MJ11013
尺寸以毫米（英寸） 。
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
在双极PNP设备
密封TO3
金属包装。
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
22.23
(0.875)
马克斯。
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
双极PNP设备。
V
首席执行官
= 90V
3
（案例）
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
I
C
= 50A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS ， CECC和JAN的要求，
JANTX ， JANTXV和JANS规范。
TO3 （ TO204AA ）
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C（ CONT ）
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
90
50
单位
V
A
-
@ 5.0/30 (V
CE
/ I
C
)
200
4M
30
Hz
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
产生
31-Jul-02
功率晶体管
TO- 3案（续）
型号
IC
PNP
(A)
最大
10
30
8.0
8.0
10
10
16
16
16
10
40
PD
(W)
100
200
90
90
150
150
150
150
150
175
250
200
200
200
150
150
150
150
100
100
100
100
180
180
180
200
200
200
225
225
225
100
100
100
BVCBO BVCEO
(V)
民
500
100
60
80
60
80
60
80
100
600
--
60
90
120
40
60
80
100
40
60
80
100
60
80
100
60
80
100
60
80
100
60
80
100
(V)
民
200
90
60
80
60
80
60
80
100
400
400
60
90
120
40
60
80
100
40
60
80
100
60
80
100
60
80
100
60
80
100
60
80
100
* TYP
民
15
25
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
100
50
1,000
1,000
1,000
800
800
800
800
800
800
800
800
750
750
750
800
800
800
800
800
800
1,000
1,000
1,000
的hFE
最大
--
100
--
--
--
--
--
--
--
2,000
600
--
--
--
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
--
--
--
@ IC VCE （ SAT ） @ IC
(A)
2.5
7.5
3.0
3.0
5.0
5.0
10
10
10
6.0
10
20
20
20
6.0
6.0
6.0
6.0
4.0
4.0
4.0
4.0
10
10
10
10
10
10
15
15
15
7.5
7.5
7.5
(V)
最大
3.3
0.8
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
2.5
5.0
4.0
4.0
4.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
(A)
8.0
7.5
8.0
8.0
10
10
16
16
16
10
40
30
30
30
12
6.0
6.0
6.0
4.0
4.0
4.0
4.0
10
10
10
10
10
10
15
15
15
7.5
7.5
7.5
NPN
BUY69C
MJ802
MJ1000
MJ1001
MJ3000
MJ3001
MJ4033
MJ4034
MJ4035
MJ10012
MJ10023
MJ11012
MJ11014
MJ11016
PMD10K40
PMD10K60
PMD10K80
PMD10K100
PMD12K40
PMD12K60
PMD12K80
PMD12K100
PMD1601K
PMD1602K
PMD1603K
PMD16K60
PMD16K80
PMD16K100
PMD18K60
PMD18K80
PMD18K100
SE9303
SE9304
SE9305
fT
* TYP
（兆赫）
民
10*
2.0
6.0
6.0
--
--
--
--
--
--
-
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
1.0
1.0
1.0
-
MJ4502
MJ 900
MJ 901
MJ2500
MJ2501
MJ4030
MJ4031
MJ4032
MJ11011
MJ11013
MJ11015
PMD11K40
PMD11K60
PMD11K80
PMD11K100
PMD13K40
PMD13K60
PMD13K80
PMD13K100
PMD1701K
PMD1702K
PMD1703K
PMD17K60
PMD17K80
PMD17K100
PMD19K60
PMD19K80
PMD19K100
SE9403
SE9404
SE9405
30
30
30
12
12
12
12
8.0
8.0
8.0
8.0
20
20
20
20
20
20
30
30
30
10
10
10
阴影部分表示达林顿。
使用60密耳的线索。
见机械规格209页
85
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
高直流电流增益 - 的hFE = 1000 （最小） @ IC - 20 ADC
整体结构与内置的基极发射极分流电阻
结温为+ 200
_
C
。 。 。用作互补通用放大器应用的输出设备
系统蒸发散。
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
大电流互补
硅晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
热特性
最大额定值
REV 1
铅的最大温度
焊接目的，
10秒。
热阻，结到外壳
工作存储结
温度范围
器件总功耗@TC = 25
_
C
减免上述25
_
3. C @ TC = 100
_
C
基极电流
集电极电流
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
等级
特征
BASE
PNP
MJ11013
MJ11015
v
≈
8.0 k
符号
TJ ， TSTG
VCEO
VCB
VEB
PD
IC
IB
≈
40
图1.达林顿电路原理图
集热器
辐射源
MJ11012
符号
R
θJC
60
60
TL
- 55至+ 200
MJ11013
MJ11014
200
1.15
90
90
30
1
5
BASE
NPN
MJ11012
MJ11014
MJ11016
0.87
最大
275
MJ11015
MJ11016
120
120
≈
8.0 k
_
C / W
瓦
W/
_
C
