抗
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司(和设计)是Intersil公司美洲的商标。
版权所有 Intersil公司美洲2001.版权所有
网络文件编号
1325.2
160
MWS5114
功能框图
A
4
V
DD
A
5
V
SS
存储阵列
64行
64列
A
6
ROW
SELECT
A
7
A
8
A
9
I / O
1
输入
数据
控制
COLUMN
I / O电路
列选择
I / O
2
I / O
3
I / O
4
A
0
A
1
A
2
A
3
CS
启用
WE
6-161
MWS5114
绝对最大额定值
直流电源电压范围( V
DD
)
(所有电压参考V
SS
终奌站) 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7V
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
DD
+0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
热信息
热电阻(典型值)
θ
JA
(
o
C / W )
θ
JC
(
o
C / W )
塑料DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
不适用
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
20
工作温度范围(T
A
)
套餐D型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
套餐E型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至+ 85
o
C
最大存储温度范围(T
英镑
) . . .-65
o
C至+150
o
C
最高结温
陶瓷封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
塑料包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大的铅温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
推荐工作条件
在T
A
=全包温度范围。为了获得最大的可靠性,运行
条件应进行选择,以便操作总是在以下范围内:
范围
所有类型
参数
直流工作电压范围
输入电压范围
4.5
V
SS
最大
6.5
V
DD
单位
V
V
静电特定网络阳离子
在T
A
= 0
o
C至+70
o
C,V
DD
=
±5%,
除非另有说明
范围
MWS5114-3
MWS5114-2
(注1 )
典型值
75
MWS5114-1
(注1 )
典型值
75
条件
参数
设备
当前
输出低
(漏)电流
输出高
(来源)
当前
输出电压
低电平
输出电压
高位
输入低
电压
输入高
电压
输入漏
电流(注2 )
操作
电流(注3)
符号
国际直拨电话
V
O
(V)
-
V
IN
(V)
0, 5
V
DD
(V)
5
-
(注1 )
典型值
75
最大
100
-
最大
100
-
最大
250
单位
A
I
OL
0.4
0, 5
5
2
4
-
2
4
-
2
4
-
mA
I
OH
4.6
0, 5
5
-0.4
-1
-
-0.4
-1
-
-0.4
-1
-
mA
VOL
-
0, 5
5
-
0
0.1
-
0
0.1
-
0
0.1
V
VOH
-
0, 5
5
4.9
5
-
4.9
5
-
4.9
5
-
V
V
IL
0.5,
4.5
0.5,
4.5
-
-
5
-
1.2
0.8
-
1.2
0.8
-
1.2
0.8
V
V
IH
-
5
2.4
-
-
2.4
-
-
2.4
-
-
V
IIN
0, 5
5
-
±0.1
±5
-
±0.1
±5
-
±0.1
±5
A
IDD1
-
0, 5
5
-
4
8
-
4
8
-
4
8
mA
6-162
MWS5114
静电特定网络阳离子
在T
A
= 0
o
C至+70
o
C,V
DD
=
±5%,
除非另有说明
(续)
范围
MWS5114-3
V
O
(V)
0, 5
V
IN
(V)
0, 5
V
DD
(V)
5
(注1 )
典型值
±0.5
MWS5114-2
(注1 )
典型值
±0.5
MWS5114-1
(注1 )
典型值
±0.5
条件
参数
三态
输出漏
电流(注4 )
输入
电容
产量
电容
注意事项:
符号
I
OUT
-
最大
±5
-
最大
±5
最大
±5
单位
A
CI
N
-
-
-
-
5
7.5
-
5
7.5
-
5
7.5
pF
C
OUT
-
-
-
-
10
15
-
10
15
-
10
15
pF
1.典型数值为T
A
= 25
o
C和标称V
DD
.
2.并联的所有输入。
3.输出开路;周期时间= 1μs的时间。
4.在所有的并行输出。
6-163
MWS5114
动态电连接特定的阳离子
在T
A
= 0
o
C至+70
o
C,V
DD
= 5V
±5%,
输入吨
R
, t
F
= 10ns的;
L
= 50pF的和1个TTL负载
范围
MWS5114-3
(注1 )
(注2 )
典型值
MWS5114-2
(注1 )
(注2 )
典型值
MWS5114-1
(注1 )
(注2 )
典型值
参数
符号
最大
最大
最大
单位
读周期时间(图1 )
读周期
从访问
地址
芯片选择到
输出有效
芯片选择到
输出活动
输出三态
从取消选择
从输出保持
地址变更
TRC
TAA
200
-
160
160
-
200
250
-
200
200
-
250
300
-
250
250
-
300
ns
ns
TCO
-
110
150
-
150
200
-
200
250
ns
TCX
20
100
-
20
100
-
20
100
-
ns
TOTD
-
75
125
-
75
125
-
75
125
ns
托阿
50
100
-
50
100
-
50
100
-
ns
写时间(图2 )
写周期
写发布
地址为芯片
选择设置时间
地址写
建立时间
数据写
建立时间
从数据保持
注意事项:
1.以允许指示的功能所要求的限制装置的时间。
2.典型的数值为T
A
= 25
o
C和标称V
DD
.
TWC
tW
tWR的
TACS
200
125
50
0
160
100
40
0
-
-
-
-
250
150
50
0
200
120
40
0
-
-
-
-
300
200
50
0
220
140
40
0
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
TAW
25
20
-
50
40
-
50
40
-
ns
tDSU
75
50
-
75
50
-
75
50
-
ns
TDH
30
10
-
30
10
-
30
10
-
ns
6-164
查看更多MWS5114D3PDF信息
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    MWS5114D3
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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