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M28010
1兆位( 128K ×8 )并行EEPROM
与软件数据保护
初步数据
s
s
快速访问时间: 100 NS
单电源电压:
- 4.5 V至5.5 V的M28010
- 2.7 V至3.6 V的M28010 -W
- 1.8 V至2.4 V的M28010 -R
32
s
s
s
低功耗
快字节和页写(最多128个字节)
增强型写过检测和监控:
- 数据查询
- 触发位
- 页面加载定时器状态
PDIP32 ( BA )
1
s
s
s
s
s
s
JEDEC批准字节宽度引脚分配
软件数据保护
硬件数据保护
软件芯片擦除
100000擦除/写周期(最小)
数据保留(最小) : 10年
PLCC32 ( KA )
TSOP32 ( NA )
8 ×20mm的
描述
该M28010器件由低128Kx8位
电力,并行EEPROM ,与制造
意法半导体专有的双多晶硅
CMOS技术。该器件提供快速访问
时,具有低功耗,并且需要
单电源电压( 5V , 3V或2V ,根据
)所选择的选项。
表1.信号名称
A0-A16
DQ0-DQ7
W
E
G
V
CC
V
SS
地址输入
数据输入/输出
写使能
图1.逻辑图
VCC
17
A0-A16
8
DQ0-DQ7
W
E
G
M28010
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源电压
VSS
AI02221
2000年2月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更,恕不另行通知。
1/23
M28010
图2A 。 DIP连接
DU
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
M28010 25
24
23
22
21
20
19
18
17
AI02222
图2C 。 TSOP连接
VCC
W
DU
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
A11
A9
A8
A13
A14
DU
W
VCC
DU
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
32
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
8
9
M28010
25
24
16
17
AI02224
注:1, DU =不使用
注:1, DU =不使用
图2B中。 PLCC连接
A12
A15
A16
DU
VCC
W
DU
1 32
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
9
M28010
25
数据保留。数据在一个4组织
字节( 32位)的“字”格式导致显著
节省功率消耗。一旦一个字节有
被读取,后续字节的读周期
同“字” (与地址的不同仅在
两个最低显著比特)是从取出
先前加载的读缓冲器,而不是从
存储器阵列。其结果,功率消耗
对于这些随后的读周期是低得多的
比功率消耗为第一周期。通过
精心设计的存储器访问模式,一
中的功率消耗降低了50 %,是
可能。
信号说明
的外部连接设备的
总结在表1中,并且它们在表3中使用。
地址( A0 - A16 ) 。
该地址输入是
用于选择从所述存储器阵列的一个字节
在读或写操作。
数据输入/输出( DQ0 - DQ7 ) 。
该数据的内容
字节被写入或从存储器阵列读出
通过数据I / O引脚。
芯片启用( E) 。
该芯片使能输入必须是
保持为低电平,使读取和写入操作。
当芯片使能高,电耗
减少。
输出使能( G) 。
输出使能输入
控制数据输出缓冲器,以及用来
开始读操作。
17
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
AI02223
注:1, DU =不使用
该设备被设计为提供一种灵活的
微控制器接口,具有硬件
和软件握手,用数据轮询和
触发位。该器件支持128字节页
写操作。软件数据保护( SDP )
还支持使用标准的JEDEC
算法。
该M28010是专为需要的应用
高达100,000次写周期和十多年的
2/23
M28010
表2.绝对最大额定值
1
符号
T
A
T
英镑
V
CC
V
IO
V
I
V
ESD
参数
工作环境温度
储存温度
电源电压
输入或输出电压(除A9 )
输入电压
静电放电电压(人体模型)
2
价值
-40到85
-65到150
-0.3到V
CCmax
+1
-0.3到V
CC
+0.6
-0.3 4.5
2000
单位
°C
°C
V
V
V
V
注: 1,除了等级“工作温度范围” ,强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只,设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅ST SURE计划和其他有关质量文件。
2. MIL -STD- 883C , 3015.7 ( 100 pF的, 1500
)
图3.框图
A7-A16
(页面地址)
地址
LATCH
X解码
1Mbit的ARRAY
A0-A6
地址
LATCH
LATCH PAGE
解码
参考文献:
VPP GEN
VREAD GEN
检测页&数据锁存器
E
G
W
控制
逻辑
程序设计
状态
ECC
(1)
&多路复用器
I / O缓冲器
DQ0-DQ7
AI02225
3/23
M28010
表3.操作模式
1
模式
待机/写禁止
写禁止
写禁止
输出禁用
注:1,X = V
IH
或V
IL
.
