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MM54HC51 MM74HC51双与或反向门
MM54HC58 MM74HC58双核和或门
1988年1月
MM54HC51 MM74HC51双与或反向门
MM54HC58 MM74HC58双核和或门
概述
这些门采用先进的硅栅CMOS技术
实现运行速度类似LS -TTL门电路与
标准CMOS电路的低功耗的集成
电路中所有的门都缓冲输出提供高
抗噪性和驾驶10的能力, LS -TTL加载
54HC逻辑74HC系列在功能和引脚排列
与标准54LS 74LS逻辑系列兼容所有
输入免受损害,由于静电放电所
内部的二极管钳位到V
CC
和地面
特点
Y
Y
Y
Y
Y
典型传播延迟为10ns
宽电源电压范围2 - 6V
低静态电流20
mA
最大
( 74系列)
低输入电流1
mA
最大
高输出电流4毫安最低
连接图
双列直插式封装
TL F 5302 - 1
顶视图
订单号MM54HC51或MM74HC51
双列直插式封装
TL F 5302 - 2
顶视图
订单号MM54HC58或MM74HC58
C
1995年全国半导体公司
TL F 5302
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
(注1
2)
工作条件
电源电压V
CC
DC输入或输出电压
V
IN
V
OUT
工作温度范围(T
A
)
MM慧聪
MM慧聪
输入信号上升和下降时间
t
r
t
f
V
CC
e
V
V
CC
e
V
V
CC
e
V
b
b
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压(V
CC
)
直流输入电压(V
IN
)
直流输出电压(V
OUT
)
钳位二极管电流(I
IK
I
OK
)
b
0至5
a
7 0V
b
1 5 V
CC
a
1 5V
b
0 5 V
CC
a
0 5V
g
20毫安
最大
V
CC
单位
V
V
a
a
C
C
ns
ns
ns
g
25毫安
每个引脚的直流输出电流(I
OUT
)
g
50毫安
DC V
CC
或者每个引脚GND电流(I
CC
)
b
65℃,以
a
150 C
存储温度范围(T
英镑
)
功耗(P
D
)
(注3)
600毫瓦
仅s O包
500毫瓦
铅温度(T
L
) (焊接10秒)
260 C
DC电气特性
(注4 )
符号
参数
条件
V
CC
V
V
V
V
V
V
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
g
g
g
T
A
e
25 C
典型值
74HC
T
A
eb
40到85℃
保证限制
54HC
T
A
eb
55 125℃
单位
V
IH
最低高层
输入电压
最大低电平
输入电压
最低高层
输出电压
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
V
IL
V
OH
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
l
I
OUT
l
s
mA
V
OL
最大低电平
输出电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
l
I
OUT
l
s
mA
I
IN
I
CC
最大输入
当前
最大静态
电源电流
V
IN
e
V
CC
或GND
V
IN
e
V
CC
或GND
I
OUT
e
mA
注1
绝对最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
注2
除非另有说明,所有电压参考地
注3
功耗温度降额
塑料'' N' '包
b
12毫瓦C来自65 ℃至85℃的陶瓷'' J' '包
b
12毫瓦C来自100℃至125℃
注4
对于5V的电源
g
10%的最坏情况下的输出电压(V
OH
和V
OL
)在设计时会发生HC 4 5V因此, 4 5V值应使用
与此供应最坏情况V
IH
和V
IL
发生在V
CC
e
分别为5 5V和4 5V (在V
IH
5 5V值为3 85V )最坏情况下的漏电流(I
IN
I
CC
I
OZ
)发生在CMOS在较高的电压,因此在6 0V的值,应使用
V
IL
限制在V的20 %目前正在测试
CC
上述V个
IL
V的规格( 30 %
CC
)将在不迟于Q1 CY'89实施
2
AC电气特性
V
CC
e
5V
符号
t
PHL
t
PLH
参数
最大传播
延迟
条件
T
A
e
25 C C
L
e
15 pF的吨
r
e
t
f
e
6纳秒
典型值
10
保证
极限
20
单位
ns
AC电气特性
V
CC
e
2 0V至6 0V
符号
参数
条件
V
CC
2 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
(每与或门)
C
L
e
50 pF的吨
r
e
t
f
e
6纳秒(除非另有规定)
74HC
T
A
eb
40到85℃
54HC
T
A
eb
55 125℃
单位
T
A
e
25 C
典型值
保证限制
125
25
21
75
15
13
158
32
27
95
19
16
186
37
32
110
22
19
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
10
10
10
pF
t
PHL
t
PLH
最大传播
延迟
最大输出上升
时间和下降时间
功耗
电容(注5 )
最大输入
电容
63
13
11
30
8
7
20
5
t
TLH
t
THL
C
PD
C
IN
注5
C
PD
确定无负载的动态功耗P
D
e
C
PD
V
CC2
f
a
I
CC
V
CC
和空载动态电流消耗我
S
e
C
PD
V
CC
f
a
I
CC
3
MM54HC51 MM74HC51双与或反向门
MM54HC58 MM74HC58双核和或门
物理尺寸
英寸(毫米)
订单号MM54HC51J MM54HC58J MM74HC51J MM74HC58J
NS封装J14A
订单号MM74HC51N MM74HC58N
NS封装N14A
生命支持政策
美国国家半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统未经明确的书面许可,国家总统
半导体公司如本文所用
1生命支持设备或系统设备或
其中( a)打算通过外科手术移植系统
进入体内或(b )支持或维持生命,其
不履行时,按照正确使用
与标示中的使用说明即可
可合理预期会导致在一个显著的伤害
向用户
美国国家半导体公司
公司
1111西巴丁路
阿灵顿德克萨斯州76017
联系电话:1(800 ) 272-9959
传真:1(800 ) 737-7018
2关键部件是一个生命的任何组件
支持设备或系统,其故障执行能
可以合理预期造成的生命的失败
支持设备或系统,或影响其安全性或
效用
美国国家半导体公司
欧洲
传真(
a
49) 0-180-530 85 86
电子邮件cnjwge tevm2 NSC COM
德语电话(
a
49) 0-180-530 85 85
电话英语(
a
49) 0-180-532 78 32
弗兰AIS电话(
a
49) 0-180-532 93 58
意大利语电话(
a
49) 0-180-534 16 80
美国国家半导体公司
(香港)有限公司
13楼直座
海洋中心5广东省
九龙尖沙咀
香港
电话:( 852 ) 1637至00年
传真:( 852 ) 2736-9960
美国国家半导体公司
日本公司
电话81-043-299-2309
传真81-043-299-2408
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