技术参数
PNP大功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-四百六十一分之一万九千五
器件
2N6211
2N6212
2N6213
资质等级
JAN
JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
基极电流
集电极电流
总功耗
符号2N6211 2N6212 2N6213单位
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
B
I
C
225
275
300
350
350
400
6.0
1.0
2.0
3.0
35
-55到+200
马克斯。
5.0
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
W
W
0
C
单位
C / W
@ T
A
= +25
0
C
(1)
P
T
@ T
C
= +25
0
C
(2)
工作&储存温度
T
op
,
T
英镑
TO-66*
(TO-213AA)
热特性
特征
热阻结到外壳
1 ）线性降额17.1毫瓦/
0
对于T
A
> +25
0
C
2)
线性降额200毫瓦/
0
对于T
C
> +25
0
C
符号
R
θ
JC
0
*请参阅附录A
包装外形
电气特性（T
C
= 25
0
C除非另有说明）
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 200 MADC ， F = 3060赫兹
2N6211
2N6212
2N6213
2N6211
2N6212
2N6213
V
（ BR ）
首席执行官
225
300
350
250
325
375
VDC
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 200 MADC ， F = 3060赫兹，R
BE
= 50
V
（ BR ）
CER
VDC
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 200 MADC ， F = 3060赫兹，R
BE
= 50
,
V
BE
= -1.5伏
2N6211
2N6212
2N6213
V
（ BR ）
CEX
275
350
400
VDC
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
第1页2
2N6211 ， 2N6212 ， 2N6213 JAN系列
电气特性（续）
特征
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 150伏
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 250 VDC ，V
BE
= 1.5 VDC
V
CE
= 315伏，V
BE
= 1.5 VDC
V
CE
= 360伏，V
BE
= 1.5 VDC
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 275伏
V
CB
= 350伏
V
CB
= 400 VDC
发射基截止电流
V
EB
= 6.0伏
符号
I
首席执行官
2N6211
2N6212
2N6213
2N6211
2N6212
2N6213
分钟。
马克斯。
5.0
单位
MADC
I
CEX
0.5
0.5
0.5
15
15
15
0.5
MADC
I
CBO
MADC
I
EBO
MADC
基本特征
(3)
正向电流传输比
I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 2.8 VDC
I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 3.2 VDC
I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏
I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 5.0伏
2N6211
2N6212
2N6213
2N6211
2N6212
2N6213
2N6211
2N6212
2N6213
10
10
10
30
30
30
100
100
100
175
175
150
1.4
1.6
2.0
1.4
VDC
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 1.0 ADC ，我
B
= 0.125 ADC
V
CE （ SAT ）
基射极饱和电压
I
C
= 1.0 ADC ，我
B
= 0.125 ADC
V
BE （ SAT ）
VDC
动态特性
共发射小信号短路幅度
正向电流传输比
I
C
= 0.2 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 5.0 MHz的
输出电容
V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0，100千赫
≤
f
≤
1.0兆赫
h
fe
C
敖包
4.0
20
220
pF
开关特性
开启时间
V
CC
= 200
±
10 VDC ;我
C
= 1.0 ADC ;我
B1
= -0.125 ADC
打开-O FF时间
V
CC
= 200
±
10 VDC ;我
C
= 1.0 ADC ;我
B1
= -0.125 ADC ，我
B2
= 0.125Adc
t
on
0.6
3.1
s
s
t
关闭
安全工作区
DC测试
T
C
= +25
0
C， 1个周期，T = 1.0秒
测试1
V
CE
= 17.5伏，我
C
= 2.0 ADC
所有类型
测试2
V
CE
= 40 VDC ，我
C
= 0.875 ADC
所有类型
测试3
V
CE
= 225伏，我
C
= 0.034 ADC
2N6211
测试4
V
CE
= 300伏，我
C
= 0.02 ADC
2N6212
测试5
V
CE
= 350伏，我
C
= 0.015 ADC
2N6213
（ 3 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2.0%.
