1N4565直通1N4584A - 1 DO- 7
6.4伏温度补偿齐纳
参考二极管
斯科茨代尔区划
描述
流行1N4565通1N4584A -1系列零TC参考二极管
提供了一个选择两个6.4 V额定电压和温度
系数低达0.0005 ％/
o
下最小电压变化与
温度。四种不同的工作电流，可用于选择在
0.5毫安，1.0毫安， 2.00毫安，和4.00毫安。这些玻璃轴向引线DO- 7
参考二极管内部冶金键合的，并且也可用于
JAN ， JANTX ，并JANTXV军事资格。 Microsemi的还提供
许多其他的齐纳二极管参考产品为各种其他的
电压高达200V。
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
DO-7
(DO-204AA)
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
特点
JEDEC注册1N4565 1N4584直通系列。
参考电压的二极管的标称6.4 V +/- 5％的
实行更严格的公差可供选择
温度系数范围：0.01 ％/
o
C到
0.0005%/
o
C.
齐纳二极管测试电流选择范围： 0.500毫安， 1.00
毫安， 2.00毫安和4.00毫安。
内部的冶金结合
1N4565 1N4584通也有资格MIL-
PRF -四百五十二分之一万九千五百通过添加JAN ， JANTX ，
JANTXV ，或JANS前缀部件号的还有
在“-1”后缀;例如JANTX1N4574A - 1等。
也可在军事表面贴装当量
DO- 213AA加入UR - 1后缀和JAN ，
JANTX ，并JANTXV前缀，如
JANTX1N4569AUR - 1 （参见单独的数据表）
在DO- 35封装，包括军方也可用
资历长达JANTXV （参见单独的数据
表）
应用/优势
提供了一个广阔的最小电压变化
工作温度范围为仪器仪表和
其它的电路设计需要基准电压
温度系数的选择可以从
0.01 ％ / C至0.0005 ％ / C
紧身参考电压容差可用
6.4 V标称值加上公差1 ％ ， 2 ％ ，
3 ％等进行识别的部件号后，如
1N4569-2 ％ ， 1N4579A -1％ ， 1N4574A -1-1 ％等。
灵活的轴向引线安装端子
不敏感每MIL -STD -750方法1020 ESD
最大额定值
工作温度： -65
o
C至+175
o
C
存储温度： -65
o
C至+175
o
C
DC功耗： 500毫瓦@ T
L
= 25
o
下用
最大电流I
ZM
70毫安。注：为了获得最佳
电压 - 温度稳定性，操作测试
电流（I
ZT
）应在电气被指定
特性表（功率小于30毫瓦）
焊接温度： 260
o
下进行10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封的玻璃柜。 DO- 7（ DO-
204AA ）封装
终端：信息，锡铅镀焊每
MIL- STD- 750 ，方法2026
标记：部件号和阴极带
极性：参考二极管与被操作
带状端相对的另一端正
TAPE & REEL选项：按标准EIA- 296 （加
“ TR ”后缀的部件号）
重量：0.2克。
请参阅最后一页的封装尺寸
1N4565 （ A） （ - 1 ）通
1N4584 （ A） （ - 1 ） DO- 7
版权
2003
2003年10月27日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N4565直通1N4584A - 1 DO- 7
6.4伏温度补偿齐纳
参考二极管
斯科茨代尔区划
*电气特性@ 25
o
C，除非另有规定编
JEDEC TYPE
数
（注1,4 & 5 ）
1N4565
1N4565A
1N4566
1N4566A
1N4567
1N4567A
1N4568
1N4568A
1N4569
1N4569A
1N4570
1N4570A
1N4571
1N4571A
1N4572
1N4572A
1N4573
1N4573A
1N4574
1N4574A
1N4575
1N4575A
1N4576
1N4576A
1N4577
1N4577A
1N4578
1N4578A
1N4579
1N4579A
1N4580
1N4580A
1N4581
1N4581A
1N4582
1N4582A
1N4583
1N4583A
1N4584
1N4584A
注意事项：
1.
2.
3.