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
_
C
≈
40
集热器
辐射源
30安培
达林顿
功率晶体管
补充
硅
60 - 120伏
200瓦
MJ11013
MJ11015
NPN
MJ11012
MJ11014
MJ11016*
*摩托罗拉的首选设备
订购此文件
通过MJ11012 / D
案例1-07
TO–204AA
(TO–3)
PNP
1
MJ11013 MJ11015 MJ11012 MJ11014 MJ11016
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
=
300
s,
占空比
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明。 ）
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
基射极饱和电压
（ IC = 20 A ， IB = 200 MADC ）
（ IC = 30 A ， IB = 300 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 20 ADC ， IB = 200 MADC ）
（ IC = 30 ADC ， IB = 300 MADC ）
直流电流增益
（ IC = 20 ADC ， VCE = 5 VDC ）
（ IC = 30 ADC ， VCE = 5 VDC ）
电流增益带宽积
（ IC = 10 A， VCE = 3伏， F = 1兆赫）
集电极 - 发射极漏电流
（ VCE = 50伏直流电， IB = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VBE = 5 VDC ， IC = 0 ）
集电极 - 发射极漏电流
（ VCE = 60 VDC ， RBE = 1K欧姆）
（ VCE = 90伏直流电， RBE = 1K欧姆）
（ VCE = 120伏， RBE = 1K欧姆）
（ VCE = 60 VDC ， RBE = 1K欧姆， TC = 150
_
C)
（ VCE = 90伏直流电， RBE = 1K欧姆， TC = 150
_
C)
（ VCE = 120伏， RBE = 1K欧姆， TC = 150
_
C)
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
（ IC = 100 MADC ， IB = 0 ）
2
特征
v
2.0%.
MJ11012
MJ11013 ， MJ11014
MJ11015 ， MJ11016
MJ11012
MJ11013 ， MJ11014
MJ11015 ， MJ11016
MJ11012
MJ11013 ， MJ11014
MJ11015 ， MJ11016
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
V（ BR ） CEO
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
符号
ICEO
IEBO
ICER
的hFE
的hFE
1000
200
民
60
90
120
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4
最大
3.5
5
—
—
—
—
—
—
3
4
1
5
1
1
1
5
5
5
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
—
MJ11013 MJ11015 MJ11012 MJ11014 MJ11016
30 k
20 k
的hFE ， DC电流增益
10 k
7k
5k
3k
2k
的hFE ，小信号电流增益（标准化）
PNP MJ11013 ， MJ11015
NPN MJ11012 ， MJ11014 ， MJ11016
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
10
VCE = 3伏直流
IC = 10 MADC
TJ = 25°C
20
30
50 70 100
200 300
男，频率（KHz ）
500 700 1.0 k
PNP MJ11013 ， MJ11015
NPN MJ11012 ， MJ11014 ， MJ11016
700
500
300
0.3
VCE = 5 VDC
TJ = 25°C
0.5 0.7
1
2
3
5 7 10
IC ，集电极电流（ AMP ）
20
30
图2. DC电流增益（1）
图3.小信号电流增益
5
IC ，集电极电流（ AMP ）
PNP MJ11013 ， MJ11015
NPN MJ11012 ， MJ11014 ， MJ11016
4
V，电压（V ）
TJ = 25°C
IC / IB = 100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
2
3
焊线限制
散热的限制， @ TC = 25°C
二次击穿限制
MJ11012
MJ11013 ， MJ11014
MJ11015 ， MJ11016
5
7
10
20
30
50
70 100
200
3
2
VBE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
1
0
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
IC ，集电极电流（ AMP ）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图4. “开”电压（ 1 ）
图5.活动区DC安全工作区
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管的平均结温及二次
击穿。安全工作区曲线表明IC - VCE lim-
该晶体管的其必须为可靠操作被观察
系统蒸发散例如，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于局限性的功率
系统蒸发散了二次击穿的罚款。
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
MJ11013 MJ11015 MJ11012 MJ11014 MJ11016
包装尺寸
A
N
C
–T–
E
D
U
V
2
2 PL
座位
飞机
K
M
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.所有规则和注意事项与相关的
参考- 204AA外形为准。
0.13 (0.005)
L
G
1
Q
M
Y
M
–Y–
H
B
–Q–
0.13 (0.005)
M
牛逼
M
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
K
L
N
Q
U
V
英寸
民
最大
1.550 REF
–––
1.050
0.250
0.335
0.038
0.043
0.055
0.070
0.430 BSC
0.215 BSC
0.440
0.480
0.665 BSC
–––
0.830
0.151
0.165
1.187 BSC
0.131
0.188
MILLIMETERS
民
最大
39.37 REF
–––
26.67
6.35
8.51
0.97
1.09
1.40
1.77
10.92 BSC
5.46 BSC
11.18
12.19
16.89 BSC
–––
21.08
3.84
4.19
