飞思卡尔半导体公司
数据补遗
MC9S08SH8AD
第1版， 05/2012
MC9S08SH8数据补遗
本附录说明更正或更新到
MC9S08SH8数据表，
文件命名为MC9S08SH8 。
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可用的当前版本
MC9S08SH8
数据表
是3.0版。
目录
1
2
附录修订为3.0 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2
飞思卡尔半导体公司2012年版权所有。
附录的修订版3.0
1
附录的修订版3.0
表1. MC9S08SH8版本3.0补遗
位置
描述
部分“控制时序”在“控制时序”表，改变了“'内部低功耗振荡器周期”最小值
附录A “电气
参数从800微秒到700微秒。这个值是根据5V VDD时， -40
o
C至125
o
C的温度
特色」
范围的情况。
2
修订历史
表2.修订历史表
修订版号
1.0
实质性的改变
初始版本。 “的”内部低功耗振荡器周期“改变的最小值
参数从800微秒到700微秒，在“控制时序”表。
发布日期
05/2012
表2
提供了一个修订历史本文件。
MC9S08SH8AD ，第1
2
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第1版
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