2GB无缓冲DIMM
基于1Gb的M-模具184PIN DIMM无缓冲（ X8 ）
订购信息
产品型号
M368L5623MTN-C(L)B3/A2/B0
M381L5623MTM-C(L)B3/A2/B0
密度
2GB
2GB
组织
128M ×64
128M X 72
初步
DDR SDRAM
部件组成
128Mx8 （ K4H1G0838M ） * 16EA
128Mx8 （ K4H1G0838M ） * 18EA
高度
1,250mil
1,250mil
工作频率
B3(DDR333@CL=2.5)
速度@ CL2
速度@ CL2.5
CL- tRCD的-TRP
133MHz
166MHz
2.5-3-3
A2(DDR266@CL=2)
133MHz
133MHz
2-3-3
B0(DDR266@CL=2.5)
100MHz
133MHz
2.5-3-3
特征
电源： VDD： 2.5V
±
0.2V ， VDDQ ： 2.5V
±
0.2V
双数据速率体系结构;每个时钟周期2的数据传输
双向数据选通[ DQ ] （ X4，X8 ）， & [L （ U） DQS ] （ X16 ）
差分时钟输入（ CK和CK ）
DLL对齐DQ和DQS与CK过渡转型
可编程只读延迟2 ， 2.5 （时钟）
可编程突发长度（ 2 ， 4 ， 8 ）
可编程突发类型（顺序&交错）
边沿对齐的数据输出，居中对齐数据输入
自动&自我刷新， 7.8us刷新间隔（ 8K / 64ms的刷新）
??串行存在检测与EEPROM
PCB ：高度1250 （ MIL ） &双面
SSTL_2接口
三星电子有限公司保留变更产品规格，恕不另行通知。
修订版0.0 2004年4月
2GB无缓冲DIMM
引脚配置（正面/背面）
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
前
VREF
DQ0
VSS
DQ1
DQS0
DQ2
VDD
DQ3
NC
NC
VSS
DQ8
DQ9
DQS1
VDDQ
CK1
/CK1
VSS
DQ10
DQ11
CKE0
VDDQ
DQ16
DQ17
DQS2
VSS
A9
DQ18
A7
VDDQ
DQ19
针
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
前
A5
DQ24
VSS
DQ25
DQS3
A4
VDD
DQ26
DQ27
A2
VSS
A1
CB0
CB1
VDD
DQS8
A0
CB2
VSS
CB3
BA1
针
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
前
VDDQ
/ WE
DQ41
/ CAS
VSS
DQS5
DQ42
DQ43
VDD
*/CS2
DQ48
DQ49
VSS
/CK2
CK2
VDDQ
DQS6
DQ50
DQ51
VSS
VDDID
DQ56
DQ57
VDD
DQS7
DQ58
DQ59
VSS
NC
SDA
SCL
针
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
后
VSS
DQ4
DQ5
VDDQ
DM0
DQ6
DQ7
VSS
NC
NC
NC
VDDQ
DQ12
DQ13
DM1
VDD
DQ14
DQ15
CKE1
VDDQ
*BA2
DQ20
A12
VSS
DQ21
A11
DM2
VDD
DQ22
A8
DQ23
针
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
后
VSS
A6
DQ28
DQ29
VDDQ
DM3
A3
DQ30
VSS
DQ31
CB4
CB5
VDDQ
CK0
/CK0
VSS
DM8
A10
CB6
VDDQ
CB7
初步
DDR SDRAM
针
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
169
170
171
172
173
174
175
176
177
178
179
180
181
182
183
184
后
/ RAS
DQ45
VDDQ
/CS0
/CS1
DM5
VSS
DQ46
DQ47
*/CS3
VDDQ
DQ52
DQ53
A13
VDD
DM6
DQ54
DQ55
VDDQ
NC
DQ60
DQ61
VSS
DM7
DQ62
DQ63
VDDQ
SA0
SA1
SA2
VDDSPD
关键
DQ32
VDDQ
DQ33
DQS4
DQ34
VSS
BA0
DQ35
DQ40
关键
VSS
DQ36
DQ37
VDD
DM4
DQ38
DQ39
VSS
DQ44
注意：
1. * ：这些引脚没有这个模块中使用。
2.引脚44 ， 45 ， 47 ， 49 ， 51 ， 134 ， 135 ， 140 ， 142和144上使用X72模块（ M381 ） ，而不是在x64模块一起使用。
3.引脚111 ， 158顷数控为1row模块&用于2ROW模块[ M368 （81） L5623MTN （M） ] 。
引脚说明
引脚名称
A0 ~ A13
BA0 BA1
DQ0 DQ63
DQS0 DQS8
CK0 ， CK0 CK2 ， CK2
CKE0 ， CKE1 （双银行）
CS0 ， CS1 （双银行）
RAS
CAS
WE
CB0 CB7 （对于X72模块）
功能
地址输入（复用）
银行选择地址
数据输入/输出
数据选通输入/输出
时钟输入
时钟使能输入
片选输入
行地址选通
列地址选通
写使能
校验位（数据输入/数据输出）
VDD
VDDQ
VSS
VREF
VDDSPD
SDA
SCL
SA0 2
NC
引脚名称
DM0 7 ， 8 （用于ECC ）
数据 - 戴面具
电源（ 2.5V ）
电源的DQS （ 2.5V ）
地
电源为参考
串行EEPROM电源/电源（ 2.3V至3.6V ）
串行数据I / O
串行时钟
地址在EEPROM
无连接
功能
修订版0.0 2004年4月
2GB无缓冲DIMM
初步
DDR SDRAM
2GB ， 256M ×64非ECC模块（ M368L5623MTN ）
