1N746通1N759A ， -1，
1N4370直通1N4372A ， -1 DO- 35
硅500 mW的稳压二极管
斯科茨代尔区划
描述
流行1N746通1N759A和1N4370直通1N4372A系列0.5
瓦齐纳稳压器提供了从2.4到12伏特的选择
标准的5 ％或10％的公差，以及确定了更严格的公差
不同的后缀字母上的零件号。这些玻璃轴向引线DO -35
齐纳二极管也可提供由内部冶金，债券期权
添加一个“-1”的后缀。这些也可以一月， JANTX ，并JANTXV
军事资格。
Microsemi的还提供了许多其他稳压
产品，满足更高和更低的功率应用。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
DO-35
(DO-204AH)
特点
JEDEC注册的直通1N759A和1N4370 1N746
直通1N4372A系列
可通过增加内部的冶金结合选项
一个“-1”的后缀
一月， JANTX ，并JANTXV也可
每MIL -PRF- 127分之19500资格加入的
JAN ， JANTX ，或JANTXV前缀部件号
筛选所需的水平，以及-1“后缀; （例如
JANTX1N751A -1， JANTXV1N758C -1等）的
也可在军事表面贴装当量
DO- 213AA通过除加入UR- 1的后缀
JAN ， JANTX ，并JANTXV前缀;例如
JANTX1N962BUR - 1 （参见单独的数据表）
商用表面贴装当量可作为
MLL746到MLL759A和MLL4370到MLL4372A
包括“ -1 ”后缀中的DO- 213AA MELF风格
包（咨询工厂等）
DO- 7的玻璃体轴向引线齐纳同等学力
也可用
应用/优势
调节电压在很宽的工作
电流和温度范围
选择从2.4至12 V
标准电压容差的正/负5 ％
带有后缀的身份证明和10 ％ ，无后缀
可在正负2 ％的容差
或1％的分别是C或D后缀
灵活的轴向引线安装端子
不敏感每MIL -STD -750方法ESD
1020
最小电容（参见图3）
硬如Microsemi的描述本质辐射
MicroNote 050
最大额定值
操作和储存温度： -65
C至+175
C
热电阻： 250
C / W交界处领导在3/8
（10毫米）的车身引线长度，或310
C / W结到
周围安装在FR4印刷电路板时（ 1盎司铜）
为4 mm
2
铜焊盘和轨道宽度为1毫米，长
25 mm
稳定状态功率： 0.5瓦特在T
L
＆ LT ; 50
o
3/8英寸
从主体（10毫米）或在T 0.48 W
A
＆ LT ; 25
C下
安装在FR4印刷电路板所描述的热
上方阻力（参见图1 ）
正向电压@ 200毫安： 1.1伏特
焊接温度： 260
下进行10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封轴向引线玻璃
DO- 35 （DO- 204AH ）包
终端：信息，锡铅镀焊每
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：负极由乐队表示。二极管
可与带状端与正操作
相对于相对的端部为齐纳调节
标记：部件号
TAPE & REEL选项：按标准EIA- 296 （加
“ TR ”后缀的部件号）
重量： 0.2克
请参阅最后一页的封装尺寸
1N746 -759A
1N4370 - 4372A （DO- 35）的
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N746通1N759A ， -1，
1N4370直通1N4372A ， -1 DO- 35
硅500 mW的稳压二极管
斯科茨代尔区划
电气特性* @ 25
o
C
JEDEC
型号
(NOTE1)
1N4370
1N4371
1N4372
1N746
1N747
1N748
1N749
1N750
1N751
1N752
1N753
1N754
1N755
1N756
1N757
1N758
1N759
公称
齐纳
电压
V
Z
@
I
ZT
（注2 ）
伏
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
12.0
齐纳
TEST
当前
最大
齐纳
阻抗
Z
ZT
@
I
ZT
（注3）
欧
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
30
最大反向
电流I
R
@ V
R
= 1 VOLT
@25C
A
100
75
50
10
10
10
2
2
1
1
.1
.1
.1
.1
.1
.1
.1
@+150C
A
200
150
100
30
30
30
30
30
20
20
20
20
20
20
20
20
20
最大
齐纳
当前
（注4 ）
mA
150
135
120
110
100
95
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
典型
TEMP COEFF 。
齐纳二极管
电压
α
VZ
o
%/ C
-.085
-.080
-.075
-.066
-.058
-.046
-.033
-.015
+/-.010
+.030
+.049
+.053
+.057
+.060
+.061
+.062
+.062
WWW .
