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LP3994 50毫安CMOS电压稳压器,带有使能控制
2004年8月
LP3994
50毫安CMOS电压稳压器,带有使能控制
概述
该LP3994稳压器提供1.5V和1.8V输出OP-
系统蒸发散在高达50mA的负载电流。该LP3994提供
精确的输出电压在满低静态电流
电流。无噪音得到良好的噪声性能
旁路电容。在操作中,低静态电流
被减少到几乎为零时,该设备通过禁用
一个逻辑信号,以使能输入。一起选择中小
节省空间的电容, MI-的小封装尺寸
croSMD设备产生一个非常稳压器解决方案
占用空间小对于任何给定的应用程序。
该LP3994适合的范围内一般使用
便携式,电池供电设备和电压选项
比1.5V和1.8V等可以提供。
该LP3994还具有短路和热 -
关断保护。
性能被指定为-40°C至125°C的温度
范围内。
该器件可提供1.5V的输出电压和
1.8V两种的microSMD及LLP封装。其它电压
和可选的软件包可提供,请
请联系您当地的NSC销售办事处。
关键的特定连接的阳离子
n
n
n
n
n
n
n
n
输入电压范围
输出电压范围
输出电流
噪声系数
PSRR
快速启动
输出电容
几乎为零的我
Q
(已禁用)
2.5 5.5V
1.5 3.3V
50mA
95V
RMS
70dB
10s
1μF低ESR
0.001A
微型4针微型SMD
6引脚LLP
1毫米由1毫米由0.6米
SOT23封装的足迹
应用
n
蓝牙设备
n
电池供电设备
n
便携式信息设备
特点
n
n
n
n
n
n
4针的microSMD封装/ 6引脚LLP
无噪声旁路电容要求
逻辑控制使能
稳定的低ESR陶瓷电容器
在时间快转
热过载和短路保护
典型应用电路
20046501
2004美国国家半导体公司
DS200465
www.national.com
LP3994
引脚说明
包的micro SMD -4和LLP- 6
针无
SMD
A1
B1
B2
A2
符号
针无
律师事务所
5
2
1
6
3
4
PAD
V
EN
GND
V
OUT
V
IN
使能输入;使调节器时,
1.2V
禁止稳压器时,
0.4V
共同点
电压输出。一个1.0μF的低ESR电容应连接
此引脚。连接此输出到负载电路。
电源电压输入。一个1.0μF电容应在接
该输入。
无连接。不要连接到任何其它器件引脚。
无连接。不要连接到任何其它器件引脚。
连接至接地良好的热运行。
名称和功能
连接图
20046502
微型SMD - 4封装
见NS包装数TLA04
20046507
LLP- 6封装( SOT23足迹)
见NS包装数LDE06A
www.national.com
2
LP3994
订购信息
微型SMD封装
产量
电压(V)的
1.5
1.8
LP3994提供1000
单位,磁带和卷轴
LP3994TL-1.5
LP3994TL-1.8
LP3994提供3000
单位,磁带和卷轴
LP3994TLX-1.5
LP3994TLX-1.8
GRADE
性病
性病
对于的microSMD封装(无铅)
产量
电压(V)的
1.5
1.8
LP3994提供1000
单位,磁带和卷轴
LP3994TL-1.5NOPB
LP3994TL-1.8NOPB
对于LLP封装
产量
电压(V)的
1.5
1.8
LP3994提供1000
单位,磁带和卷轴
LP3994LD-1.5
LP3994LD-1.8
LP3994提供3000
单位,磁带和卷轴
LP3994LDX-1.5
LP3994LDX-1.8
LP3994提供3000
单位,磁带和卷轴
LP3994TLX-1.5NOPB
LP3994TLX-1.8NOPB
GRADE
性病
性病
GRADE
性病
性病
包装标志
L028B
L029B
3
www.national.com
LP3994
绝对最大额定值
(注1,2 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
输入电压
输出电压
使能输入电压
结温
铅温度。
的microSMD
律师事务所
储存温度
连续功率
耗散(注3)
260C
235
o
C
-65 ℃150℃
-0.3 6.5V
-0.3 (V
IN
+ 0.3V )至
6.5V (最大)
-0.3 (V
IN
+ 0.3V )至
6.5V (最大)
150C
ESD额定值(注4 )
人体模型
机器型号
2KV
200V
工作条件
(注1,2 )
输入电压
使能输入电压
结温(T
J
)范围
环境温度(T
A
)范围
(注5 )
2.5 5.5V
0至(Ⅴ
IN
+ 0.3V)
-40°C至125°C
-40到85
o
C
热性能
结到环境热阻(注
6)
θ
JA
的microSMD封装
θ
JA
LLP封装
220
o
C / W
88
o
C / W
内部限制
电气特性
(注2,7)
除非另有说明,V
EN
= 1.2, V
IN
= V
OUT
+ 1.0V ,C
IN
= 1 μF ,我
OUT
= 1毫安,C
OUT
= 1 μF 。典型值和限制AP-
pearing在普通型适用于对于T
J
= 25℃。出现在极限
粗体
则适用于整个温度范围内操作
