1N2804直通1N2846B和
1N4557直通1N4564B
50瓦齐纳二极管
斯科茨代尔区划
描述
由JEDEC表示，这些高功率50瓦齐纳二极管注册
1N2804直通1N2846B和1N4557直通1N4564B系列提供电压
调控在选择了一个3.9 V至200 V宽泛的电压范围。他们
可以被操作到有足够的安装和散热用50瓦
它们的低热阻。这些齐纳二极管也是一月提供，
JANTX ， JANTXV军事资格。 Microsemi的还提供了众多的
齐纳二极管等产品，以满足更高和更低功耗的应用。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
TO-3
(TO-204AD)
特点
JEDEC注册的直通1N2846B 1N2804和
1N4557直通1N4564B
内部焊接接缝施工
密封（焊接）
齐纳电压3.9V到200V 。
一月， JANTX ，并JANTXV也可
每MIL -PRF-一百一十四分之一万九千五百资格加入的
JAN ， JANTX ，或JANTXV前缀的部件号
用于筛选的期望电平; （例如
JANTX1N2804B等。
标准极性为负极，以区分
反极性与阴极通过指定要区分
后缀的型号，例如1N2804RB等。
咨询工厂表面贴装当量
应用/优势
调节电压在很宽的工作
电流和温度范围
标准电压容差±5 ％为B
后缀， +/- 10％的后缀，和+/- 20 ％ ，无
苏FFI X
为+/- 2 ％或+/- 1 ％用C或D向厂家咨询
分别为后缀
反极性可用
不敏感每MIL -STD -750方法ESD
1020
天生辐射坚硬如所描述
Microsemi的MicroNote 050
最大额定值
结温： -65
o
C至+175
o
C
存储温度： -65
o
C至+200
o
C
DC功耗： 50瓦特在T
C
< 75
o
C
功率降额： 0.5W /
o
C以上75
o
C
正向电压@ 10答： 1.5伏特
热电阻： 2.0
o
C / W最高
o
结基地（ 1.5℃ / W典型值）
焊接温度： 260
o
下进行10秒（最大）
机械及包装
案例：工业标准TO- 3 （ TO- 204AD ） ，
气密密封， 0.052英寸直径的销。
表面处理：所有外部表面耐腐蚀
耐焊端子。
极性：极性标准单元连接
阳极情况。反极性（阴极情况下）
由后缀的R部件号表示
重量： 15克。
安装硬件：为向厂家咨询
可选的绝缘体和金属板螺钉
请参阅最后一页的封装尺寸
1N2804 - 46B &
1N4557B - 64B
版权
2003
2003年11月12日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N2804直通1N2846B和
1N4557直通1N4564B
50瓦齐纳二极管
斯科茨代尔区划
*
电气特性@ 25
o
C
JEDEC
型号
（注1 ）
公称
齐纳
电压
齐纳
TEST
当前
马克斯。齐纳
阻抗
（注3）
MAX 。 DC ZENER
当前
o
(
I
ZM
@ 75 C
外壳温度。
（注4 ）
mA
11,900
10,650
9,700
8,900
8,100
7,300
6,650
6,050
7,400
6,600
5,800
5,300
4,800
4,300
4,000
3,700
3,400
3,100
2,950
2,750
2,550
2,450
2,350
2,100
1,950
1,850
1,650
1,550
1,450
1,300
1,175
1,075
1,030
980
935
925
825
735
670
600
550
470
450
430
410
375
345
300
285
250
220
典型
齐纳
电压
TEMP 。 COEFF 。
最大漏
目前**
WWW .