Microsemi的
.C
OM
I
ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
I
ZM
* JEDEC注册资料
注1 ：
上显示JEDEC类型的标准公差为+/- 10 ％ 。后缀字母A表示±5 ％的容差;后缀
字母C表示+/- 2 ％ ;而后缀字母D表示+/- 1 ％的容差。
注2 ：
电压测量应用的直流测试电流后进行20秒。
注3 ：
通过叠加上衍生齐纳阻抗
I
ZT
， 60厘泊，有效值交流电流等于10 ％
I
ZT
（ 2毫安AC） 。见MicroNote 202
典型的齐纳二极管的阻抗变化与不同的工作电流。
注4 ：
津贴已取得的增加
V
Z
由于到Z
Z
并且对于增加结温为单位接近
以400mW的功率耗散的热平衡。
图的
额定功耗 - 毫瓦
温度系数毫伏/ C
温度系数％ / C
1N746 -759A
1N4370 - 4372A （DO- 35）的
o
T
L
- 引线温度（ C） 3/8“从主体或
T
A
在FR4 PC板
o
额定齐纳电压（伏）
图1
功率降额曲线
图2
齐纳电压温度
系数与齐纳电压
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
1N746通1N759A ， -1，
1N4370直通1N4372A ， -1 DO- 35
硅500 mW的稳压二极管
斯科茨代尔区划
包装尺寸
WWW .
Microsemi的
.C
OM
INCH ：在所有尺寸
mm
科幻gure 3
电容与齐纳电压
（典型值）
1N746 -759A
1N4370 - 4372A （DO- 35）的
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第3页
1N746AUR - 1 THRU 1N759AUR - 1适用车型
JAN ， JANTX
和
JANTXV
每MIL -PRF- 127分之19500
1N4370AUR - 1 THRU 1N4372AUR - 1适用车型
JAN ， JANTX
和
JANTXV
每MIL -PRF- 127分之19500
无铅封装用于表面安装
冶金结合
1N746AUR - 1直通1N759AUR - 1
和
1N4370AUR - 1直通1N4372AUR - 1
和
CDLL746通CDLL759A
和
CDLL4370通CDLL4372A
最大额定值
工作温度： -65 ° C到+ 175℃
存储温度： -65 °C至+ 175℃
DC功耗： 500毫瓦@ TEC = + 125°C
功率降额： 10毫瓦/ ° C以上TEC = + 125°C
正向电压@ 200毫安： 1.1伏特最大
电气特性@ 25°C
CDI
TYPE
数
（注1 ）
公称
齐纳
电压
VZ @ 1ZT
（注2 ）
伏
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
12.0
齐纳
TEST
当前
1ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
最大
齐纳
阻抗
（注3）
ZZT @ 1ZT
欧
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
30
IR @ VR
1ZM
mA
155
140
125
120
110
100
90
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
最大
反向电流
最大
齐纳
当前
MILLIMETERS
英寸
DIM最小值最大值最小值最大值
D
1.60
1.70 0.063 0.067
F
0.41
0.55 0.016 0.022
G
3.30
3.70 .130 .146
G1
2.54 REF 。
.100 REF 。
S
0.03 MIN 。
0.001 MIN 。
A
100
60
30
5
3
2
2
5
5
5
5
2
2
1
1
1
1
伏
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.5
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
CDLL4370A
CDLL4371A
CDLL4372A
CDLL746A
CDLL747A
CDLL748A
CDLL749A
CDLL750A
CDLL751A
CDLL752A
CDLL753A
CDLL754A
CDLL755A
CDLL756A
CDLL757A
CDLL758A
CDLL759A
图1
设计数据
案例：
DO- 213AA ，完全密封
玻璃柜。 （ MELF ， SOD- 80 ， LL34 ）
铅表面处理：
锡/铅
热阻（R
OJEC ） ：
100
°
C / W最高为L = 0英寸
热阻抗： （Z
OJX ） ： 25
°
C / W最高
极性：
二极管与操作
带状（阴极）端阳性。
安装位置：
任。