化, -40 + 125℃ 。 (注13 , 14 )
符号
V
IN
参数
输入电压
输出电压容差
V
OUT
线路调整错误
负载调节误差
I
Q
静态电流
在整个线路和负载调节。
V
IN
= (V
OUT ( NOM )
+ 1.0V )至5.5V ,
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 1mA至50毫安
的microSMD :
律师事务所:
静态电流(已禁用)
设备输出: V
OUT
& GT ;
1.8V
V
IN
V
OUT
输入电压
输出电压容差
线路调整错误
负载调节误差
输入输出电压差
(如适用)
I
Q
静态电流
在整个线路和负载调节。
V
IN
= (V
OUT ( NOM )
+ 1.0V )至5.5V ,
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 1mA至50毫安
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 50毫安
的microSMD :
律师事务所:
静态电流(已禁用)
全V
OUT
范围
I
负载
I
SC
负载电流
短路电流限制
(注8,9)
(注12 )
0
235
A
mA
V
EN
= 0.4V
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 50毫安
2.5
-90
0.005
100
1.5
75
18
22
20
22
0.001
5.5
+90
0.1
500
4.5
140
50
60
55
65
1.5
A
V
mV
%/V
μV / MA
mV
V
EN
= 0.4V
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 50毫安
条件
2.5
-60
0.005
100
15
22
15
25
0.001
典型值
最大
5.5
+60
0.07
400
35
50
40
65
1.5
A
单位
V
mV
%/V
μV / MA
设备输出: V
OUT
1.8V
www.national.com
4
LP3994
电气特性
(注2,7)
(续)
除非另有说明,V
EN
= 1.2, V
IN
= V
OUT
+ 1.0V ,C
IN
= 1 μF ,我
OUT
= 1毫安,C
OUT
= 1 μF 。典型值和限制AP-
pearing在普通型适用于对于T
J
= 25℃。出现在极限
粗体
则适用于整个温度范围内操作
化, -40 + 125℃ 。 (注13 , 14 )
符号
参数
电源抑制比
条件
F = 100Hz的,我
OUT
= 1mA至50毫安
F = 50kHz的,我
OUT
= 1mA至50毫安
F = 1MHz时,我
OUT
= 1毫安
F = 1MHz时,我
OUT
= 50毫安
典型值
70
30
50
40
95
160
20
V
EN
= 0.0V和V
IN
= 5.5V
V
IN
= 2.5V至5.5V
V
IN
= 2.5V至5.5V
1090 %的V
OUT ( NOM )
(注10 )
到95 %的水平(注11 )
线路瞬态响应| δV
OUT
|
图1
(注9 )
负载瞬态响应
|δV
OUT
|
图2
(注9 )
1.2
10
35
20
100
20
70
mV
V
RMS
C
dB
最大
单位
PSRR
E
n
输出噪声电压(注9 )
BW = 100Hz至100kHz的,
V
IN
= 4.2V ,我
OUT
= 1毫安
T
关闭
热关断温度
热关断迟滞
使能控制特性
I
EN
V
IL
V
IH
T
ON1
T
ON2
短暂
响应
最大输入电流
V
EN
输入
低输入阈值
高输入阈值
开启时间(注9 )
0.015
0.4
A
V
V
时序特性
S
注1 :
绝对最大额定值是损害的界限,就可能发生。额定工作值是在何种条件下设备的操作
保证。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试环境,请参阅电气
特性表。
注2 :
所有的电压都是相对于在GND引脚的潜力。
注3 :
内部热关断电路保护永久性损坏设备
注4 :
人体是通过1.5kW的电阻向每个引脚100pF的放电。机器模型是一个200 pF电容直接排放到每一个引脚。
注5 :
在实际应用中需要高功耗和/或热性差是目前最大的环境温度可能要降级。
最高环境温度(T
A(最大值)
)是依赖于最大工作结温(T
J(下MAX- OP )
),最大功耗(P
D(最大)
) ,以及
结到环境的热阻在应用程序中( θ
JA
) 。此关系由下式给出: -
T
A(最大值)
= T
J(下MAX- OP )
(P
D(最大)
x
θ
JA
)
请参阅应用程序部分。
注6 :
结到环境的热阻是高度应用和电路板布局有关。在应用中,高的最大功率耗散存在,则
散热问题应该在电路板布局设计来解决。
注7 :
最小和最大限制是由设计,测试或统计分析保证。典型的数字也无法保证,但代表了最常见的情况。
注8 :
该器件保持无负载稳压输出电压。
注9 :
该电气规格为设计保证。
注10 :
时间V
OUT
从10上升到90 %的V
OUT ( NOM )
.
