硅双向DIACS
MA64
DO-35
电压范围： 28-45 V
特点
这三个层， 2 termnal ，轴向引线，密封
1111sealed
单IGBT是专门用于触发设计
1111thyristors.They
展示低导通电流
1111breakover
电压，因为他们承受峰值脉冲
1111current,The
导通对称性3中
1111volts(MA64).
这些单IGBT旨在用于在使用中
CCCthyrisitors
相位控制，对灯具的调光电路，
FFFI
通用电机速度控制和热控制。
绝对额定值
参数
在打印功耗
T
A
=50
o
-C电路（ L = 10毫米）
重复峰值通态
当前
TP = 20秒
f=120Hz
尺寸以英寸（毫米）
符号
MA64
单位
Pc
I
TRM
T
J
T
英镑
150.0
2.0
-40--- +125
-40--- +125
mW
A
o
工作结温
储存温度
C
C
o
电气特性
参数
测试条件
C=22nf
（注2 ）
见图1
C=22nf
（注2 ）
见图1
I=(I
BO
到我
F
=10mA)
见图1
见图2
C=22nf
（注2 ）
看科幻G.3
V
R
=0.5 V
BO
见图1
MA64
民
典型值
最大
最大
民
民
最大
典型值
最大
28
32
36
±3.0
5.0
5.0
100.0
1.5
10.0
单位
V
击穿电压
（注
1)
V
BO
I + V
BO
I-
我-V
BO
I
I±
VI
V
o
I
BO
t
r
I
R
转折电压对称性
动态击穿电压
（注1 ）
输出电压
（注1 ）
导通电流
（注1 ）
上升时间
（注1 ）
漏电流
（注1 ）
V
V
V
A
S
A
注：适用于既FORW ARD 1.Electrical特性和反向dirctions 。
2.Connected并行瓦特第i个设备
硅双向DIACS
MA64
收视率和特性曲线
图1 - 电压 - 电流特性曲线
+I
F
10mA
图2 - 测试电路输出电压
-V
I
BO
I
B
0.5V
BO
10KΩ
500KΩ
D.U.T
+V
220V
60Hz
0.1
F
V
o
R=20Ω
Ｖ
V
BO
-I
F
FIG.3--测试电路见图2调整R FOR I
P
=0.5A
图4 - 功耗与AMBIENT
温度（最大值）
为P（mW ）
160
140
90%
I
P
120
100
80
60
10%
tr
40
20
0
0
TAMB （
℃ )
10
20 30
40 50
60
70
80
90
100 110 120 130
图5 - V相对变化量
BO
与结
温度（典型值）
图6 - 峰值PULSEE电流VERENT VERSUS
脉冲持续时间（最大值）
I
TRM
(A)
1.08
VBO （ TJ ）
VBO(TJ=25
)
2
1
T
J
(
)
1.06
f=100Hz
TJ初始= 25 ℃
1.04
0.1
TP （ μ S）
1.02
1.00
25
50
75
100
125
0.01
10
100
1000
10000
