乐山无线电公司， LTD 。
通用晶体管
PNP硅
湿度敏感度等级： 1
ESD额定值 - 人体模型： >4000 V
ESD额定值
- 机器型号： >400 V
无铅包可用
最大额定值
（ TA = 25° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
LBC856
LBC857
LBC858 ， LBC859
LBC856
LBC857
LBC858 ， LBC859
符号
VCEO
价值
–65
–45
–30
–80
–50
–30
–5.0
–100
单位
V
1
2
LBC856ALT1
系列
3
SOT–23
集电极 - 基极电压
VCBO
V
3
收集或
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
VEBO
IC
V
MADC
1
B酶
热特性
特征
器件总功耗FR - 5局，
（注1 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度
符号
PD
225
1.8
R
qJA
PD
300
2.4
R
qJA
TJ ， TSTG
417
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
xx
最大
单位
2
EMIT牛逼ER
标记图
3
XX =器件标识
（见下表）
在1 FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
LBC856ALT1S-1/7
乐山无线电公司， LTD 。
LBC856ALT1系列
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = -10毫安）
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = -10
A,
VEB = 0）的
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = -10
毫安）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = -1.0
毫安）
LBC856系列
LBC857系列
LBC858 ， LBC859系列
LBC856系列
LBC857系列
LBC858 ， LBC859系列
LBC856系列
LBC857系列
LBC858 ， LBC859系列
LBC856系列
LBC857系列
LBC858 ， LBC859系列
V（ BR ） CEO
–65
–45
–30
–80
–50
–30
–80
–50
–30
–5.0
–5.0
–5.0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–15
–4.0
V
V（ BR ） CES
V
V（ BR ） CBO
V
V（ BR ） EBO
V
集电极截止电流（ VCB = -30 V）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = -30 V， TA = 150 ° C）
ICBO
nA
A
基本特征
直流电流增益
（ IC = -10
A,
VCE = -5.0 V）
LBC856A ， LBC857A ， LBC858A
LBC856B ， LBC857B ， LBC858B ， LBC859B
LBC857C ， LBC858C ， LBC859C
LBC856A ， LBC857A ， LBC858A
LBC856B ， LBC857B ， LBC858B ， LBC859B
LBC857C ， LBC858C ， LBC859C
VCE （ SAT ）
–
–
VBE （ SAT ）
–
–
VBE （ON）的
–0.6
–
–
–
–0.75
–0.82
–0.7
–0.9
–
–
V
–
–
–0.3
–0.65
V
的hFE
–
–
–
125
220
420
90
150
270
180
290
520
–
–
–
250
475
800
V
–
（ IC = -2.0毫安， VCE = -5.0 V）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = -10毫安， IB = -0.5毫安）
（ IC = -100毫安， IB = -5.0毫安）
基射极饱和电压
（ IC = -10毫安， IB = -0.5毫安）
（ IC = -100毫安， IB = -5.0毫安）
基射极电压ON
（ IC = -2.0毫安， VCE = -5.0 V）
（ IC = -10毫安， VCE = -5.0 V）
小信号特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = -10毫安， VCE = -5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容
（ VCB = -10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
（ IC = -0.2毫安， VCE = -5.0伏， RS = 2.0千欧， F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
LBC856 ， LBC857 ， LBC858系列
LBC859系列
fT
COB
NF
–
–
–
–
10
4.0
100
–
–
–
–
4.5
兆赫
pF
dB
LBC856ALT1S-3/7
乐山无线电公司， LTD 。
LBC856ALT1系列
LBC856
h
FE
，直流电流增益（标准化）
–1.0
V
CE
= –5.0V
T
A
= 25°C
2.0
1.0
0.5
0.2
–0.1–0.2
–1.0–2.0 –5.0–10–20 –50–100–200
I
C
，集电极电流（毫安）
V，电压（V ）
T
J
= 25°C
–0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
–0.6
–0.4
–0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
–0.2
–0.5 –1.0 –2.0
–5.0 –10 –20
–50 –100 –200
V
BE
@V
CE
= –5.0 V
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.直流电流增益
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图8. “开”电压
θ
VB
，温度系数（毫伏/ ° C）
–2.0
–1.6
–1.2
–0.8
–0.4
T
J
= 25°C
0
–0.02
–0.05 –0.1 –0.2
–0.5 –1.0 –2.0
–5.0
–10 –20
I
C
=
= 10毫安
–20mA
–50mA
-100mA -200mA
–1.0
–1.4
–1.8
–2.2
–2.6
–3.0
–0.2
θ
VB
对于V
BE
-55 ° C至125°C
–0.5 –1.0 –2.0
–5.0
–10 –20
–50 –100 –200
I
B
，基极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
f
T
型，电流增益 - 带宽积牛逼
40
C，电容（pF ）
20
T
J
= 25°C
C
ib
500
200
100
50
20
V
CE
= –5.0 V
10
8.0
6.0
4.0
2.0
–0.1–0.2 –0.5
C
ob
–1.0 –2.0
–5.0 –10 –20
–50 –100
–1.0
–10
–100
V
R
，反向电压（伏）
I
C
，集电极电流（毫安）
图11.电容
图12.电流增益 - 带宽积
LBC856ALT1S-5/7