注11 :
从V时代
EN
= 1.2V至V
OUT
= 95%(V
OUT ( NOM )
).
注12 :
短路电流的测量上,在当短路条件降低了输出电压,以95%的标称值的点的输入电源线。
注13 :
C
IN
和C
OUT
:在设置电气特性使用低ESR面蒙设备。
注14 :
所有参数均保证。具有室温的范围的所有的电气特性在生产过程中在T测试
J
= 25℃或相关使用
统计质量控制方法。工作在温度规格是由相关的电气特性进行处理,并保证
温度变化及统计过程控制。
输出电容推荐规格
符号
C
o
参数
输出电容
ESR
条件
电容(注15 )
0.7
典型值
1.0
5
500
最大
单位
F
m
注15 :
该电容的容差应为
±
30 %以上的整个温度范围内更好。用于电容器中的应用程序的完整范围的操作条件
应在设备的选择要考虑到保证这个最小电容要求。 X7R电容器的类型,建议,全面满足设备
温度范围内,但X5R , Y5V , Z5U和类型可以用来仔细考虑应用程序及其运行条件。 (见电容器
在应用提示部分。 )
5
www.national.com
LP3994 50毫安CMOS电压稳压器,带有使能控制
2004年8月
LP3994
50毫安CMOS电压稳压器,带有使能控制
概述
该LP3994稳压器提供1.5V和1.8V输出OP-
系统蒸发散在高达50mA的负载电流。该LP3994提供
精确的输出电压在满低静态电流
电流。无噪音得到良好的噪声性能
旁路电容。在操作中,低静态电流
被减少到几乎为零时,该设备通过禁用
一个逻辑信号,以使能输入。一起选择中小
节省空间的电容, MI-的小封装尺寸
croSMD设备产生一个非常稳压器解决方案
占用空间小对于任何给定的应用程序。
该LP3994适合的范围内一般使用
便携式,电池供电设备和电压选项
比1.5V和1.8V等可以提供。
该LP3994还具有短路和热 -
关断保护。
性能被指定为-40°C至125°C的温度
范围内。
该器件可提供1.5V的输出电压和
1.8V两种的microSMD及LLP封装。其它电压
和可选的软件包可提供,请
请联系您当地的NSC销售办事处。
关键的特定连接的阳离子
n
n
n
n
n
n
n
n
输入电压范围
输出电压范围
输出电流
噪声系数
PSRR
快速启动
输出电容
几乎为零的我
Q
(已禁用)
2.5 5.5V
1.5 3.3V
50mA
95V
RMS
70dB
10s
1μF低ESR
0.001A
微型4针微型SMD
6引脚LLP
1毫米由1毫米由0.6米
SOT23封装的足迹
应用
n
蓝牙设备
n
电池供电设备
n
便携式信息设备
特点
n
n
n
n
n
n
4针的microSMD封装/ 6引脚LLP
无噪声旁路电容要求
逻辑控制使能
稳定的低ESR陶瓷电容器
在时间快转
热过载和短路保护
典型应用电路
20046501
2004美国国家半导体公司
DS200465
www.national.com
LP3994
引脚说明
包的micro SMD -4和LLP- 6
针无
SMD
A1
B1
B2
A2
符号
针无
律师事务所
5
2
1
6
3
4
PAD
V
EN
GND
V
OUT
V
IN
使能输入;使调节器时,
1.2V
禁止稳压器时,
0.4V
共同点
电压输出。一个1.0μF的低ESR电容应连接
此引脚。连接此输出到负载电路。
电源电压输入。一个1.0μF电容应在接
该输入。
无连接。不要连接到任何其它器件引脚。
无连接。不要连接到任何其它器件引脚。
连接至接地良好的热运行。
名称和功能
连接图
20046502
微型SMD - 4封装
见NS包装数TLA04
20046507
LLP- 6封装( SOT23足迹)
见NS包装数LDE06A
www.national.com
2
LP3994
订购信息
微型SMD封装
产量
电压(V)的
1.5
1.8
LP3994提供1000
单位,磁带和卷轴
LP3994TL-1.5
LP3994TL-1.8
LP3994提供3000
单位,磁带和卷轴
LP3994TLX-1.5
LP3994TLX-1.8
GRADE
性病
性病
对于的microSMD封装(无铅)
产量
电压(V)的
1.5
1.8
LP3994提供1000
单位,磁带和卷轴