30.15 BSC
3.33
4.77
风格1 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
案例：收藏家
案例1-07
TO- 204AA （TO- 3）
ISSUE
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，
并明确拒绝承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数，并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内，或其他应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员，雇员，子公司，联营公司及分销商无害
对所有索赔，费用，损失，费用，以及直接或间接引起的，合理的律师费，人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称，摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
如何找到我们：
美国/欧洲：
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447
M传真：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键（ 602 ） 244-6609
互联网：
http://Design-NET.com
日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ，利胜乙木，
6F西武Butsuryu中心， 3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-3521-8315
香港：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
*MJ11012/D*
MJ11012/D
MJ11013
PNP
硅达林顿晶体管
开关稳压器PWM逆变器
电磁阀和继电器驱动器
TO-3
绝对最大额定值（T
a
=25°C)
C
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
集电极耗散（TC = 25 ° C）
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
IC
PC
Tj
TSTG
等级
-90
-90
-30
200
200
-50~150
单位
V
V
A
W
°C
°C
电气特性（Ta = 25℃）
C
特征
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
符号
ICBO
ICEO
的hFE
VCE （ SAT ）
测试条件
VCB = -90V ， IE = 0
VCB = -90V ， IB = 0
IC = -10A ， IB = -1A
民
典型值
最大
-10
-10
单位
A
A
V
1K
-1.5
永诚电脑配件有限公司， （香港）有限公司。
主页：
http://www.wingshing.com
联系电话： （ 852 ） 2341 9276传真： （ 852 ） 2797 8153
电子信箱： wsccltd@hkstar.com
高直流电流增益 - 的hFE = 1000 （最小） @ IC - 20 ADC
整体结构与内置的基极发射极分流电阻
结温为+ 200
_
C
。 。 。用作互补通用放大器应用的输出设备
系统蒸发散。
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
大电流互补
硅晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
热特性
最大额定值
REV 1
铅的最大温度
焊接目的，
10秒。
热阻，结到外壳
工作存储结
温度范围
器件总功耗@TC = 25
_
C
减免上述25
_
3. C @ TC = 100
_
C
基极电流
集电极电流
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
等级
特征
BASE
PNP
MJ11013
MJ11015
v
≈
8.0 k
符号
TJ ， TSTG
VCEO
VCB
VEB
PD
IC
IB
≈
40
图1.达林顿电路原理图
集热器
辐射源
MJ11012
符号
R
θJC
60
60
TL
- 55至+ 200
MJ11013
MJ11014
200
1.15
90
90
30
1
5
BASE
NPN
MJ11012
MJ11014
MJ11016
0.87
最大
275
MJ11015
MJ11016
120
120
≈
8.0 k
_
C / W
瓦
W/
_
C
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
_
C
≈
40
集热器
辐射源
30安培
达林顿
功率晶体管
补充
硅
60 - 120伏
200瓦
MJ11013
MJ11015
NPN
MJ11012
MJ11014
MJ11016*
*摩托罗拉的首选设备
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通过MJ11012 / D
案例1-07
TO–204AA
(TO–3)
PNP
1
MJ11013 MJ11015 MJ11012 MJ11014 MJ11016
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
=
300
s,
占空比
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明。 ）
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
基射极饱和电压
（ IC = 20 A ， IB = 200 MADC ）
（ IC = 30 A ， IB = 300 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 20 ADC ， IB = 200 MADC ）
（ IC = 30 ADC ， IB = 300 MADC ）
直流电流增益
（ IC = 20 ADC ， VCE = 5 VDC ）
（ IC = 30 ADC ， VCE = 5 VDC ）
电流增益带宽积
（ IC = 10 A， VCE = 3伏， F = 1兆赫）
集电极 - 发射极漏电流
（ VCE = 50伏直流电， IB = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VBE = 5 VDC ， IC = 0 ）
集电极 - 发射极漏电流
（ VCE = 60 VDC ， RBE = 1K欧姆）
（ VCE = 90伏直流电， RBE = 1K欧姆）
（ VCE = 120伏， RBE = 1K欧姆）
（ VCE = 60 VDC ， RBE = 1K欧姆， TC = 150
_
C)
（ VCE = 90伏直流电， RBE = 1K欧姆， TC = 150
_
C)
（ VCE = 120伏， RBE = 1K欧姆， TC = 150
_
C)
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
（ IC = 100 MADC ， IB = 0 ）
2
特征
v
2.0%.
