M28F201
图2A 。 LCC引脚连接
图2B中。 TSOP引脚连接
1 32
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
9
M28F201
25
17
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
AI00638C
A11
A9
A8
A13
A14
A17
W
VCC
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A12
A15
A16
VPP
VCC
W
A17
1
32
8
9
M28F201
（普通）
25
24
16
17
AI00639C
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
图2C 。 TSOP反向引脚连接
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
1
32
8
9
M28F201
（反转）
25
24
16
17
AI00640D
A11
A9
A8
A13
A14
A17
W
VCC
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
设备操作
该M28F201闪存产品采用了
类似的技术一2兆比特的EPROM但加
通过提供电气设备的功能
擦除和编程。这些功能
由命令寄存器管理。该功能
这是通过对命令寄存器寻址DE-
挂起上施加到V中的电压
PP
，计划
电压输入。当V
PP
小于或等于
6.5V ，命令寄存器被禁用，
M28F201用作只读存储器provid-
荷兰国际集团的操作模式类似，一个EPROM （读，
输出禁用，电子签名和阅读
待机） 。当V
PP
被升高到12V的命令
寄存器允许，这提供了，此外，
擦除和编程操作。
READ ONLY模式，V
PP
≤
6.5V
对于所有只读模式，除了待机模式，
写使能W输入应该是很高的。在
待机模式下该输入是“不关心” 。
阅读模式。
该M28F201有两个使能输入，
E和G ，它们都必须按顺序是从低到
从存储器输出的数据。芯片使能（ E）
是功率控制和应使用的设备
选择。输出使能（G）是在输出控制
并且应当用于栅极的数据到输出，
independantof设备选择。
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M28F201
表2.绝对最大额定值
符号
T
A
T
英镑
V
IO
V
CC
V
A9
V
PP
参数
工作环境温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
A9电压
项目电源电压，擦除时
或编程
价值
-40至125
-65到150
-0.6 7
-0.6 7
-0.6至13.5
-0.6至14
单位
°C
°C
V
V
V
V
注意：
除了评价“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或以上的任何其他条件
在该规范规定的经营部门所标明的是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响器件的可靠性。另请参阅SGS- THOMSON SURE计划和其他有关质量文件。
表3.操作
V
PP
(1)
手术
读
E
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
G
V
IL
V
IH
X
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
X
W
V
IH
V
IH
X
V
IH
V
IH
V
IL
脉冲
V
IH
X
A9
A9
X
X
V
ID
A9
A9
X
X
DQ0 - DQ7
数据输出
高阻
高阻
代码
数据输出
数据输入
高阻
高阻
只读
V
PPL
输出禁用
待机
电子签名
读
读/写
(2)
V
PPH
写
输出禁用
待机
注意事项：
1， X = V
IL
或V
IH
.
2.也可以参考命令表。
表4.电子签名
识别码
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
DQ7
0
1
DQ6
0
1
DQ5
1
1
DQ4
0
1
DQ3
0
0
DQ2
0
1
DQ1
0
0
DQ0
0
0
十六进制数据
20h
F4h
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M28F201
表5.命令
(1)
命令
读
电子
(2)
签名
设置擦除/
抹去
擦除验证
安装程序/
节目
程序校验
RESET
2
2
写
写
X
X
C0h
FFH
2
2
写
写
A0-A17
X
A0h
40h
写
读
写
A0-A17
X
X
数据输入
数据输出
FFH
周期
手术
1
2
写
写
写
第一个周期
A0-A17
X
X
X
DQ0-DQ7
00h
80H或90H
20h
写
读
X
X
20h
数据输出
读
读
2
00000h
00001h
20h
F4h
手术
第二个周期
A0-A17
DQ0-DQ7
注意事项：
1， X = V
IL
或V
IH
.
2.也可以参考电子签名表。
待机模式。
在待机模式下的马克西 -
妈妈电源电流减小。该装置是
通过施加一个高置于待机模式
级芯片使能（ E）的输入。当在
待机模式下的输出处于高阻抗
状态时，输出的独立使能（ G）输入。
输出禁止模式。
当输出使能
（G）是高的输出处于高阻抗
状态。
电子签名方式。
这种模式允许
从设备中读取的两个二进制码出的
识别制造商和设备类型。这
模式用于通过编程使用分析装备
换货自动选择正确的擦除和
编程算法。电子签名
模式被激活时，一个高电压（ 11.5V至13V ）
适用于地址线A9与E和G低。同
A0低的输出数据是制造商代码，
当A0为高输出的装置代码。所有
其他地址线应保持低
在阅读代码。电子签名
也可以在读/写模式访问。
读/写模式， 11.4V
≤
V
PP
≤
12.6V
当V
PP
是高读取和写入操作
可被执行。这些是由CON组定义
内部命令寄存器帐篷。命令
可写入该寄存器来设置和exe-
可爱，擦除，擦除校验，方案，方案验证
和复位模式。每种模式都需要2
周期。每个模式启动的写操作，以
建立的命令，这是后跟读
或写操作。该设备预计第一
周期是一个写操作，并不会破坏
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于在存储器中的任何位置的数据。阅读模式
设置只用一个周期，并且可以随后
任何数目的读取操作，以输出数据。
电子签名阅读模式被设置与一个
周期和随后的读周期中，输出
制造商或设备代码。
Awrite到命令寄存器是通过将制成
W低，而E为低。 W锁存器的下降沿
地址，而上升沿锁存数据，
这是用于那些需要的命令
地址输入，命令输入或提供数据
输出。电源电压V
CC
和节目
电压V
PP
可以以任何顺序施用。当
装置上电时或当V
PP
is
≤
6.5V的
的命令寄存器默认为00H的内容，
从而自动设置来读取操作。在
除了特定的命令可以被用来设置
命令寄存器为00H读取的MEM
ORY 。系统设计人员可以选择，以提供一个
恒高V
PP
并使用寄存器命令
对于所有的操作，还是切换在V
PP
从低到
无需擦除或编程时，只有高
内存。所有的命令寄存器的访问被禁止
当V
CC
低于擦除/写锁定电压
年龄（V
LKO
）为2.5V 。
如果设备被擦除，亲过程中取消选择
编程或验证它会吸取积极的供应
电流，直到操作被终止。
该装置被保护，防止由应力引起的
长擦除或编程时间。如果擦除年底或
编程操作不被终止的
允许的最大时间内验证周期，一个
内部停止计时器会自动停止操作
化。该装置保持在非活动状态，准备
开始验证或复位模式操作。