（填充的为x8的DDR SDRAM模块2行）
功能框图
CS1
CS0
DQS0
DM0
DM /
CS
的DQ
DM /
CS
的DQ
DQS4
DM4
DM /
CS
的DQ
DM /
CS
的DQ
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQS1
DM1
I / O 7
I / O 6
I / O 1
I / O 0
I / O 5
I / O 4
I / O 3
I / O 2
D0
I / O 0
I / O 1
I / O 6
I / O 7
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
D8
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQS5
DM5
I / O 7
I / O 6
I / O 1
I / O 0
I / O 5
I / O 4
I / O 3
I / O 2
D4
I / O 0
I / O 1
I / O 6
I / O 7
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
D12
DM /
CS
的DQ
DM /
CS
的DQ
DM /
CS
的DQ
DM /
CS
的DQ
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQS2
DM2
I / O 7
I / O 6
I / O 1
I / O 0
I / O 5
I / O 4
I / O 3
I / O 2
D1
I / O 0
I / O 1
I / O 6
I / O 7
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
D9
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQS6
DM6
I / O 7
I / O 6
I / O 1
I / O 0
I / O 5
I / O 4
I / O 3
I / O 2
D5
I / O 0
I / O 1
I / O 6
I / O 7
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
D13
DM /
CS
的DQ
DM /
CS
的DQ
DM /
CS
的DQ
DM /
CS
的DQ
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQS3
DM3
I / O 7
I / O 6
I / O 1
I / O 0
I / O 5
I / O 4
I / O 3
I / O 2
D2
I / O 0
I / O 1
I / O 6
I / O 7
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
D10
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQS7
DM7
I / O 7
I / O 6
I / O 1
I / O 0
I / O 5
I / O 4
I / O 3
I / O 2
D6
I / O 0
I / O 1
I / O 6
I / O 7
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
D14
DM /
CS
的DQ
DM /
CS
的DQ
DM /
CS
的DQ
DM /
CS
的DQ
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
I / O 7
I / O 6
I / O 1
I / O 0
I / O 5
I / O 4
I / O 3
I / O 2
D3
I / O 0
I / O 1
I / O 6
I / O 7
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
D11
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
I / O 7
I / O 6
I / O 1
I / O 0
I / O 5
I / O 4
I / O 3
I / O 2
D7
I / O 0
I / O 1
I / O 6
I / O 7
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
D15
D3/D0/D5
V
DDSPD
SPD
串行PD
SCL
WP
A0
SA0
A1
SA1
A2
SA2
SDA
VREF
V
SS
V
DD
/V
DDQ
D11/D8/D13
D0 - D15
D0 - D15
D0 - D15
D0 - D15
R=120
CK0/1/2
CK0/1/2
卡
EDGE
*Cap/D1/D6
*
Cap/D9/D14
D4/D2/D7
D12/D10/D15
BA0 - BA1
A0 - A13
RAS
CAS
CKE 0/1
WE
BA0 - BA1 ： DDR SDRAM芯片D0 - D15
*时钟布线
A0 - A13 ： DDR SDRAM芯片D0 - D15
RAS ： DDR SDRAM芯片D0 - D15
CAS ： DDR SDRAM芯片D0 - D15
CKE ： DDR SDRAM芯片D0 - D15
WE： DDR SDRAM芯片D0 - D15
时钟
输入
*CK0/CK0
*CK1/CK1
*CK2/CK2
DDR SDRAM的
4 DDR SDRAM的
6的DDR SDRAM
6的DDR SDRAM
注意事项：
1. DQ到I / O接线如图推荐
但也可以改变。
2. DQ / DQS / DM / CKE / CS的关系必须是
保持如图所示。
3. DQ ， DQS ， DM / DQS电阻： 22欧姆±5 ％ 。
4. BAX ，斧， RAS ， CAS，WE电阻： 3欧姆+
5%
*时钟网络布线
修订版0.0 2004年4月