MJ11012
MJ11013 ， MJ11014
MJ11015 ， MJ11016
MJ11012
MJ11013 ， MJ11014
MJ11015 ， MJ11016
MJ11012
MJ11013 ， MJ11014
MJ11015 ， MJ11016
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
V（ BR ） CEO
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
符号
ICEO
IEBO
ICER
的hFE
的hFE
1000
200
民
60
90
120
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4
最大
3.5
5
—
—
—
—
—
—
3
4
1
5
1
1
1
5
5
5
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
—
MJ11013 MJ11015 MJ11012 MJ11014 MJ11016
30 k
20 k
的hFE ， DC电流增益
10 k
7k
5k
3k
2k
的hFE ，小信号电流增益（标准化）
PNP MJ11013 ， MJ11015
NPN MJ11012 ， MJ11014 ， MJ11016
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
10
VCE = 3伏直流
IC = 10 MADC
TJ = 25°C
20
30
50 70 100
200 300
男，频率（KHz ）
500 700 1.0 k
PNP MJ11013 ， MJ11015
NPN MJ11012 ， MJ11014 ， MJ11016
700
500
300
0.3
VCE = 5 VDC
TJ = 25°C
0.5 0.7
1
2
3
5 7 10
IC ，集电极电流（ AMP ）
20
30
图2. DC电流增益（1）
图3.小信号电流增益
5
IC ，集电极电流（ AMP ）
PNP MJ11013 ， MJ11015
NPN MJ11012 ， MJ11014 ， MJ11016
4
V，电压（V ）
TJ = 25°C
IC / IB = 100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
2
3
焊线限制
散热的限制， @ TC = 25°C
二次击穿限制
MJ11012
MJ11013 ， MJ11014
MJ11015 ， MJ11016
5
7
10
20
30
50
70 100
200
3
2
VBE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
1
0
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
IC ，集电极电流（ AMP ）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图4. “开”电压（ 1 ）
图5.活动区DC安全工作区
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管的平均结温及二次
击穿。安全工作区曲线表明IC - VCE lim-
该晶体管的其必须为可靠操作被观察
系统蒸发散例如，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于局限性的功率
系统蒸发散了二次击穿的罚款。
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
MJ11013 MJ11015 MJ11012 MJ11014 MJ11016
包装尺寸
A
N
C
–T–
E
D
U
V
2
2 PL
座位
飞机
K
M
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.所有规则和注意事项与相关的
参考- 204AA外形为准。
0.13 (0.005)
L
G
1
Q
M
Y
M
–Y–
H
B
–Q–
0.13 (0.005)
M
牛逼
M
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
K
L
N
Q
U
V
英寸
民
最大
1.550 REF
–––
1.050
0.250
0.335
0.038
0.043
0.055
0.070
0.430 BSC
0.215 BSC
0.440
0.480
0.665 BSC
–––
0.830
0.151
0.165
1.187 BSC
0.131
0.188
MILLIMETERS
民
最大
39.37 REF
–––
26.67
6.35
8.51
0.97
1.09
1.40
1.77
10.92 BSC
5.46 BSC
11.18
12.19
16.89 BSC
–––
21.08
3.84
4.19
30.15 BSC
3.33
4.77
风格1 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
案例：收藏家
案例1-07
TO- 204AA （TO- 3）
ISSUE
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4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
*MJ11012/D*
MJ11012/D