安装面选择：
扩展的轴向系数
（ COE ）这个装置大约是
+ 6PPM / ℃。在安装的COE
地面系统应选择
提供一个合适的符合这种
装置。
注1
注2
注3
在"A"后缀齐纳电压容差为±5％ 。无后缀表示+ 10 ％的公差。
"C"后缀表示+ 2 ％的误差和"D"后缀表示+ 1 ％的容差。
齐纳电压是在环境测量在热平衡的器件结
在25℃温度下， + 3 ℃。
齐纳阻抗叠加上1ZT 60Hz的交流电有效值衍生电流等于
到1ZT的10％。
6湖街，劳伦斯，马萨诸塞州01841
电话（ 978 ） 620-2600
传真（ 978 ） 689-0803
网址： http://www.microsemi.com
93
1N746AUR - 1 THRU 1N759AUR - 1适用车型
JAN ， JANTX
和
JANTXV
每MIL -PRF- 127分之19500
1N4370AUR - 1 THRU 1N4372AUR - 1适用车型
JAN ， JANTX
和
JANTXV
每MIL -PRF- 127分之19500
无铅封装用于表面安装
冶金结合
1N746AUR - 1直通1N759AUR - 1
和
1N4370AUR - 1直通1N4372AUR - 1
和
CDLL746通CDLL759A
和
CDLL4370通CDLL4372A
最大额定值
工作温度： -65 ° C到+ 175℃
存储温度： -65 °C至+ 175℃
DC功耗： 500毫瓦@ TEC = + 125°C
功率降额： 10毫瓦/ ° C以上TEC = + 125°C
正向电压@ 200毫安： 1.1伏特最大
电气特性@ 25°C
CDI
TYPE
数
（注1 ）
公称
齐纳
电压
VZ @ 1ZT
（注2 ）
伏
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
12.0
齐纳
TEST
当前
1ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
最大
齐纳
阻抗
（注3）
ZZT @ 1ZT
欧
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
30
IR @ VR
1ZM
mA
155
140
125
120
110
100
90
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
最大
反向电流
最大
齐纳
当前
暗淡
D
F
G
G1
S
MILLIMETERS
英寸
最小值最大值最小值最大值
1.60
1.70 0.063 0.067
0.41
0.55 0.016 0.022
3.30
3.70 .130 .146
2.54 REF 。
.100 REF 。
0.03 MIN 。
0.001 MIN 。
A
100
60
30
5
3
2
2
5
5
5
5
2
2
1
1
1
1
伏
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.5
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
CDLL4370A
CDLL4371A
CDLL4372A
CDLL746A
CDLL747A
CDLL748A
CDLL749A
CDLL750A
CDLL751A
CDLL752A
CDLL753A
CDLL754A
CDLL755A
CDLL756A
CDLL757A
CDLL758A
CDLL759A
图1
设计数据
案例：
DO- 213AA ，完全密封
玻璃柜。 （ MELF ， SOD- 80 ， LL34 ）
铅表面处理：
锡/铅
热阻（R
OJEC ） ：
100℃ / W最大为L = 0英寸
热阻抗： （Z
OJX ） ： 25
C / W最高
极性：
二极管与操作
带状（阴极）端阳性。
安装位置：
任。
安装面选择：
扩展的轴向系数
（ COE ）这个装置大约是
+ 6PPM / ℃。在安装的COE
地面系统应选择
提供一个合适的符合这种
装置。
注1
注2
注3
在"A"后缀齐纳电压容差为±5％ 。无后缀表示+ 10 ％的公差。
"C"后缀表示+ 2 ％的误差和"D"后缀表示+ 1 ％的容差。
齐纳电压是在环境测量在热平衡的器件结
在25℃温度下， + 3 ℃。
齐纳阻抗叠加上1ZT 60Hz的交流电有效值衍生电流等于
到1ZT的10％。
COREY街22号， MELROSE ，马萨诸塞州02176
电话：（781 ） 665-1071
传真：（781 ） 665-7379
网站： http://www.cdi-diodes.com
电子信箱： mail@cdi-diodes.com
1N746通1N759A ， -1，
1N4370直通1N4372A ， -1 DO- 35
硅500 mW的稳压二极管
斯科茨代尔区划
描述
流行1N746通1N759A和1N4370直通1N4372A系列0.5
瓦齐纳稳压器提供了从2.4到12伏特的选择
