K6F2008T2E家庭
文档标题
初步
CMOS SRAM
256Kx8位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM
修订历史
修订历史号
0.0
最初的草案
草案日期
2003年6月16日
备注
初步
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利，
产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
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修订版0.0
2003年6月
K6F2008T2E家庭
256Kx8位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM
特点
工艺技术：全CMOS
组织： 256Kx8
电源电压： 2.7 3.6V
低数据保持电压： 1.5V （最小值）
三态输出
封装类型： 32 TSOP1-0813.4F
初步
CMOS SRAM
概述
该K6F2008T2E家庭是由三星公司制造
先进的全CMOS工艺技术。家庭支持
工业温度范围内进行系统的使用灵活性
设计。家属还支持低数据保持电压
电池备份操作，低数据保持电流。
产品系列
功耗
产品系列
工作温度
VCC范围
速度快（纳秒）
待机
(I
SB1
，典型值）
0.5A
2)
操作
(I
CC1
，最大值）
3mA
PKG型
K6F2008T2E-F
Industrial(-40~85°C)
2.7~3.6V
55
1)
/70ns
32-TSOP1-0813.4F
1.参数的测量条件为30pF的测试负载。
2.典型的值在V测量
CC
= 3.0V ，T
A
= 25°C ，而不是100 ％测试。
引脚说明
A11
A9
A8
A13
WE
CS2
A15
VCC
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CS1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
A3
功能框图
CLK GEN 。
预充电电路。
地址
32-sTSOP
Type1-Forward
ROW
SELECT
存储阵列
1024行
256x8列
I / O
1
I / O
8
数据
CONT
I / O电路
列选择
数据
CONT
名字
功能
名字
功能
地址
CS
1
， CS
2
片选输入
OE
WE
OUTPUT ENABLE
写使能输入
I / O
1
-I / O
8
数据输入/输出
VCC
VSS
DNU
动力
地
不要使用
CS1
CS2
WE
OE
A
0
~A
17
地址输入
控制
逻辑
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
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修订版0.0
2003年6月
K6F2008T2E家庭
产品列表
工业产品温度（ -40 85°C ）
部件名称
K6F2008T2E-YF55
K6F2008T2E-YF70
功能
32 sTSOP1 -F ， 55ns ， 3.0V / 3.3V ， LL
32 sTSOP1 -F ，为70ns ， 3.0V / 3.3V ， LL
初步
CMOS SRAM
功能说明
CS
1
H
X
1)
L
L
L
CS
2
X
1)
L
H
H
H
OE
X
1)
X
1)
H
L
X
1)
WE
X
1)
X
1)
H
H
L
I / O
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
模式
取消
取消
输出禁用
读
写
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
1， X指唐
′
不在乎（必须是高或低的状态）
绝对最大额定值
1)
项
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
,V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
评级
-0.2到V
CC
+0.5V
-0.2 4.6V
1.0
-65到150
-40到85
单位
V
V
W
°C
°C
K6F2008T2E-F
备注
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
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K6F2008T2E家庭
建议的直流工作条件
1)
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
民
2.7
0
2.2
-0.2
3)
典型值。
3.0/3.3
0
-
-
初步
CMOS SRAM
最大
3.6
0
Vcc+0.2
2)
0.6
单位
V
V
V
V
注意：
1.工业产品：T已
A
= -40 85 ℃，除非另有规定。
2.过冲：如果脉冲width≤20ns的VCC + 2.0V 。
3.冲： -2.0V的情况下脉冲width≤20ns的。
4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
电容
1)
（ F = 1MHz的，T
A
=25°C)
项
输入电容
输入/输出电容
1.电容进行采样，而不是100 ％测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
平均工作电流
I
CC2
输出低电压
输出高电压
待机电流（ CMOS ）
V
OL
V
OH
I
SB1
循环时间=分钟，100％占空比，我
IO
= 0毫安， CS
1
=V
IL
,
CS
2
=V
IH
, V
IN
=V
IL
或V
IH
I
OL
=2.1mA
I
OH
=-1.0mA
其他输入= VSS到Vcc
1 ） CS
1
≥Vcc-0.2V,
CS2≥Vcc-0.2V(CS
1
控制）或
2 ） 0V≤CS
2
≤0.2V
CS
2
控制）
-
-
2.4
-
-
-
-
0.5
35
0.4
-
10
mA
V
V
A
V
IN
= VSS到Vcc
CS
1
=V
IH
或CS
2
=V
IL
或OE = V
IH
或WE = V
白细胞介素，
V
IO
= VSS到Vcc
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
= 0毫安， CS
1
≤0.2V,
CS
2
≥V
CC
-0.2V, V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥V
CC
-0.2V
测试条件
民
-1
-1
-
典型值
1)
-
-
-
最大
1
1
3
单位
A
A
mA
1.典型值在V测
CC
= 3.0V ，T
A
= 25 ° C，而不是100 ％测试。
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修订版0.0
2003年6月