LP3994TL-1.5NOPB
LP3994TL-1.8NOPB
对于LLP封装
产量
电压(V)的
1.5
1.8
LP3994提供1000
单位,磁带和卷轴
LP3994LD-1.5
LP3994LD-1.8
LP3994提供3000
单位,磁带和卷轴
LP3994LDX-1.5
LP3994LDX-1.8
LP3994提供3000
单位,磁带和卷轴
LP3994TLX-1.5NOPB
LP3994TLX-1.8NOPB
GRADE
性病
性病
GRADE
性病
性病
包装标志
L028B
L029B
3
www.national.com
LP3994
绝对最大额定值
(注1,2 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
输入电压
输出电压
使能输入电压
结温
铅温度。
的microSMD
律师事务所
储存温度
连续功率
耗散(注3)
260C
235
o
C
-65 ℃150℃
-0.3 6.5V
-0.3 (V
IN
+ 0.3V )至
6.5V (最大)
-0.3 (V
IN
+ 0.3V )至
6.5V (最大)
150C
ESD额定值(注4 )
人体模型
机器型号
2KV
200V
工作条件
(注1,2 )
输入电压
使能输入电压
结温(T
J
)范围
环境温度(T
A
)范围
(注5 )
2.5 5.5V
0至(Ⅴ
IN
+ 0.3V)
-40°C至125°C
-40到85
o
C
热性能
结到环境热阻(注
6)
θ
JA
的microSMD封装
θ
JA
LLP封装
220
o
C / W
88
o
C / W
内部限制
电气特性
(注2,7)
除非另有说明,V
EN
= 1.2, V
IN
= V
OUT
+ 1.0V ,C
IN
= 1 μF ,我
OUT
= 1毫安,C
OUT
= 1 μF 。典型值和限制AP-
pearing在普通型适用于对于T
J
= 25℃。出现在极限
粗体
则适用于整个温度范围内操作
化, -40 + 125℃ 。 (注13 , 14 )
符号
V
IN
参数
输入电压
输出电压容差
V
OUT
线路调整错误
负载调节误差
I
Q
静态电流
在整个线路和负载调节。
V
IN
= (V
OUT ( NOM )
+ 1.0V )至5.5V ,
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 1mA至50毫安
的microSMD :
律师事务所:
静态电流(已禁用)
设备输出: V
OUT
& GT ;
1.8V
V
IN
V
OUT
输入电压
输出电压容差
线路调整错误
负载调节误差
输入输出电压差
(如适用)
I
Q
静态电流
在整个线路和负载调节。
V
IN
= (V
OUT ( NOM )
+ 1.0V )至5.5V ,
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 1mA至50毫安
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 50毫安
的microSMD :
律师事务所:
静态电流(已禁用)
全V
OUT
范围
I
负载
I
SC
负载电流
短路电流限制
(注8,9)
(注12 )
0
235
A
mA
V
EN
= 0.4V
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 50毫安
2.5
-90
0.005
100
1.5
75
18
22
20
22
0.001
5.5
+90
0.1
500
4.5
140
50
60
55
65
1.5
A
V
mV
%/V
μV / MA
mV
V
EN
= 0.4V
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 50毫安
条件
2.5
-60
0.005
100
15
22
15
25
0.001
典型值
最大
5.5
+60
0.07
400
35
50
40
65
1.5
A
单位
V
mV
%/V
μV / MA
设备输出: V
OUT
1.8V
www.national.com
4
LP3994
电气特性