标准的5 ％或10％的公差，以及确定了更严格的公差
不同的后缀字母上的零件号。这些玻璃轴向引线DO -35
齐纳二极管也可提供由内部冶金，债券期权
添加一个“-1”的后缀。这些也可以一月， JANTX ，并JANTXV
军事资格。
Microsemi的还提供了许多其他稳压
产品，满足更高和更低的功率应用。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
DO-35
(DO-204AH)
特点
JEDEC注册的直通1N759A和1N4370 1N746
直通1N4372A系列
可通过增加内部的冶金结合选项
一个“-1”的后缀
一月， JANTX ，并JANTXV也可
每MIL -PRF- 127分之19500资格加入的
JAN ， JANTX ，或JANTXV前缀部件号
筛选所需的水平，以及-1“后缀; （例如
JANTX1N751A -1， JANTXV1N758C -1等）的
也可在军事表面贴装当量
DO- 213AA通过除加入UR- 1的后缀
JAN ， JANTX ，并JANTXV前缀;例如
JANTX1N962BUR - 1 （参见单独的数据表）
商用表面贴装当量可作为
MLL746到MLL759A和MLL4370到MLL4372A
包括“ -1 ”后缀中的DO- 213AA MELF风格
包（咨询工厂等）
DO- 7的玻璃体轴向引线齐纳同等学力
也可用
应用/优势
调节电压在很宽的工作
电流和温度范围
选择从2.4至12 V
标准电压容差的正/负5 ％
带有后缀的身份证明和10 ％ ，无后缀
可在正负2 ％的容差
或1％的分别是C或D后缀
灵活的轴向引线安装端子
不敏感每MIL -STD -750方法ESD
1020
最小电容（参见图3）
硬如Microsemi的描述本质辐射
MicroNote 050
最大额定值
操作和储存温度： -65
C至+175
C
热电阻： 250
C / W交界处领导在3/8
（10毫米）的车身引线长度，或310
C / W结到
周围安装在FR4印刷电路板时（ 1盎司铜）
为4 mm
2
铜焊盘和轨道宽度为1毫米，长
25 mm
稳定状态功率： 0.5瓦特在T
L
＆ LT ; 50
o
3/8英寸
从主体（10毫米）或在T 0.48 W
A
＆ LT ; 25
C下
安装在FR4印刷电路板所描述的热
上方阻力（参见图1 ）
正向电压@ 200毫安： 1.1伏特
焊接温度： 260
下进行10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封轴向引线玻璃
DO- 35 （DO- 204AH ）包
终端：信息，锡铅镀焊每
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：负极由乐队表示。二极管
可与带状端与正操作
相对于相对的端部为齐纳调节
标记：部件号
TAPE & REEL选项：按标准EIA- 296 （加
“ TR ”后缀的部件号）
重量： 0.2克
请参阅最后一页的封装尺寸
1N746 -759A
1N4370 - 4372A （DO- 35）的
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N746通1N759A ， -1，
1N4370直通1N4372A ， -1 DO- 35
硅500 mW的稳压二极管
斯科茨代尔区划
电气特性* @ 25
o
C
JEDEC
型号
(NOTE1)
1N4370
1N4371
1N4372
1N746
1N747
1N748
1N749
1N750
1N751
1N752
1N753
1N754
1N755
1N756
1N757
1N758
1N759
公称
齐纳
电压
V
Z
@
I
ZT
（注2 ）
伏
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
12.0
齐纳
TEST
当前
最大
齐纳
阻抗
Z
ZT
@
I
ZT
（注3）
欧
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
30
最大反向
电流I
R
@ V
R
= 1 VOLT
@25C
A
100
75
50
10
10
10
2
2
1
1
.1
.1
.1
.1
.1
.1
.1
@+150C
A
200
150
100
30
30
30
30
30
20
20
20
20
20
20
20
20
20
最大
齐纳
当前
（注4 ）
mA
150
135
120
110
100
95
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
典型
TEMP COEFF 。
齐纳二极管
电压
α
VZ
o
%/ C
-.085
-.080
-.075
-.066
-.058
-.046
-.033
-.015
+/-.010
+.030
+.049
+.053
+.057
+.060
+.061
+.062
+.062
WWW .