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
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技术参数
PNP大功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-四百六十一分之一万九千五
器件
2N6211
2N6212
2N6213
资质等级
JAN
JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
基极电流
集电极电流
总功耗
符号2N6211 2N6212 2N6213单位
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
B
I
C
225
275
300
350
350
400
6.0
1.0
2.0
3.0
35
-55到+200
马克斯。
5.0
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
W
W
0
C
单位
C / W
@ T
A
= +25
0
C
(1)
P
T
@ T
C
= +25
0
C
(2)
工作&储存温度
T
op
,
T
英镑
TO-66*
(TO-213AA)
热特性
特征
热阻结到外壳
1 ）线性降额17.1毫瓦/
0
对于T
A
> +25
0
C
2)
线性降额200毫瓦/
0
对于T
C
> +25
0
C
符号
R
θ
JC
0
*请参阅附录A
包装外形
电气特性（T
C
= 25
0
C除非另有说明）
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 200 MADC ， F = 3060赫兹
2N6211
2N6212
2N6213
2N6211
2N6212
2N6213
V
（ BR ）
首席执行官
225
300
350
250
325
375
VDC
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 200 MADC ， F = 3060赫兹，R
BE
= 50
V
（ BR ）
CER
VDC
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 200 MADC ， F = 3060赫兹，R
BE
= 50
,
V
BE
= -1.5伏
2N6211
2N6212
2N6213
V
（ BR ）
CEX
275
350
400
VDC
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
第1页2
2N6211 ， 2N6212 ， 2N6213 JAN系列
电气特性（续）
特征
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 150伏
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 250 VDC ，V
BE
= 1.5 VDC
V
CE
= 315伏，V
BE
= 1.5 VDC
V
CE
= 360伏，V
BE
= 1.5 VDC
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 275伏
V
CB
= 350伏
V
CB
= 400 VDC
发射基截止电流
V
EB
= 6.0伏
符号
I
首席执行官
2N6211
2N6212
2N6213
2N6211
2N6212
2N6213
分钟。
马克斯。
5.0
单位
MADC
I
CEX
0.5
0.5
0.5
15
15
15
0.5
MADC
I
CBO
MADC
I
EBO
MADC
基本特征
(3)
正向电流传输比
I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 2.8 VDC
I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 3.2 VDC
I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏
I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 5.0伏
2N6211
2N6212
2N6213
2N6211
2N6212
2N6213
2N6211
2N6212
2N6213
10
10
10
30
30
30
100
100
100
175
175
150
1.4
1.6
2.0
1.4
VDC
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 1.0 ADC ，我
B
= 0.125 ADC
V
CE （ SAT ）
基射极饱和电压
I
C
= 1.0 ADC ，我
B
= 0.125 ADC
V
BE （ SAT ）
VDC
动态特性
共发射小信号短路幅度
正向电流传输比
I
C
= 0.2 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 5.0 MHz的
输出电容
V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0，100千赫
≤
f
≤
1.0兆赫
h
fe
C
敖包
4.0
20
220
pF
开关特性
开启时间
V
CC
= 200
±
10 VDC ;我
C
= 1.0 ADC ;我
B1
= -0.125 ADC
打开-O FF时间
V
CC
= 200
±
10 VDC ;我
C
= 1.0 ADC ;我
B1
= -0.125 ADC ，我
B2
= 0.125Adc
t
on
0.6
3.1
s
s
t
关闭
安全工作区
DC测试
T
C
= +25
0
C， 1个周期，T = 1.0秒
测试1
V
CE
= 17.5伏，我
C
= 2.0 ADC
所有类型
测试2
V
CE
= 40 VDC ，我
C
= 0.875 ADC
所有类型
测试3
V
CE
= 225伏，我
C
= 0.034 ADC
2N6211
测试4
V
CE
= 300伏，我
C
= 0.02 ADC
2N6212
测试5
V
CE
= 350伏，我
C
= 0.015 ADC
2N6213
（ 3 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2.0%.