E
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
G
V
IL
V
IH
X
X
V
IL
V
IH
W
V
IH
V
IL
X
V
IH
X
X
DQ0-DQ7
数据输出
DATA IN
高阻
数据输出或Hi -Z
数据输出或Hi -Z
高阻
写使能( W) 。
写使能输入控制
被寻址单元是否被读取,从
或写入。
设备操作
为了防止数据损坏和意外的
写操作,内部V
CC
比较
禁止写操作,如果在V
CC
电压
比V低
WI
(见表4A至表4C)。一旦
施加在V的电压
CC
脚越过
表4A 。上电时序
1
为M28010 ( 5V范围内)
(T
A
= -40 85
°C;
V
CC
= 4.5 5.5 V )
符号
t
PUR
t
PUW
V
WI
参数
时间延迟到读操作
V
WI
阈值(V
CC
& GT ; V
WI
) ,写权限
后超时吨内存允许
PUW
作为
表4A表4C指定。
防止数据损坏进一步保护
通过对E和W的低通滤波器提供:任何毛刺,
在E和W输入,用脉冲宽度小于
10纳秒(典型值)的内部过滤掉,以防止
误写入的操作的存储器。
分钟。
5
5
3.0
马克斯。
单位
ms
ms
时间延迟写操作(一次V
CC
V
WI
)
写保护阈值
4.2
V
注: 1。采样只,而不是100 %测试。
表4B 。上电时序
1
为M28010 -W ( 3V范围内)
(T
A
= -40 85
°C;
V
CC
= 2.7 3.6 V )
符号
t
PUR
t
PUW
V
WI
参数
时间延迟到读操作
时间延迟写操作(一次V
CC
V
WI
)
写保护阈值
分钟。
5
5
2.0
2.6
马克斯。
单位
ms
ms
V
注: 1。采样只,而不是100 %测试。
表4C 。上电时序
1
为M28010 -R ( 2V系列)
(T
A
= -40 85
°C;
V
CC
= 1.8 2.4 V)的
符号
t
PUR
t
PUW
V
WI
参数
时间延迟到读操作
时间延迟写操作(一次V
CC
V
WI
)
写保护阈值
分钟。
5
5
1.2
1.7
马克斯。
单位
ms
ms
V
注: 1。采样只,而不是100 %测试。
4/23
M28010
该设备被访问像一个静态RAM。当E
和G是低,且W为高时,所述内容
地址位置都在I / O引脚。
否则,当G或E为高电平时, I / O引脚
恢复到其高阻抗状态。
写操作开始时,包括了W和E
是低,且G为高。该器件支持
W-控制, E-控制的写周期(如
在图12和图13)所示。的地址是
W或E的下降沿时锁存在(其
以后不断发生)和数据被锁存的
W或的E上升沿(其中先出现) 。
经过延时,T
WLQ5H
中,不能短于
在表9A至9C表中指定的值,则
内部写入周期开始。再这样下去,下
内部定时控制,直到写操作是
完整的。这一时期的开始可以
通过阅读页面加载定时器进行检测
状态上DQ5 。内部写周期的结束
图4.软件数据保护使算法(带或不带内存写入)
SDP是残疾人及其应用
需要启用它,并写入数据
SDP被禁用,
应用程序需要启用它
在寄存器写入AAH
地址5555H
页写
定时
在寄存器写入AAH
地址5555H
在写55H
地址2AAAh
页写
定时
在写55H
地址2AAAh
在写的A0h
地址5555H
在写的A0h
地址5555H
已启用
TIME OUT ( tWLQ5H )
写数据
在任何地址
在一个页面
等待写操作完成( tQ5HQ5X )
SDP设置
在寄存器写入AAH
地址5555H
TIME OUT ( tWLQ5H )
等待写操作完成( tQ5HQ5X )
数据已经被写入
和SDP已启用
在写55H
地址2AAAh
页写
定时
在写的A0h
地址5555H
已启用
写数据
在任何地址
在一个页面
TIME OUT ( tWLQ5H )
等待写操作完成( tQ5HQ5X )
数据已经被写入
和SDP已启用
AI02227B
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