Microsemi的
.C
OM
I
ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
I
ZM
* JEDEC注册资料
注1 ：
上显示JEDEC类型的标准公差为+/- 10 ％ 。后缀字母A表示±5 ％的容差;后缀
字母C表示+/- 2 ％ ;而后缀字母D表示+/- 1 ％的容差。
注2 ：
电压测量应用的直流测试电流后进行20秒。
注3 ：
通过叠加上衍生齐纳阻抗
I
ZT
， 60厘泊，有效值交流电流等于10 ％
I
ZT
（ 2毫安AC） 。见MicroNote 202
典型的齐纳二极管的阻抗变化与不同的工作电流。
注4 ：
津贴已取得的增加
V
Z
由于到Z
Z
并且对于增加结温为单位接近
以400mW的功率耗散的热平衡。
图的
额定功耗 - 毫瓦
温度系数毫伏/ C
温度系数％ / C
1N746 -759A
1N4370 - 4372A （DO- 35）的
o
T
L
- 引线温度（ C） 3/8“从主体或
T
A
在FR4 PC板
o
额定齐纳电压（伏）
图1
功率降额曲线
图2
齐纳电压温度
系数与齐纳电压
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
1N746通1N759A ， -1，
1N4370直通1N4372A ， -1 DO- 35
硅500 mW的稳压二极管
斯科茨代尔区划
包装尺寸
WWW .
Microsemi的
.C
OM
INCH ：在所有尺寸
mm
科幻gure 3
电容与齐纳电压
（典型值）
1N746 -759A
1N4370 - 4372A （DO- 35）的
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第3页
1N746AUR - 1 THRU 1N759AUR - 1适用车型
JAN ， JANTX
和
JANTXV
每MIL -PRF- 127分之19500
1N4370AUR - 1 THRU 1N4372AUR - 1适用车型
JAN ， JANTX
和
JANTXV
每MIL -PRF- 127分之19500
无铅封装用于表面安装
冶金结合
1N746AUR - 1直通1N759AUR - 1
和
1N4370AUR - 1直通1N4372AUR - 1
和
CDLL746通CDLL759A
和
CDLL4370通CDLL4372A
最大额定值
工作温度： -65 ° C到+ 175℃
存储温度： -65 °C至+ 175℃
DC功耗： 500毫瓦@ TEC = + 125°C
功率降额： 10毫瓦/ ° C以上TEC = + 125°C
正向电压@ 200毫安： 1.1伏特最大
电气特性@ 25°C
CDI
TYPE
数
（注1 ）
公称
齐纳
电压
VZ @ 1ZT
（注2 ）
伏
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
12.0
齐纳
TEST
当前
1ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
最大
齐纳
阻抗
（注3）
ZZT @ 1ZT
欧
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
30
IR @ VR
1ZM
mA
155
140
125
120
110
100
90
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
最大
反向电流
最大
齐纳
当前
暗淡
D
F
G
G1
S
MILLIMETERS
英寸
最小值最大值最小值最大值
1.60
1.70 0.063 0.067
0.41
0.55 0.016 0.022
3.30
3.70 .130 .146
2.54 REF 。
.100 REF 。
0.03 MIN 。
0.001 MIN 。
A
100
60
30
5
3
2
2
5
5
5
5
2
2
1
1
1
1
伏
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.5
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
CDLL4370A
CDLL4371A
CDLL4372A
CDLL746A
CDLL747A
CDLL748A
CDLL749A
CDLL750A
CDLL751A
CDLL752A
CDLL753A
CDLL754A
CDLL755A
CDLL756A
CDLL757A
CDLL758A
CDLL759A
图1
设计数据
案例：
DO- 213AA ，完全密封
玻璃柜。 （ MELF ， SOD- 80 ， LL34 ）
铅表面处理：
锡/铅
热阻（R
OJEC ） ：
100℃ / W最大为L = 0英寸