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
第2页2
英制
文档和过程
需要转换措施
符合本次修订应
由2001年9月14日完成。
MIL-PRF-19500/461D
2001年6月14日
取代
MIL-PRF-19500/461C
1998年5月29日
性能规格
半导体器件，晶体管PNP硅，大功率
TYPE 2N6211 ， 2N6212 ， 2N6213 ， JAN ， JANTX ， JANTXV ， JANS ， JANHC ，和JANKC
本规范由所有部门批准使用
国防部和机构。
1.范围
1.1适用范围。该规范涵盖了PNP硅，高电压的性能要求。四级
提供产品保证为每个设备类型的MIL -PRF- 19500规定。两个级别的产品
提供给每个未封装设备类型的保证。
1.2物理尺寸。参见图1 （TO- 66） ，和图2中， JANHC和JANKC （模具）的尺寸。
1.3最大额定值。除非另外指明， TC = + 25 ℃。
TYPE
PT （1）
TA = + 25°C
W
3.0
3.0
3.0
PT （2）
TC = + 25°C
W
35
35
35
VCBO
V DC
275
350
400
VCEO
V DC
225
300
350
VEBO
V DC
6.0
6.0
6.0
IB
直流
1.0
1.0
1.0
IC
直流
2.0
2.0
2.0
TOP和TSTG
°C
-65到+200
-65到+200
-65到+200
R
θJC
（最大）
° C / W
5.0
5.0
5.0
Z
θJX
° C / W
1.75
1.75
1.75
2N6211
2N6212
2N6213
(1)
(2)
线性降额在17.1毫瓦/ ℃的TA > + 25°C 。
线性降额在200毫瓦/ ℃， TC > + 25°C 。
1.4主要电气特性。除非另外指明， TC = + 25 ℃。
hFE1 （1）
VCE = 5 V直流
IC = 1直流
最低
最大
30
175
的VCE（ SAT） （1）
IC = 1.0 DC
IB = -0.125一个DC
2N6211
2N6212
2N6213
V DC
V DC
V DC
1.4
1.6
2.0
科博
100千赫
≤
f
≤
1兆赫
VCB = 10 V DC
IE = 0
pF
220
|h
fe
|
F = 5兆赫
IC = 0.2 A DC
VCE = 10 V DC
4
20
脉冲响应
吨
s
0.6
花花公子
s
3.1
（1 ）脉冲（见4.5.1 ） 。
有益的意见（建议，添加，删除）和任何相关的数据，可能是使用的
提高这个文件应该给：国防供应中心，哥伦布，联系人： DSCC / VAC ，
邮政信箱3990 ，哥伦布，俄亥俄州43216-5000 ，通过标准化文档改进建议
（ DD表格1426 ）出现在本文的结尾，或通过信函。
美国超导公司N / A
分配表A.获准公开发行;分布是无限的。
FSC 5961
MIL-PRF-19500/461D
2.适用文件
2.1一般。在本节中列出的文档都将在第3和第4本规范的规定。这
部不包括引用文件在本说明书中的其它部分的或推荐的附加
信息或作为例子。虽然已尽力确保本清单的完整性，文档
用户应注意，它们必须满足援引第3和第4的这一切规定要求的文件
说明书中，无论它们是否被列出。
2.2政府文件。
2.2.1规格，标准和手册。以下规范，标准，和手册形成
此文件在本文中所指定的范围的一部分。除非另有说明，这些文件的问题是
那些规范和标准（ DoDISS ）防御指数部的发行上市和
补充于此，举在招标（见6.2） 。
规范
国防部
MIL-PRF-19500
标准
国防部
MIL-STD-750
-
测试方法半导体器件。
-
半导体器件，一般规格。
（除非另有说明，都可以从上述规范，标准，和手册的副本
文档自动化和生产服务（ DAPS ） ，大厦4D （ DPM - DODSSP ） ， 700罗宾斯大道，
费城，宾夕法尼亚州19111-5094 ）。
2.3优先顺序。在本文档的文本和参考文献之间有冲突的引用的事件
这里，这个文档的文本优先。本文件的内容，但是，取代适用法律
并规定除非特定豁免已获得。
3.要求
3.1一般。用于采集本文所描述的产品的要求应包括本文件和
MIL-PRF-19500.