Microsemi的
.C
OM
V
Z
@ I
ZT
（注2 ）
伏
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
30
33
36
39
43
45
47
50
51
56
62
68
75
82
91
100
105
110
120
130
150
160
180
200
1N4557B
1N4558B
1N4559B
1N4560B
1N4561B
1N4562B
1N4563B
1N4564B
1N2804B
1N2805B
1N2806B
1N2807B
1N2808B
1N2809B
1N2810B
1N2811B
1N2812B
1N2813B
1N2814B
1N2815B
1N2816B
1N2817B
1N2818B
1N2819B
1N2820B
1N2821B
1N2822B
1N2823B
1N2824B
1N2825B
1N2826B
1N2827B
1N2828B
1N2829B
1N2830B
1N2831B
1N2832B
1N2833B
1N2834B
1N2835B
1N2836B
1N2837B
1N2838B
1N2839B
1N2840B
1N2841B
1N2842B
1N2843B
1N2844B
1N2845B
1N2846B
(I
ZT
)
mA
3200
2900
2650
2450
2250
2000
1850
1650
1850
1700
1500
1370
1200
1100
1000
960
890
830
780
740
700
660
630
570
520
500
460
420
380
350
320
290
280
270
250
245
220
200
180
170
150
140
120
120
110
100
95
85
80
68
65
I
R
@ V
R
A
150
150
100
20
20
20
10
10
150
100
50
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
V
0.5
0.5
1
1
1
2
2
3
4.5
5
5.4
6.1
6.7
8.4
9.1
9.9
10.6
11.4
12.2
13.0
13.7
14.4
15.2
16.7
18.2
19
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
34.2
35.8
38
38.8
42.6
47.1
51.7
56
62.2
69.2
76
79.8
83.6
91.2
98.8
114.0
121.6
136.8
152.0
Z
ZT
@ I
ZT
欧
0.16
0.16
0.12
0.12
0.12
0.14
0.16
0.24
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.8
1.0
1.1
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
3.0
3.2
3.5
4.0
4.5
4.5
5.0
5.0
5.2
6
7
8
9
11
15
20
25
30
40
50
75
80
90
100
Z
ZK
@
5mA
(I
ZK
)
欧
400
500
600
650
900
1000
200
100
70
70
70
70
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
90
90
90
90
90
90
90
100
100
100
100
110
120
140
150
160
180
200
210
220
240
275
400
450
525
600
α
VZ
o
%/ C
-0.046
-0.033
-0.015
+/-0.010
+0.03
+0.049
+0.053
+0.057
.040
.045
.048
.050
.055
.060
.065
.065
.070
.070
.070
.075
.075
.075
.075
.080
.080
.080
.085
.085
.085
.085
.090
.090
.090
.090
.090
.090
.090
.090
.090
.090
.090
.090
.090
.095
.095
.095
.095
.095
.095
.095
.100
1N2804 - 46B &
1N4557B - 64B
* JEDEC注册的数据。 **不JEDEC数据。
有JAN ， JANTX和JANTXV资格符合MIL -S -一百十四分之一万九千五。
S
ee值以下页面上进一步指出
版权
2003
2003年11月12日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
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1N2804直通1N2846B和
1N4557直通1N4564B
50瓦齐纳二极管
斯科茨代尔区划
注意事项：
1.
2.
3.
4.
所示的JEDEC类型号（B后缀）对额定齐纳电压的±5 ％的容差。后缀A被用来标识为+/- 10 ％
耐受性;无后缀表示+/- 20 ％的容差。如果更严格的公差要求，向厂家咨询。标准极性单位有阳极
连接到所述壳体。反极性（阴极到外壳）的单位可通过在型号后缀R的表示。
o
齐纳电压（V
Z
）是衡量结在热平衡与30℃基准温度。测试电流（I
ZT
）已经被选择
o
因此，在标称电压下功耗是恒定的12.5瓦特。这导致了1875 ℃的标称结温升高。
齐纳阻抗从60周期的交流电压时，具有有效值等于直流的10％的交流电流时，其导致来自
齐纳电流（I
ZT
还是我
ZK
）被叠加在我
ZT
还是我
ZK
。齐纳阻抗的测量是在2个点，以确保在击穿急剧膝
曲线并消除不稳定的单元。曲线显示出齐纳阻抗的变化与齐纳电流六个有代表性的类型是
如图3所示。另请参阅MicroNote 202获取更多信息。
I的值
ZM
计算的名义齐纳电压的±5 ％的容差。津贴已为上升齐纳电压
上述V
ZT
而导致的齐纳阻抗和增加的结温的功率耗散接近50瓦。在
个别情况下，二极管，我
ZM
是的电流值，使得在50瓦的消耗。
WWW .
Microsemi的
.C
OM
图形和电路
额定功率耗散 - 瓦
典型的电路连接阳极到壳体和
阴极到外壳极性（标准和反向
极性，分别）。
例
温度℃
o
图2
功率降额曲线
1N2804 - 46B &
1N4557B - 64B
图3组
典型的齐纳阻抗与齐纳电流：该类型显示
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