订货时有严格的公差设备比对V指定
Z
6.40V的额定电压，一个带有分隔符的后缀添加到
对于所需的公差，例如零件号1N4569A - 2％ ， 1N4574A -1-1 ％ ， 1N4579-1-2 ％ ， 1N4584A -1-3 ％等。
o
齐纳阻抗叠加上7.5毫安直流0.75毫安交流有效值@ 25℃测
电压测量应用的直流测试电流I在15秒后进行
ZT
.
WWW .
Microsemi的
.C
OM
齐纳二极管测试
当前
（注3）
I
ZT
mA
.5
.5
.5
.5
.5
.5
.5
.5
.5
.5
.5
.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
最大电压温度
系数
α
VZ
+/- %/
o
C
.01
.01
.005
.005
.002
.002
.001
.001
.0005
.0005
.01
.01
.005
.005
.002
.002
.001
.001
.0005
.0005
.01
.01
.005
.005
.002
.002
.001
.001
.0005
.0005
.01
.01
.005
.005
.002
.002
.001
.001
.0005
.0005
+/-毫伏/ C
.64
.64
.32
.32
.13
.13
.06
.06
.03
.03
.64
.64
.32
.32
.13
.13
.06
.06
.03
.03
.64
.64
.32
.32
.13
.13
.06
.06
.03
.03
.64
.64
.32
.32
.13
.13
.06
.06
.03
.03
o
最大
反向
当前
I
R
@ 3 V
TEMP 。 RANGE
0至+75
o
C
o
-55 + 100℃
0至+75
o
C
-55到+100
o
C
0至+75
o
C
-55到+100
o
C
0至+75
o
C
o
-55 + 100℃
o
0到+75
o
-55 + 100℃
0至+75
o
C
-55到+100
o
C
0至+75
o
C
o
-55 + 100℃
o
0到+75
o
-55 + 100℃
0至+75
o
C
-55到+100
o
C
0至+75
o
C
o
-55 + 100℃
o
0到+75
o
-55 + 100℃
0至+75
o
C
-55到+100
o
C
0至+75
o
C
-55到+100
o
C
0至+75
o
C
o
-55 + 100℃
0至+75
o
C
-55到+100
o
C
0至+75
o
C
-55到+100
o
C
0至+75
o
C
o
-55 + 100℃
0至+75
o
C
o
-55 + 100℃
o
0到+75
-55到+100
o
C
0至+75
o
C
o
-55 + 100℃
A
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
马克斯。动态
阻抗
（注2 ）
Z
ZT
@ I
ZT
欧
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
1N4565 （ A） （ - 1 ）通
1N4584 （ A） （ - 1 ） DO- 7
* JEDEC注册的数据。
4.
5.
1N4565 1N4584通也有资格MIL -PRF- 452分之19500通过添加JAN ， JANTX ， JANTXV ，或
JANS前缀的部件号以及“-1”后缀;例如JANTX1N4569A -1， JANTXV1N4574A - 1等。
候抗辐射用“ RH ”字头，而不是“ 1N ”，即RH4584A设备。
版权
2003
2003年10月27日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
1N4565直通1N4584A - 1 DO- 7
6.4伏温度补偿齐纳
参考二极管
斯科茨代尔区划
图的
典型的变化
温度COEF网络cient
有变化
工作电流
典型的变化
在齐纳电压
有变化
工作电流
WWW .
