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半导体
技术参数
概述
KHB8D8N25P/F/F2
N沟道MOS场
场效应晶体管
KHB8D8N25P
A
O
C
F
E
G
B
Q
I
K
M
L
J
D
N
N
H
P
DIM毫米
_
9.9 + 0.2
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
1
2
3
这个平面条形MOSFET具有更好的特性,如快速
开关时间,低导通电阻,低栅极电荷和优良
雪崩特性。它主要适用于DC / DC转换器
和开关式电源。
特点
V
DSS
= 250V ,我
D
= 8.8A
漏极 - 源极导通电阻:
R
DS ( ON)
=450m
@V
GS
= 10V
QG (典型值)= 29.5nC
15.95 MAX
1.3+0.1/-0.05
_
0.8 + 0.1
_
3.6 + 0.2
_
2.8 + 0.1
3.7
0.5+0.1/-0.05
1.5
_
13.08 + 0.3
1.46
_
1.4 + 0.1
_
1.27 + 0.1
_
2.54 + 0.2
_
4.5 + 0.2
_
2.4 + 0.2
_
9.2 + 0.2
1.门
2.漏
3.源
P
Q
最大额定值( TA = 25
特征
)
等级
符号
KHB8D8N25F单位
KHB8D8N25P
KHB8D8N25F2
250
30
8.8
35.2
285
7.4
5.5
74
P
D
0.59
T
j
T
英镑
150
-55 150
0.3
W/
38
8.8*
35.2*
mJ
D
K
TO-220AB
KHB8D8N25F
A
F
C
漏源电压
栅源电压
漏电流
@T
C
=25
脉冲(注1)
单脉冲雪崩能量
(注2 )
重复性雪崩能量
(注1 )
峰值二极管恢复的dv / dt
(注3)
耗电
耗散
Ta=25
减免上述25
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
E
AS
E
AR
dv / dt的
V
V
A
O
B
E
G
暗淡
MILLIMETERS
L
M
J
R
mJ
V / ns的
Q
1
N
N
H
2
3
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
Q
R
_
10.16
+
0.2
_
15.87
+
0.2
_
2.54
+
0.2
_
0.8
+
0.1
_
3.18
+
0.1
_
3.3
+
0.1
_
12.57
+
0.2
_
0.5
+
0.1
13.0 MAX
_
3.23
+
0.1
1.47 MAX
1.47 MAX
_
2.54
+
0.2
_
6.68
+
0.2
_
4.7
+
0.2
_
2.76
+
0.2
W
1.门
2.漏
3.源
最高结温
存储温度范围
热特性
热阻,结到外壳
热阻,结点到
环境
TO- 220IS (1)
KHB8D8N25F2
A
C
F
R
thJC
R
thJA
1.69
62.5
3.29
62.5
/W
/W
S
E
P
暗淡
MILLIMETERS
*:漏电流受最高结温。
K
L
L
R
引脚连接
D
D
M
D
J
N
N
H
G
1
2
3
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
R
S
_
10.0
+
0.3
_
15.0
+
0.3
_
2.70
+
0.3
0.76+0.09/-0.05
_
Φ3.2
+
0.2
_
3.0
+
0.3
_
12.0
+
0.3
0.5+0.1/-0.05
_
13.6
+
0.5
_
3.7
+
0.2
1.2+0.25/-0.1
1.5+0.25/-0.1
_
2.54
+
0.1
_
6.8
+
0.1
_
4.5
+
0.2
_
2.6
+
0.2
0.5 TYP
Q
G
B
1.门
2.漏
3.源
S
TO-220IS
2007. 5. 10
版本号: 0
1/7
KHB8D8N25P/F/F2
电气特性( TA = 25
特征
)
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
符号
STATIC
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
栅极阈值电压
排水截止电流
栅极漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
BV
DSS
BV
DSS
/ T
j
V
th
I
DSS
I
GSS
R
DS ( ON)
g
FS
I
D
= 250 A,V
GS
=0V
I
D
= 250 A,参考25
V
DS
=V
GS
, I
D
=250 A
V
DS
=250V, V
GS
=0V,
V
GS
= 30V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ,我
D
=4.4A
V
DS
= 40V ,我
D
=4.4A
(Note4)
250
-
2.0
-
-
-
-
-
0.27
-
-
-
360
7.6
-
-
4.0
10
100
450
-
V
V/
V
A
nA
m
S
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管评级
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
V
GS
& LT ; V
th
I
SP
V
SD
t
rr
Q
rr
I
S
= 8.8A ,V
GS
=0V
I
S
= 8.8A ,V
GS
=0V,
DIS / DT = 100A / S
-
-
-
-
-
-
170
0.91
35.2
1.5
-
-
V
ns
C
-
-
8.8
A
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=25V, V
GS
= 0V , F = 1.0MHz的
V
DD
=125V
R
G
=25
I
D
=8.8A
(Note4,5)
-
-
-
-
-
73
60
622
117
37
156
130
810
152
48
pF
V
DS
= 200V ,我
D
=8.8A
V
GS
=10V
(Note4,5)
-
-
-
-
-
29.5
3.8
14.5
14.5
69
36.5
-
-
39
148
ns
nC
注1 ) Repetivity的评价:脉冲宽度有限的结温。
注2 ) L = 5.9mH ,我
S
= 8.8A ,V
DD
= 50V ,R
G
= 25 ,起始物为
j
= 25 .
