K4S281632M
2米x 16Bit的×4银行同步DRAM
特点
JEDEC标准的3.3V电源
LVTTL与复用地址兼容
四家银行的操作
MRS循环地址重点项目
- 。 CAS延迟时间（ 2 & 3 ）
- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 。突发类型（顺序&交错）
所有输入进行采样，该系统的正向边沿
时钟。
突发读取单个位的写操作
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
64ms的刷新周期（ 4K周期）
CMOS SDRAM
概述
该K4S281632M是134217728位同步高速数据
率动态RAM组织为4× 2,097,152字16
位，制造与三星的高性能CMOS
技术。同步设计，可以精确控制周期
通过使用系统时钟的I / O事务是可能的
每个时钟周期。工作频率范围，可编
竹叶提取脉冲串长度和可编程延迟允许相同
装置可用于各种高带宽，高perfor-的有用
曼斯存储器系统的应用程序。
订购信息
产品型号
K4S281632M-TC/L80
K4S281632M-TC/L1H
K4S281632M-TC/L1L
最大频率。
125MHz(CL=3)
100MHz(CL=2)
100MHz(CL=3)
LVTTL
54pin
TSOP （II）的
之间
包
K4S281632M -TC / L10为66MHz （ CL = 2 &3 ）
功能框图
I / O控制
LWE
LDQM
数据输入寄存器
BANK SELECT
2M ×16
SENSE AMP
2M ×16
2M ×16
2M ×16
刷新计数器
输出缓冲器
行解码器
行缓冲区
DQI
地址寄存器
CLK
添加
列解码器
上校缓冲区
延迟&突发长度
LRAS
LCBR
LCKE
LRAS
LCBR
LWE
LCAS
注册时间
编程注册
LWCBR
LDQM
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
LDQM
UDQM
*三星电子保留随时更改产品或规格，恕不另行通知。
修订版0.0 1999年8月
K4S281632M
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在V电压
DD
供应相对于VSS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ +150
1
50
CMOS SDRAM
单位
V
V
°C
W
mA
注意：
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
直流工作条件
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输出逻辑高电平
输出逻辑低电压
输入漏电流（输入）
输入漏电流（ I / O管脚）
符号
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IL
I
IL
民
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
-1
-1.5
典型值
3.3
3.0
0
-
-
-
-
最大
3.6
V
DDQ
+0.3
0.8
-
0.4
1
1.5
单位
V
V
V
V
V
uA
uA
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
3,4
记
注意事项：
1. V
IH
（最大值） = 5.6V AC.The过冲电压的持续时间是
≤
3ns.
2. V
IL
（分钟） = -2.0V交流。下冲电压持续时间
≤
3ns.
3.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
,
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
4. Dout为禁用， 0V
≤
V
OUT
≤
V
DDQ 。
电容
时钟
(V
DD
= 3.3V ，T
A
= 23 ° C，F = 1MHz时， V
REF
= 1.4V
±
200毫伏）
符号
C
CLK
C
IN
C
添加
C
OUT
民
2.5
2.5
2.5
4
最大
4
5
5
6.5
单位
pF
pF
pF
pF
参数
RAS ， CAS，WE ， CS ， CKE ， DQM
地址
DQ
0
？ DQ
3
修订版0.0 1999年8月
K4S281632M
2米x 16Bit的×4银行同步DRAM
特点
JEDEC标准的3.3V电源
LVTTL与复用地址兼容
四家银行的操作
MRS循环地址重点项目
- 。 CAS延迟时间（ 2 & 3 ）
- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 。突发类型（顺序&交错）
所有输入进行采样，该系统的正向边沿
时钟。
突发读取单个位的写操作
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
64ms的刷新周期（ 4K周期）
CMOS SDRAM
概述
该K4S281632M是134217728位同步高速数据
率动态RAM组织为4× 2,097,152字16
位，制造与三星的高性能CMOS
技术。同步设计，可以精确控制周期
通过使用系统时钟的I / O事务是可能的
每个时钟周期。工作频率范围，可编
竹叶提取脉冲串长度和可编程延迟允许相同
装置可用于各种高带宽，高perfor-的有用
曼斯存储器系统的应用程序。
订购信息
产品型号
K4S281632M-TC/L80
K4S281632M-TC/L1H
K4S281632M-TC/L1L
最大频率。
125MHz(CL=3)
100MHz(CL=2)
100MHz(CL=3)
LVTTL
54pin
TSOP （II）的
之间
包
K4S281632M -TC / L10为66MHz （ CL = 2 &3 ）
功能框图
I / O控制
LWE
LDQM
数据输入寄存器
BANK SELECT
2M ×16
SENSE AMP
2M ×16
2M ×16
2M ×16
刷新计数器
输出缓冲器
行解码器
行缓冲区
DQI
地址寄存器
CLK
添加
列解码器
上校缓冲区
延迟&突发长度
LRAS
LCBR
LCKE
LRAS
LCBR
LWE
LCAS
注册时间
编程注册
LWCBR
LDQM
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
LDQM
UDQM
*三星电子保留随时更改产品或规格，恕不另行通知。
修订版0.0 1999年8月
K4S281632M
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在V电压
DD
供应相对于VSS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ +150
1
50
CMOS SDRAM
单位
V
V
°C
W
mA
注意：
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
直流工作条件
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输出逻辑高电平
输出逻辑低电压
输入漏电流（输入）
输入漏电流（ I / O管脚）
符号
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IL
I
IL
民
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
-1
-1.5
典型值
3.3
3.0
0
-
-
-
-
最大
3.6
V
DDQ
+0.3
0.8
-
0.4
1
1.5
单位
V
V
V
V
V
uA
uA
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
3,4
记
注意事项：
1. V
IH
（最大值） = 5.6V AC.The过冲电压的持续时间是
≤
3ns.
2. V
IL
（分钟） = -2.0V交流。下冲电压持续时间
≤
3ns.
3.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
,
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
4. Dout为禁用， 0V
≤
V
OUT
≤
V
DDQ 。
电容
时钟
(V
DD
= 3.3V ，T
A
= 23 ° C，F = 1MHz时， V
REF
= 1.4V
±
200毫伏）
符号
C
CLK
C
IN
C
添加
C
OUT
民
2.5
2.5
2.5
4
最大
4
5
5
6.5
单位
pF
pF
pF
pF
参数
RAS ， CAS，WE ， CS ， CKE ， DQM
地址
DQ
0
？ DQ
3
修订版0.0 1999年8月