热阻抗： （Z
OJX ） ： 25
C / W最高
极性：
二极管与操作
带状（阴极）端阳性。
安装位置：
任。
安装面选择：
扩展的轴向系数
（ COE ）这个装置大约是
+ 6PPM / ℃。在安装的COE
地面系统应选择
提供一个合适的符合这种
装置。
注1
注2
注3
在"A"后缀齐纳电压容差为±5％ 。无后缀表示+ 10 ％的公差。
"C"后缀表示+ 2 ％的误差和"D"后缀表示+ 1 ％的容差。
齐纳电压是在环境测量在热平衡的器件结
在25℃温度下， + 3 ℃。
齐纳阻抗叠加上1ZT 60Hz的交流电有效值衍生电流等于
到1ZT的10％。
COREY街22号， MELROSE ，马萨诸塞州02176
电话：（781 ） 665-1071
传真：（781 ） 665-7379
网站： http://www.cdi-diodes.com
电子信箱： mail@cdi-diodes.com
1N746AUR - 1 THRU 1N759AUR - 1适用车型
JAN ， JANTX
和
JANTXV
每MIL -PRF- 127分之19500
1N4370AUR - 1 THRU 1N4372AUR - 1适用车型
JAN ， JANTX
和
JANTXV
每MIL -PRF- 127分之19500
无铅封装用于表面安装
冶金结合
1N746AUR - 1直通1N759AUR - 1
和
1N4370AUR - 1直通1N4372AUR - 1
和
CDLL746通CDLL759A
和
CDLL4370通CDLL4372A
最大额定值
工作温度： -65 ° C到+ 175℃
存储温度： -65 °C至+ 175℃
DC功耗： 500毫瓦@ TEC = + 125°C
功率降额： 10毫瓦/ ° C以上TEC = + 125°C
正向电压@ 200毫安： 1.1伏特最大
电气特性@ 25°C
CDI
TYPE
数
（注1 ）
公称
齐纳
电压
VZ @ 1ZT
（注2 ）
伏
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
12.0
齐纳
TEST
当前
1ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
最大
齐纳
阻抗
（注3）
ZZT @ 1ZT
欧
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
30
IR @ VR
1ZM
mA
155
140
125
120
110
100
90
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
最大
反向电流
最大
齐纳
当前
MILLIMETERS
英寸
DIM最小值最大值最小值最大值
D
1.60
1.70 0.063 0.067
F
0.41
0.55 0.016 0.022
G
3.30
3.70 .130 .146
G1
2.54 REF 。
.100 REF 。
S
0.03 MIN 。
0.001 MIN 。
A
100
60
30
5
3
2
2
5
5
5
5
2
2
1
1
1
1
伏
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.5
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
CDLL4370A
CDLL4371A
CDLL4372A
CDLL746A
CDLL747A
CDLL748A
CDLL749A
CDLL750A
CDLL751A
CDLL752A
CDLL753A
CDLL754A
CDLL755A
CDLL756A
CDLL757A
CDLL758A
CDLL759A
图1
设计数据
案例：
DO- 213AA ，完全密封
玻璃柜。 （ MELF ， SOD- 80 ， LL34 ）
铅表面处理：
锡/铅
热阻（R
OJEC ） ：
100
°
C / W最高为L = 0英寸
热阻抗： （Z
OJX ） ： 25
°
C / W最高
极性：
二极管与操作
带状（阴极）端阳性。
安装位置：
任。
安装面选择：
扩展的轴向系数
（ COE ）这个装置大约是
+ 6PPM / ℃。在安装的COE
地面系统应选择
提供一个合适的符合这种
装置。
注1
注2
注3
在"A"后缀齐纳电压容差为±5％ 。无后缀表示+ 10 ％的公差。
"C"后缀表示+ 2 ％的误差和"D"后缀表示+ 1 ％的容差。
齐纳电压是在环境测量在热平衡的器件结
在25℃温度下， + 3 ℃。
齐纳阻抗叠加上1ZT 60Hz的交流电有效值衍生电流等于
到1ZT的10％。
6湖街，劳伦斯，马萨诸塞州01841
电话（ 978 ） 620-2600
传真（ 978 ） 689-0803
网址： http://www.microsemi.com
93