Microsemi的
.C
OM
ΔTC
（毫伏/℃ ）
ΔTC
(%/C
I
Z
- 工作电流（mA ）
V
Z
（毫伏）
1N4565 - 1N4569A
I
Z
- 工作电流（mA ）
ΔTC
（毫伏/℃ ）
ΔTC
(%/C
I
Z
- 工作电流（mA ）
V
Z
（毫伏）
1N4570 - 1N4574A
I
Z
- 工作电流（mA ）
1N4565 （ A） （ - 1 ）通
1N4584 （ A） （ - 1 ） DO- 7
ΔTC
（毫伏/℃ ）
ΔTC
(%/C
I
Z
- 工作电流（mA ）
V
Z
（毫伏）
1N4575 - 1N4579A
I
Z
- 工作电流（mA ）
版权
2003
2003年10月27日REV B
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1N4565直通1N4584A - 1 DO- 7
6.4伏温度补偿齐纳
参考二极管
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
ΔTC
（毫伏/℃ ）
ΔTC
(%/C
I
Z
- 工作电流（mA ）
V
Z
（毫伏）
1N4580 - 1N4584A
包装尺寸
I
Z
- 工作电流（mA ）
以英寸所有尺寸
mm
1N4565 （ A） （ - 1 ）通
1N4584 （ A） （ - 1 ） DO- 7
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2003
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1N4565AUR - 1 THRU 1N4584AUR - 1适用车型
JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS 1N4565AUR - 1直通1N4584AUR - 1
每MIL -PRF-四百五十二分之一万九千五百
和
温度补偿齐纳二极管基准二极管
无铅封装用于表面安装
低电流工作范围： 0.5 4.0毫安
冶金结合，双封堵施工
最大额定值
工作温度： -65 ° C到+ 175℃
存储温度： -65 °C至+ 175℃
DC功耗： 500毫瓦@ + 50°C
功率降额： 4毫瓦/ ° C以上+ 50°C
CDLL4565通CDLL4584A
反向漏电流
LR = 2
A @ 25℃ & VR =有3Vdc
电气特性
@ 25°C, unless otherwise speci½ed.
CDI
TYPE
数
齐纳
TEST
当前
升ZT
有效
温度
系数
电压
温度
稳定性
VZT MAX
-55 ℃至+ 100 ℃
（注1 ）
mV
48
100
24
50
10
20
5
10
2.5
5
48
100
24
50
10
20
5
10
2.5
5
48
100
24
50
10
20
5
10
2.5
5
48
100
24
50
10
20
5
10
2.5
5
温度
范围
MAX.DYNAMIC
齐纳
阻抗
ZZT
（注2 ）
°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
欧
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
mA
CDLL4565
CDLL4565A
CDLL4566
CDLL4566A
CDLL4567
CDLL4567A
CDLL4568
CDLL4568A
CDLL4569
CDLL4569A
CDLL4570
CDLL4570A
CDLL4571
CDLL4571A
CDLL4572
CDLL4572A
CDLL4573
CDLL4573A
CDLL4574
CDLL4574A
CDLL4575
CDLL4575A
CDLL4576
CDLL4576A
CDLL4577
CDLL4577A
CDLL4578
CDLL4578A
CDLL4579
CDLL4579A
CDLL4580
CDLL4580A
CDLL4581
CDLL4581A
CDLL4582
CDLL4582A
CDLL4583
CDLL4583A
CDLL4584
CDLL4584A
.5
.5
.5
.5
.5
.5
.5
.5
.5
.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
%/°C
.01
.01
.005
.005
.002
.002
.001
.001
.0005
.0005
.01
.01
.005
.005
.002
.002
.001
.001
.0005
.0005
.01
.01
.005
.005
.002
.002
.001
.001
.0005
.0005
.01
.01
.005
.005
.002
.002
.001
.001
.0005
.0005
暗淡
D
F
G
G1
S
MILLIMETERS
英寸
最小值最大值最小值最大值
1.60
1.70 0.063 0.067
0.41
0.55 0.016 0.022
3.30
3.70 .130 .146
2.54 REF 。
.100 REF 。
0.03 MIN 。
0.001 MIN 。
图1
设计数据
案例：
DO- 213AA ，完全密封
玻璃柜。 （ MELF ， SOD- 80 ， LL34 ）
铅表面处理：
锡/铅
极性：
二极管与操作
带状（阴极）端阳性。
安装位置：
任。
安装面选择：
扩展的轴向系数
（ COE ）这个装置大约是
+ 6PPM / ℃。在安装的COE
地面系统应选择
提供一个合适的符合这种
装置。
注1
观察到的在整个温度范围内的最大容许变化
i.e.,the diode voltage will not exceed the speci½ed mV at any discrete
既定的限制，根据JEDEC标准5号之间的温度。
注2
齐纳阻抗叠加在升ZT 60Hz的交流电有效值衍生当前
等于升的ZT的10％。
6湖街，劳伦斯，马萨诸塞州01841
电话（ 978 ） 620-2600
传真（ 978 ） 689-0803
网址： http://www.microsemi.com
121
