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DRAM模块
绝对最大额定值*
在任何相对引脚V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路输出电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
T
英镑
P
D
I
OS
等级
-0.5到+4.6
-0.5到+4.6
-55到+125
12
50
KMM372F804BS
单位
V
V
°C
W
mA
*如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。功能操作应仅限于
条件详见本数据表中的业务部门。暴露在绝对最大额定值条件下,预期
期间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
(电压参考V
SS
, T
A
= 0 70℃ )
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
3.0
0
2.0
-0.3
*2
典型值
3.3
0
-
-
最大
3.6
0
V
CC
+0.3
*1
0.8
单位
V
V
V
V
*1 : V
CC
+ 1.3V的脉冲width≤15ns ,其测量V
CC
.
* 2: -1.3V在脉冲width≤15ns ,其测量V
SS
.
DC和工作特性
(推荐工作条件,除非另有说明)
KMM372F804BS
符号
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
I
CC6
I
I(L)
I
O( L)
V
OH
V
OL
速度
-5
-6
不在乎
-5
-6
-5
-6
不在乎
-5
-6
不在乎
不在乎
-
-
最大
760
700
100
760
700
700
640
30
760
700
10
10
-
0.4
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
uA
uA
V
V
-
-
-
-
-
-
-
-
-10
-10
2.4
-
I
CC1
*:工作电流* ( RAS , CAS ,地址@骑自行车
t
RC
=分钟)
I
CC2
:待机电流( RAS = CAS = W = V
IH
)
I
CC3
*: RAS只刷新当前* ( CAS = V
IH
, RAS循环@
t
RC
=分钟)
I
CC4
*:扩展数据输出模式电流* ( RAS = V
IL
中科院循环:吨
HPC
=分钟)
I
CC5
:待机电流( RAS = CAS = W = VCC- 0.2V )
I
CC6
*: CAS先于RAS的刷新电流* ( RAS和CAS @骑自行车
t
RC
=分钟)
I(
IL )
:输入漏电流(任何输入0≤V
IN
≤Vcc+0.3V,
所有其它引脚不能被测= 0 V)
I(
OL )
:输出漏电流(数据输出被禁用, 0V≤V
OUT
≤VCC )
V
OH
:输出高电压电平(I
OH
= -2mA )
V
OL
:输出低电压电平(I
OL
= 2毫安)
*注
: I
CC1
, I
CC3
, I
CC4
CC6
依赖于输出负载和循环率。指定的值与输出开路获得。
I
CC
被指定为一个平均电流。在我
CC1
CC3
,地址可以在RAS = V来改变最大的一次,
IL
。在我
CC4
,
地址是可以改变的最大的一次, 1 EDO模式的周期时间内,T
HPC
.
DRAM模块
电容
(T
A
= 25 ° C,F = 1MHZ )
输入电容[ A0,B0 , A1 - A11〕
输入电容[ W0 , W2 , OE0 , OE2 ]
输入电容[ RAS0 - RAS3 ]
输入电容[ CAS0 , 1,4,5 ]
输入/输出电容[ DQ0 - 71 ]
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
DQ
-
-
-
-
-
KMM372F804BS
最大
20
20
31
20
24
单位
pF
pF
pF
pF
pF
AC特性
(0°C≤T
A
≤70°C,
V
CC
= 3.3V ± 0.3V 。见注释1,2 )。
测试条件: V
ih
/V
il
=2.2/0.7V, V
oh
/V
ol
= 2.0 / 0.8V ,输出负载CL = 100pF的
参数
随机读或写周期时间
读 - 修改 - 写周期时间
从RAS访问时间
从CAS访问时间
从列地址访问时间
CAS到输出中低Z
OE为输出低Z
中国科学院输出缓冲关断延迟
转换时间(上升和下降)
RAS预充电时间
RAS脉冲宽度
RAS保持时间
CAS保持时间
CAS脉冲宽度
RAS到CAS的延迟时间
RAS到列地址的延迟时间
CAS到RAS预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
列地址到RAS交货时间
读命令设置时间
读取命令搁置参考CAS
读取命令搁置参考RAS
写命令设置时间
写命令保持时间
WRITE命令的脉冲宽度
写命令到RAS交货期
写命令到CAS交货期
数据建立时间
数据保持时间
刷新周期
CAS为W延迟时间
RAS为W延迟时间
符号
-5
最大
104
153
50
18
30
8
8
8
1
30
50
13
36
8
15
10
10
5
5
0
7
30
0
0
-2
0
7
7
13
7
-2
13
64
33
68
38
82
10K
32
20
10K
18
50
8
8
8
1
40
60
15
38
10
18
13
10
5
8
0
10
35
0
0
-2
0
10
10
15
10
-2
15
64
10K
40
25
10K
18
50
60
20
35
84
128
-6
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
7,16
7,13
13
17
9,13
9,13
8
8,13
7
4,13
10,13
13
13
13
14
14
13
13
13
3,4,10
3,4,5,13
3,10,13
3,13
3,13
6,11,13
2
单位
t
RC
t
RWC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
CLZ
t
OLZ
t
CEZ
t
T
t
RP
t
RAS
t
RSH
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
拉德
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
拉尔
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
t
REF
t
CWD
t
RWD
DRAM模块
AC特性
(0°C≤T
A
≤70°C,
V
CC
= 3.3V ± 0.3V 。见注释1,2 )。
参数
列地址为W延迟时间
CAS预充电时间为W延迟时间
CAS建立时间( CAS先于RAS的刷新)
CAS保持时间( CAS先于RAS的刷新)
RAS到CAS预充电时间
从CAS预充电时间访问
超页面周期时间
超页读 - 修改 - 写周期时间
CAS预充电时间(超页面周期)
RAS的脉冲宽度(超页面周期)
RAS保持时间从CAS预充电
W至RAS预充电时间(C -B -R刷新)
W至RAS保持时间(C -B -R刷新)
OE访问时间
OE数据延迟
输出缓冲器关闭从OE延迟时间
OE命令保持时间
输出数据保持时间(C -B -R刷新)
输出缓冲器关闭从RAS延迟时间
输出缓冲器关闭与W延迟时间
W与数据延迟
OE到CAS保持时间
CAS保持时间OE
OE预充电时间
W脉冲宽度(超页面周期)
目前检测读周期
PDE为有效PD位
PDE为PD位无效
符号
-5
45
47
10
8
3
33
20
70
7
50
35
15
8
18
15
8
5
10
3
8
20
5
5
5
5
13
18
18
18
8
5
10
3
8
20
5
5
5
5
200K
25
77
10
60
40
15
8
最大
53
58
10
8
3
-6
KMM372F804BS
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
7
13,18
13
13
3,13
12
12
15
13
13
13
13
13
13
13
6,11
6,13
13
t
AWD
t
CPWD
t
企业社会责任
t
CHR
t
RPC
t
注册会计师
t
HPC
t
HPRWC
t
CP
t
RASP
t
RHCP
t
WRP
t
WRH
t
OEA
t
OED
t
OEZ
t
OEH
t
DOH
t
苏亚雷斯
t
WEZ
t
世界环境日
t
OCH
t
CHO
t
OEP
t
WPE
40
ns
ns
ns
ns
200K
ns
ns
ns
ns
20
18
ns
ns
ns
ns
ns
13
18
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
PD
t
PDOFF
10
2
7
2
10
7
ns
ns
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    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

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联系人:刘先生
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