1N3821直通1N3830A
1瓦的金属外壳稳压二极管
斯科茨代尔区划
描述
这座历史悠久的齐纳二极管系列为1N3821直通1N3830A
JEDEC登记气密密封的DO- 13封装玻璃提供了一个
低电压选择3.3到7.5伏特。它也非常适合用于高
可靠性的应用中，它是可用一月， JANTX ，并JANTXV
军事资格。较高的电压，可以在所述1N3016可用
直通1N3051系列（ 6.8 V至200 V）在同一封装中（参见单独的
数据表） 。 Microsemi的还提供了许多其他稳压二极管产品
对于其他各种套餐，包括表面贴装。
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
DO-13
(DO-202AA)
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
特点
齐纳电压范围： 3.3 V至7.5 V
密封DO- 13金属封装
内部焊接结合建设。
一月， JANTX ， JANTXV也可
每MIL - PRF19500 / 115资格加入的
JAN ， JANTX ，或JANTXV前缀的部件号
用于筛选的期望水平，例如JANTX1N3821 ，
JANTXV1N3051A等。
表面贴装也可与1N3821UR - 1
通1N30330AUR - 1系列单独的数据表
应用/优势
调节电压在很宽的工作电流
和温度范围
低电压选择3.3 7.5 V
严格的电压容差可用
低反向（漏）电流
不敏感的静电放电
密封金属封装
硬如Microsemi的描述本质辐射
MicroNote 050
最大额定值
工作结存储温度：
-65
o
C至+175
o
C
热电阻： 50
o
C / W *交界处领导
在从主体或110 0.375英寸（ 10mm）的
o
C / W
当引线安装在FR4结点到环境
PC板4毫米
2
铜垫（1盎司）和轨道
宽1毫米，长25毫米
DC功耗
*
： 1瓦在T
L
< 125
o
C 3/8”
（10毫米）的机构或1.0瓦在T
L
< +65
o
C下
安装在FR4印刷电路板所描述的热
抵抗上述（也参见图1）
正向电压@ 200毫安： 1.5伏特。
焊接温度： 260
o
下10秒（最大）
机械及包装
案例： DO - 13 （ DO- 202AA ） ，焊接，密封
密封的金属和玻璃
表面处理：所有外部表面是锡铅（铅/锡）
镀每MIL -STD- 750方法焊
2026
极性：负极连接情况。
重量：2.3克。
TAPE & REEL选项：按标准EIA- 296 （加
“ TR ”后缀的部件号）
请参阅最后一页的封装尺寸
1N3821 - 1N3830A
*对于进一步装配基准，从结热阻金属情况下，可以减少到
＆ LT ;
20
o
C / W
当直接在散热器安装DO - 13金属外壳。
版权
2003
2003年11月6日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N3821直通1N3830A
1瓦的金属外壳稳压二极管
斯科茨代尔区划
*电气特性@ 25
o
C
JEDEC
TYPE
数
1N3821
1N3821A
1N3822
1N3822A
1N3823
1N3823A
1N3824
1N3824A
1N3825
1N3825A
1N3826
1N3826A
1N3827
1N3827A
1N3828
1N3828A
1N3829
1N3829A
1N3830
1N3830A
注意事项：
1.
2.
公称
齐纳
电压
V
Z
@ I
ZT
（注1 ）
伏
3.3
3.3
3.6
3.6
3.9
3.9
4.3
4.3
4.7
4.7
5.1
5.1
5.6
5.6
6.2
6.2
6.8
6.8
7.5
7.5
齐纳
TEST
当前
I
ZT
mA
76
76
69
69
64
64
58
58
53
53
49
49
45
45
41
41
37
37
34
34
最大齐纳阻抗
（注2 ）
Z
ZK
@ I
ZK
= 1毫安
Z
ZT
@ I
ZT
欧
欧
10
400
10
400
10
400
10
400
9
400
9
400
9
400
9
400
8
500
8
500
7
550
7
550
5
600
5
600
2
700
2
700
1.5
500
1.5
500
1.5
250
1.5
250
最大
齐纳
当前
I
ZM
（注3）
mA
276
276
252
252
238
238
213
213
194
194
178
178
162
162
146
146
133
133
121
121
最大
反向
泄漏
当前
@ V
R
I
R
A
伏
100
1
100
1
100
1
100
1
50
1
50
1
10
1
10
1
10
1
10
1
10
1
10
1
10
2
10
2
10
3
10
3
10
3
10
3
10
3
10
3
典型
TEMP 。 COEFF 。
齐纳二极管
电压
α
VZ
o
%/ C
-.066
-.066
-.058
-.058
-.046
-.046
-.033
-.033
-.015
-.015
+/-.010
+/-.010
+.030
+.030
+.049
+.049
+.053
+.053
+.057
+.057
WWW .
Microsemi的
.C
OM
* JEDEC注册的数据。
带后缀A中所示JEDEC的类型数目有+/- 5％的额定齐纳电压的标准容差。 V
Z
测
o
与设备处于热平衡在25℃静止空气，并安装在测试夹， “从单元体。如果在V更严格的公差
Z
是必须的，
向厂家咨询。
齐纳阻抗导出时具有有效值等于直流齐纳电流的10％ （我一个60周期的交流电流
ZT
还是我
ZK
）是
叠加在我
ZT
还是我
ZK
。齐纳阻抗的测量是在2个点，以确保在击穿曲线和急剧膝
消除不稳定的单位。见MicroNote 202的变化具有不同的齐纳电流的动态阻抗。
津贴已取得的增加
V
Z
由于到Z
Z
并且对于增加结温为单位接近
在1瓦的功率耗散的热平衡。
3.
图的
额定功耗（ W）
T
L
1N3821 - 1N3830A
T
A
T
L
- 引脚温度（ C） 3/8“从身体
或T
A
在FR4 PC板
o
图2
温度COEFF 。与齐纳电压
图1
功率降额
版权
2003
2003年11月6日REV A
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1瓦的金属外壳稳压二极管
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图4
典型的电容与反向电压
1瓦齐纳二极管
包装尺寸
1N3821 - 1N3830A
DO-13
版权
2003
2003年11月6日REV A
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