产品数据
微国际公司
产品型号
LDT2222A和LDT2222AT
微LID NPN晶体管
微国际公司
179-204百丽阿甘圈
纳什维尔，田纳西州37221
电话： 615-662-1200传真615-662-1226
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微LID晶体管
LDT2222A和LDT2222AT
描述：
该LDT2222A （镀锡）和LDT2222AT （罐头）是NPN硅晶体管
在非常小，坚固耐用，表面贴装， 4柱陶瓷封装（微
国际制包P / N 4-075-1 ） 。该LDT2222A和
LDT2222AT满足2N2222A晶体管的一般规格。该
4-075-1微LID包是一个四柱，无引线陶瓷载体可以是
带有金色金属或预镀锡的土地，并已被批准用于军事，
医用植入物，传感器，和高可靠性的应用。该LDT2222A和
LDT2222AT可以用特殊的功能选项，如额外提供
温度循环和筛选。
最大额定值：
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
工作结温
储存温度
工作温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
Ic
Pt
Tj
TSTG
豪饮者
等级
75 V
40 V
6V
500毫安
350毫瓦
150°
C
在-65°至150°
C
C
-55°至125°
C
C
1997年1/3月
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微LID晶体管
LDT2222A和LDT2222AT
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大纲/图：
顶视图
3
.040
2
2
3, 4
1
4
1
.075
SIDE VIEW
端视图
.035
基材/电路板
尺寸/标记：
长
宽度
高度
.075′+ .003′
′
′
.040′+ .003′
′
′
.035′+ .003′
′
′
帖子1 （发射极）
邮政2 （基地）
帖子3,4 （珍藏）
0.015 “ .010'typ
′
x
′
0.015 “ .010'typ
′
x
′
0.015 “ .012'typ
′
x
′
黑点在发射器和红点的中心：在包的背面标记
（后下配置）
标准，工艺筛选条件：
半导体芯片和微型盖包装外观检查
线材拉力测试仪
24小时稳定烘烤在150℃
C
从-55 °到125 ° 10次温度循环
C
C
直流特性在25℃ 100 ％电气测试
C
最终视觉检查
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1997年2/3月
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微LID晶体管
LDT2222A和LDT2222AT
电气特性（ 25℃环境）
C
参数
集电极 - 基极击穿
IC = 10微安， IE = 0
集电极 - 发射极击穿*
磅= 0， IC = 10毫安
发射极 - 基极击穿
IC = 0 ， IE = 10微安
集电极 - 基极截止电流
VCB = 60 V
发射基截止电流
VEB = 3V
正向直流电流增益*
IC = 1毫安的Vce = 10 V
IC = 150 mA时，的Vce = 10 V
集电极 - 发射极饱和
IC = 150 mA时， IB = 15毫安
基射极饱和
IC = 150 mA时， IB = 15毫安
集电极电容
VCB = 10V ， IE = 0
F = 1 MHz的
符号
BVCBO
民
75
典型值
--
最大
--
单位
V
BVCEO
40
--
--
V
BVEBO
6
--
--
V
ICBO
--
--
10
nA
IEBO
--
--
10
nA
的hFE
50
100
VCE （ SAT ）
--
--
--
300
.3
V
--
VBE （ SAT ）
--
--
1.2
V
科博
--
--
8
pF
*脉冲测试，脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
1997年3/3月