(注2,7)
(续)
除非另有说明,V
EN
= 1.2, V
IN
= V
OUT
+ 1.0V ,C
IN
= 1 μF ,我
OUT
= 1毫安,C
OUT
= 1 μF 。典型值和限制AP-
pearing在普通型适用于对于T
J
= 25℃。出现在极限
粗体
则适用于整个温度范围内操作
化, -40 + 125℃ 。 (注13 , 14 )
符号
参数
电源抑制比
条件
F = 100Hz的,我
OUT
= 1mA至50毫安
F = 50kHz的,我
OUT
= 1mA至50毫安
F = 1MHz时,我
OUT
= 1毫安
F = 1MHz时,我
OUT
= 50毫安
典型值
70
30
50
40
95
160
20
V
EN
= 0.0V和V
IN
= 5.5V
V
IN
= 2.5V至5.5V
V
IN
= 2.5V至5.5V
1090 %的V
OUT ( NOM )
(注10 )
到95 %的水平(注11 )
线路瞬态响应| δV
OUT
|
图1
(注9 )
负载瞬态响应
|δV
OUT
|
图2
(注9 )
1.2
10
35
20
100
20
70
mV
V
RMS
C
dB
最大
单位
PSRR
E
n
输出噪声电压(注9 )
BW = 100Hz至100kHz的,
V
IN
= 4.2V ,我
OUT
= 1毫安
T
关闭
热关断温度
热关断迟滞
使能控制特性
I
EN
V
IL
V
IH
T
ON1
T
ON2
短暂
响应
最大输入电流
V
EN
输入
低输入阈值
高输入阈值
开启时间(注9 )
0.015
0.4
A
V
V
时序特性
S
注1 :
绝对最大额定值是损害的界限,就可能发生。额定工作值是在何种条件下设备的操作
保证。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试环境,请参阅电气
特性表。
注2 :
所有的电压都是相对于在GND引脚的潜力。
注3 :
内部热关断电路保护永久性损坏设备
注4 :
人体是通过1.5kW的电阻向每个引脚100pF的放电。机器模型是一个200 pF电容直接排放到每一个引脚。
注5 :
在实际应用中需要高功耗和/或热性差是目前最大的环境温度可能要降级。
最高环境温度(T
A(最大值)
)是依赖于最大工作结温(T
J(下MAX- OP )
),最大功耗(P
D(最大)
) ,以及
结到环境的热阻在应用程序中( θ
JA
) 。此关系由下式给出: -
T
A(最大值)
= T
J(下MAX- OP )
(P
D(最大)
x
θ
JA
)
请参阅应用程序部分。
注6 :
结到环境的热阻是高度应用和电路板布局有关。在应用中,高的最大功率耗散存在,则
散热问题应该在电路板布局设计来解决。
注7 :
最小和最大限制是由设计,测试或统计分析保证。典型的数字也无法保证,但代表了最常见的情况。
注8 :
该器件保持无负载稳压输出电压。
注9 :
该电气规格为设计保证。
注10 :
时间V
OUT
从10上升到90 %的V
OUT ( NOM )
.
注11 :
从V时代
EN
= 1.2V至V
OUT
= 95%(V
OUT ( NOM )
).
注12 :
短路电流的测量上,在当短路条件降低了输出电压,以95%的标称值的点的输入电源线。
注13 :
C
IN
和C
OUT
:在设置电气特性使用低ESR面蒙设备。
注14 :
所有参数均保证。具有室温的范围的所有的电气特性在生产过程中在T测试
J
= 25℃或相关使用
统计质量控制方法。工作在温度规格是由相关的电气特性进行处理,并保证
温度变化及统计过程控制。
输出电容推荐规格
符号
C
o
参数
输出电容
ESR
条件
电容(注15 )
0.7
典型值
1.0
5
500
最大
单位
F
m
注15 :
该电容的容差应为
±
30 %以上的整个温度范围内更好。用于电容器中的应用程序的完整范围的操作条件
应在设备的选择要考虑到保证这个最小电容要求。 X7R电容器的类型,建议,全面满足设备
温度范围内,但X5R , Y5V , Z5U和类型可以用来仔细考虑应用程序及其运行条件。 (见电容器
在应用提示部分。 )
5
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