注3 )I
S
8.8A , di / dt的
300A/
, V
DD
BV
DSS
,起始物为
j
= 25 .
2%.
注4 )脉冲测试:脉冲宽度
300 ,占空比
注5 )基本上是独立的工作温度。
2007. 5. 10
版本号: 0
2/7
KHB8D8N25P/F/F2
Fig1 。我
D
- V
DS
V
GS
TOP : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
10
1
6.5 V
6.0 V
5.5 V
底部: 5.0 V
Fig2 。我
D
- V
GS
V
DS
= 40V
250μs的脉冲测试
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
10
1
150 C
10
0
10
0
25 C
-55 C
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
-1
2
4
6
8
10
漏 - 源极电压V
DS
(V)
栅 - 源电压V
GS
(V)
Fig3 。 BV
DSS
- T
j
归一化的击穿电压BV
DSS
(V)
1.2
V
GS
= 0V
I
DS
= 250A
图四。
DS ( ON)
- I
D
2.5
ON - 电阻r
DS ( ON)
()
2.0
1.1
1.5
V
GS
= 10V
1.0
1.0
0.9
0.5
V
GS
= 20V
0.8
-100
0.0
-50
0
50
100
150
0
6
12
18
24
30
结温Tj ( C)
漏电流I
D
(A)
Fig5 。我
S
- V
SD
3.0
V
GS
= 10V
250μs的脉冲测试
V
GS
=10V
I
D
= 8.8A
Fig6 。
DS ( ON)
- T
j
反向漏电流I
S
(A)
10
1
归一化导通电阻
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
10
0
150 C
25 C
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.0
-100
-50
0
50
100
150
源 - 漏极电压V
SD
(V)
结温辐射TJ ( C)
2007. 5. 10
版本号: 0
3/7
KHB8D8N25P/F/F2
Fig7 。 - V
DS
3500
3000
C
国际空间站
Fig8 。 Q
g
- V
GS
栅 - 源电压V
GS
(V)
频率= 1MHz的
12
I = 8.8A
D
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
V
DS
= 50V
V
DS
= 125V
V
DS
= 200V
电容(pF)
2500
2000
1500
1000
500
0
10
-1
10
0
10
1
C
OSS
C
RSS
漏 - 源极电压V
DS
(V)
门 - 电荷Qg ( NC)
Fig9 。安全工作区
(KHB8D8N25P)
10
2
操作在此
区由R限于
DS ( ON)
Fig10 。安全工作区
( KHB8D8N25F , KHB8D8N25F2 )
10
2
操作在此
区由R限于
DS ( ON)
100
s
1ms
10毫秒
100毫秒
漏极电流ID ( A)
漏极电流ID ( A)
100s
10
1
10
1
10ms
DC
1ms
10
0
DC
10
0
T
C
= 25 C
T
j
= 150 C
单一不重复的脉冲
10
-1
T
C
= 25 C
T
j
= 150 C
单一不重复的脉冲
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
0
10
1
10
2
漏 - 源极电压V
DS
(V)
漏 - 源极电压V
DS
(V)
Fig11 。我
D
- T
j
10
8
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
漏电流I
D
(A)
结温Tj ( C)
2007. 5. 10
版本号: 0
4/7
KHB8D8N25P/F/F2
Fig12 。瞬态热响应曲线
归一化瞬态热阻
10
0
Duty=0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
单脉冲
0.02
0.01
- 占空比,D = T
1
/t
2
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-5
10
-4
时间(秒)
Fig13 。瞬态热响应曲线
归一化瞬态热阻
10
0
Duty=0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
0.02
0.01
10
-2
10
-5
单脉冲
- 占空比,D = T
1
/t
2
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-4
时间(秒)
2007. 5. 10
版本号: 0
5/7
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    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    KHB8D8N25P
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    KHB8D8N25P
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    KHB8D8N25P
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:19166203057
联系人:周
地址:广东省深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD-A座2203A
KHB8D8N25P
M/A-COM
21+
16500
原厂原包装
原装正品
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电话:0755-82563615/82563213
联系人:朱先生/王小姐
地址:深圳华强北上步204栋520室
KHB8D8N25P
MINI
2322+
1175
射频微波器件
mini原装正品!
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电话:0755-83376489 83376282 83376549 83600718
联系人:销售部
地址:广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
KHB8D8N25P
M/A-COM
23+
NA
进口原装特价特价特价优惠
1000¥/片,普通
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电话:0755-82710336 82533156年度优秀供应商
联系人:何
地址:深圳市福田区华强北路上步工业区501栋1109-1110室
KHB8D8N25P
M/A-COM
24+
2000
十五年专营 金牌供应商
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电话:0755-28013727
联系人:朱先生
地址:深圳市龙华区龙华街道清华社区和平路62号优鼎企创园办公楼C栋5层502
KHB8D8N25P
M/A-COM
23+
20000
NA
百分百原装现货,实单可谈!
QQ: 点击这里给我发消息
电话:0755-83051566
联系人:李小姐
地址:深圳市宝安区河东工业区A栋313-318
KHB8D8N25P
MACOM
22+
32570
SOP16
进口原装公司现货
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
KHB8D8N25P
MACOM
22+
32570
SOP16
全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
KHB8D8N25P
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9673
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【dz37.com】实时报价有图&PDF
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联系人:朱经理、张小姐
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KHB8D8N25P
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联系人:刘经理
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