乐山无线电公司， LTD 。
通用晶体管
PNP硅
湿度敏感度等级： 1
ESD额定值 - 人体模型： >4000 V
ESD额定值
- 机器型号： >400 V
无铅包可用
最大额定值
（ TA = 25° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
LBC856
LBC857
LBC858 ， LBC859
LBC856
LBC857
LBC858 ， LBC859
符号
VCEO
价值
–65
–45
–30
–80
–50
–30
–5.0
–100
单位
V
1
2
LBC856ALT1
系列
3
SOT–23
集电极 - 基极电压
VCBO
V
3
收集或
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
VEBO
IC
V
MADC
1
B酶
热特性
特征
器件总功耗FR - 5局，
（注1 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度
符号
PD
225
1.8
R
qJA
PD
300
2.4
R
qJA
TJ ， TSTG
417
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
xx
最大
单位
2
EMIT牛逼ER
标记图
3
XX =器件标识
（见下表）
在1 FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
LBC856ALT1S-1/7
乐山无线电公司， LTD 。
LBC856ALT1系列
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = -10毫安）
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = -10
A,
VEB = 0）的
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = -10
毫安）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = -1.0
毫安）
LBC856系列
LBC857系列
LBC858 ， LBC859系列
LBC856系列
LBC857系列
LBC858 ， LBC859系列
LBC856系列
LBC857系列
LBC858 ， LBC859系列
LBC856系列
LBC857系列
LBC858 ， LBC859系列
V（ BR ） CEO
–65
–45
–30
–80
–50
–30
–80
–50
–30
–5.0
–5.0
–5.0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–15
–4.0
V
V（ BR ） CES
V
V（ BR ） CBO
V
V（ BR ） EBO
V
集电极截止电流（ VCB = -30 V）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = -30 V， TA = 150 ° C）
ICBO
nA
A
基本特征
直流电流增益
（ IC = -10
A,
VCE = -5.0 V）
LBC856A ， LBC857A ， LBC858A
LBC856B ， LBC857B ， LBC858B ， LBC859B
LBC857C ， LBC858C ， LBC859C
LBC856A ， LBC857A ， LBC858A
LBC856B ， LBC857B ， LBC858B ， LBC859B
LBC857C ， LBC858C ， LBC859C
VCE （ SAT ）
–
–
VBE （ SAT ）
–
–
VBE （ON）的
–0.6
–
–
–
–0.75
–0.82
–0.7
–0.9
–
–
V
–
–
–0.3
–0.65
V
的hFE
–
–
–
125
220
420
90
150
270
180
290
520
–
–
–
250
475
800
V
–
（ IC = -2.0毫安， VCE = -5.0 V）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = -10毫安， IB = -0.5毫安）
（ IC = -100毫安， IB = -5.0毫安）
基射极饱和电压
（ IC = -10毫安， IB = -0.5毫安）
（ IC = -100毫安， IB = -5.0毫安）
基射极电压ON
（ IC = -2.0毫安， VCE = -5.0 V）
（ IC = -10毫安， VCE = -5.0 V）
小信号特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = -10毫安， VCE = -5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容
（ VCB = -10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
（ IC = -0.2毫安， VCE = -5.0伏， RS = 2.0千欧， F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
LBC856 ， LBC857 ， LBC858系列
LBC859系列
fT
COB
NF
–
–
–
–
10
4.0
100
–
–
–
–
4.5
兆赫
pF
dB
LBC856ALT1S-3/7
乐山无线电公司， LTD 。
LBC856ALT1系列
LBC856
h
FE
，直流电流增益（标准化）
–1.0
V
CE
= –5.0V
T
A
= 25°C
2.0
1.0
0.5
0.2
–0.1–0.2
–1.0–2.0 –5.0–10–20 –50–100–200
I
C
，集电极电流（毫安）
V，电压（V ）
T
J
= 25°C
–0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
–0.6
–0.4
–0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
–0.2
–0.5 –1.0 –2.0
–5.0 –10 –20
–50 –100 –200
V
BE
@V
CE
= –5.0 V
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.直流电流增益
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图8. “开”电压
θ
VB
，温度系数（毫伏/ ° C）
–2.0
–1.6
–1.2
–0.8
–0.4
T
J
= 25°C
0
–0.02
–0.05 –0.1 –0.2
–0.5 –1.0 –2.0
–5.0
–10 –20
I
C
=
= 10毫安
–20mA
–50mA
-100mA -200mA
–1.0
–1.4
–1.8
–2.2
–2.6
–3.0
–0.2
θ
VB
对于V
BE
-55 ° C至125°C
–0.5 –1.0 –2.0
–5.0
–10 –20
–50 –100 –200
I
B
，基极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
f
T
型，电流增益 - 带宽积牛逼
40
C，电容（pF ）
20
T
J
= 25°C
C
ib
500
200
100
50
20
V
CE
= –5.0 V
10
8.0
6.0
4.0
2.0
–0.1–0.2 –0.5
C
ob
–1.0 –2.0
–5.0 –10 –20
–50 –100
–1.0
–10
–100
V
R
，反向电压（伏）
I
C
，集电极电流（毫安）
图11.电容
图12.电流增益 - 带宽积
LBC856ALT1S-5/7