3.2资格。根据本说明书提供的设备应是由生产的产品
授权资格的活动适用的合格制造商的名单上列出制造商（ QML ）
之前签订合同（见4.2和6.4 ） 。
3.3缩写，符号和定义。缩写，符号，以及本文所用的定义应如
在MIL -PRF- 19500规定。
3.4接口和物理尺寸。接口和物理尺寸应在被指定为
MIL-PRF- 19500 ，并在图1 （ T0-66 ）和2（模）在本文中。
3.4.1铅完成。铅涂层应焊符合MIL -PRF- 19500 ， MIL -STD -750 ，以及在此。
其中，铅涂层的选择是需要的，应当在收购文件中指定（参见6.2节）。
3.5标记。标志应符合MIL -PRF- 19500 。
3.6电气性能特性。除非本文另有规定，电气性能
特性在1.3 ，1.4和表I所指定
2
MIL-PRF-19500/461D
尺寸
LTR
CH
LD
CD
PS
PS1
HT
LL
L1
MHD
讯息处理系统
HR
HR1
S
民
.250
.028
.470
.190
.093
.050
.360
.142
.958
.115
.570
英寸
最大
.340
.034
.500
.210
.107
.075
.500
.050
.152
.962
.350
.145
.590
MILLIMETERS
民
最大
6.35
8.64
0.71
0.86
11.94
12.70
4.83
5.33
2.36
2.72
1.27
1.91
9.14
12.70
1.27
3.61
3.86
24.33
24.43
8.89
2.92
3.68
14.48
14.99
笔记
7,9
2
3
3
2, 5
7
4
3
注意事项：
1.尺寸以英寸。公制等值给出的只是一般信息。
2.车身轮廓在由CD限定区域可选。
3.这些尺寸应在点0.050英寸（1.27 MM）来衡量，以0.055英寸（1.40 MM）以下座位
平面。当不使用计，测量应在座位平面进行。
4.在这个区域中的导线的直径可能会有所不同，以便完成铅和违规行为。
5. HT的尺寸不包括密封凸缘。
6.头的底座面应在0.001英寸（0.025 MM）平，凹到0.004英寸（ 0.101毫米）
凸一个0.520英寸（ 13.20毫米）直径的头部的中心圆内，并在0.001英寸的平面
（ 0.025毫米） ，凹面为0.006英寸（ 0.152毫米） ，凸整体。
7.两个终端。
8.集电极应电连接到所述壳体。
9. LD适用的L1和LL之间。直径是不受控制的L1 。
10.根据ANSI Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
图1.物理尺寸。
3
MIL-PRF-19500/461D
尺寸
LTR
A
B
民
.119
.119
英寸
最大
.125
.125
MILLIMETERS
民
最大
3.02
3.18
3.02
3.18
笔记
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.公制等值给出的只是一般信息。
3.模具的物理特性是：
厚度： 0.006英寸（0.15毫米）至0.012英寸（0.30毫米）。
顶部金属：铝50000名义， 37500最低。
背面金属：黄金3000的标称。
背面：收藏家。
接合垫： B = 0.015英寸英寸（0.38毫米）× 0.072英寸（1.83毫米）。
E = 0.015英寸（0.38公厘）x 0.060英寸（1.52毫米）。
4.结钝化与热二氧化硅。
图2. JANHC和JANKC （ A版）模具尺寸。
4
MIL-PRF-19500/461D
3.7电气试验的要求。电气试验要求应为A组为本文规定。
3.8工艺。半导体装置应以这样的方式进行处理，以统一的质量和
不得有其他缺陷，将影响生活，可维护性或外观。
4.验证
4.1分类检查。此规定的检验要求分类如下：
一。资质检查（见4.2） 。
B 。筛选（见4.3 ） 。
。一致性检查（见4.4 ） 。
4.2资格检查。资质检验应符合MIL -PRF- 19500和表二
在本文中。
4.3筛选（ JANS ， JANTX ，并JANTXV只有水平） 。筛选应符合表IV
MIL -PRF- 19500 ，和本文规定。下面的测量应符合表我进行
在本文中。超出表的限制我这里的设备不能接受。
屏幕（见表四
的MIL -PRF- 19500 ）
3c
9
11
测量
JANS级
热阻抗
（参见4.3.4 ）
hFE1和ICEX
hFE1和ICEX ; ICEX =
±100
百分
初始值或5的
A
直流，取
更大的。
hFE1 =
±15
个百分点。
老化（见4.3.1 ）
亚组2和3台我这里的;
I
CEX = 100 ％的初始值或5的
A
DC ，以较高者为准。
h
FE1 =
±15
百分
JANTX和JANTXV水平
热阻抗
（参见4.3.4 ）
hFE1和ICEX
12
13
老化（见4.3.1 ）
表我这里的亚组2 ;
I
CEX = 100 ％的初始值或0.1
毫安DC ，以较高者为准。
h
FE1 =
±25
个百分点。
4.3.1电源老化条件。电源老化测试条件如下：符合MIL -STD- 750 ，测试方法1038
条件B.牛逼
A
如在4.5 MIL -STD- 750的总体要求定义=室内环境; V
CB
≥
20 V DC ，
P
T
= 3.0 W.注：没有散热片或强制空气冷却的设备应被允许。
4.3.2 JANHC和JANKC筛选。模具的筛选应符合MIL -PRF- 19500 。测试极限
和条件应由供应商进行选择，以证明符合所规定的电气特性
详细规范。探针测试应在整个芯片进行大量的100 ％的供应商。
4.3.3 JANHC和JANKC死亡。资质应符合MIL -PRF- 19500 。
5
