LY62L1024
修订版1.2
128K ×8位低功耗CMOS SRAM
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调整
1.0版
修订版1.1
修订版1.2
描述
创刊号
修订后的电流Icc
删除L级
加入SL级
加我
SB1
/I
DR
值当T
A
= 25
℃
和T
A
= 40
℃
修订
特点
＆放大器;
订购信息
无铅绿色封装
to
绿色包装
可用的
在加入填料类型
订购信息
修订后的V
TERM
到V
T1
和V
T2
删除吨
SOLDER
in
绝对最高可评级
发行日期
Jul.25.2004
Aug.13.2004
Mar.30.2009
5楼， 2号，工业东路。九，科学工业园区，新竹300 ，台湾。
电话： 886-3-6668838
传真： 886-3-6668836
Lyontek公司
保留权利更改规格和产品，恕不另行通知。
0
LY62L1024
修订版1.2
128K ×8位低功耗CMOS SRAM
概述
该LY62L1024是1,048,576位低功耗CMOS
静态随机存取存储器组织为131072
字由8位。它采用非常高的制作
高性能，高可靠性的CMOS技术。其
待机电流的范围内，稳定
工作温度。
该LY62L1024是精心设计的功耗非常低
系统的应用，并且特别适用于
电池备份非易失性存储器应用。
该LY62L1024单电源工作
供应2.7V 3.6V ，所有输入和输出
完全兼容TTL
特点
快速存取时间：35 /55 / 70ns的
低功耗：
工作电流：12 /10 / 7毫安（ TYP 。 ）
待机电流： 1μA （典型值）， LL-版
0.8μA （ TYP。 ） SL版
单2.7V 3.6V电源
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压： 1.5V （分钟）
提供绿色包装
封装： 32引脚450密耳SOP
32引脚600密耳的P- DIP
32引脚采用8mm x 20毫米TSOP -I
32引脚采用8mm x 13.4毫米STSOP
36球的6mm x 8毫米TFBGA
产品系列
产品
家庭
LY62L1024
LY62L1024(E)
LY62L1024(I)
操作
温度
0 ~ 70℃
-20 ~ 80℃
-40 ~ 85℃
VCC范围
2.7 ~ 3.6V
2.7 ~ 3.6V
2.7 ~ 3.6V
速度
35/55/70ns
35/55/70ns
35/55/70ns
功耗
待机（我
SB1,
TYP 。 ）
工作（ICC ， TYP 。 ）
1A(LL)/0.8A(SL)
12/10/7mA
1A(LL)/0.8A(SL)
12/10/7mA
1A(LL)/0.8A(SL)
12/10/7mA
功能框图
引脚说明
符号
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
无连接
VCC
VSS
A0 - A16
DQ0 - DQ7
解码器
128Kx8
存储阵列
CE ＃ ， CE2
WE＃
OE ＃
V
CC
V
SS
NC
A0-A16
DQ0-DQ7
I / O数据
电路
列I / O
CE＃
CE2
WE＃
OE ＃
控制
电路
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1
LY62L1024
修订版1.2
128K ×8位低功耗CMOS SRAM
引脚配置
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
SOP / P- DIP
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
CE2
WE＃
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
A11
A9
A8
A13
WE＃
CE2
A15
VCC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
LY62L1024
LY62L1024
TSOP -I / STSOP
A
B
C
D
E
F
G
H
A0
DQ4
DQ5
VSS
VCC
DQ6
A1
A2
CE2
WE＃
NC
A3
A4
A5
A6
A7
A8
DQ0
DQ1
VCC
VSS
NC
NC
DQ2
A15 DQ3
A13
A14
DQ7 OE ＃ CE ＃ A16
A9
A10
A11
A12
1
2
3
4
TFBGA
5
6
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128K ×8位低功耗CMOS SRAM
绝对最高可额定值*
参数
在V电压
CC
相对于V
SS
在任何其他引脚相对于V电压
SS
工作温度
储存温度
功耗
直流输出电流
符号
V
T1
V
T2
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
等级
-0.5到4.6
-0.5到V
CC
+0.5
0 70 （C级）
-20 80 （E级）
-40 85 （ I级）
-65到150
1
50
单位
V
V
℃
℃
W
mA
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
值仅为该设备甚至超过上述的这个业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
真值表
模式
待机
输出禁用
读
写
注意：
CE＃
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE ＃
X
X
H
L
X
WE＃
X
X
H
H
L
I / O操作
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
电源电流
I
SB
,I
SB1
I
SB
,I
SB1
I
CC
,I
CC1
I
CC
,I
CC1
I
CC
,I
CC1
H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
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128K ×8位低功耗CMOS SRAM
DC电气特性
符号
测试条件
参数
电源电压
V
CC
*1
输入高电压
V
IH
*2
输入低电压
V
IL
输入漏电流
I
LI
V
CC
≧
V
IN
≧
V
SS
输出漏
V
CC
≧
V
OUT
≧
V
SS
,
I
LO
当前
输出禁用
输出高电压
V
OH
I
OH
= -1mA
输出低电压
V
OL
I
OL
= 2毫安
周期时间=最小。
- 35
CE＃ = V
IL
和CE2 = V
IH
,
I
CC
- 55
I
I / O
= 0毫安
- 70
其他引脚在V
IL
或V
IH
平均开工
电源电流
周期时间= 1μs的时间
CE＃ = 0.2V和CE2
≧
V
CC
-0.2V,
I
CC1
I
I / O
= 0毫安
其他引脚在0.2V或V
CC
- 0.2V
CE＃ = V
IH
或CE2 = V
白细胞介素，
I
SB
其他引脚在V
IL
或V
IH
LL
LLE / LLI
CE＃
≧
V
CC
-0.2V
待机功耗
*5
SL
25℃
电源电流
或CE2
≦
0.2V
*5
I
SB1
SLE
其他人在0.2V或
*5
40℃
SLI
V
CC
- 0.2V
SL
SLE / SLI
注意事项：
1. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
2. V
IL
（分钟） = V
SS
- 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
3.过冲/下冲规范的特点，而不是100 ％测试。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。
典型值是在V测量
CC
= V
CC
（ TYP。 ）和T
A
= 25℃
5.该参数测量V
CC
= 3.0V
分钟。
2.7
2.2
- 0.2
-1
-1
2.2
-
-
-
-
-
典型值。
3.0
-
-
-
-
2.7
-
12
10
7
1
*4
马克斯。
3.6
V
CC
+0.3
0.6
1
1
-
0.4
35
30
25
5
单位
V
V
V
A
A
V
V
mA
mA
mA
mA
-
-
-
-
-
-
-
0.3
1
1
0.8
1
0.8
0.8
0.5
10
20
2
2
5
8
mA
A
A
A
A
A
A
5楼， 2号，工业东路。九，科学工业园区，新竹300 ，台湾。
电话： 886-3-6668838
传真： 886-3-6668836
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