IS41LV16400
4M ×16 （ 64兆位）动态RAM
与EDO页模式
特点
扩展数据输出（ EDO ）页面模式存取周期
?? TTL兼容的输入和输出;三态I / O
刷新间隔： 4096次/ 64毫秒
- 自动刷新模式：
RAS -只， CAS先于RAS
（CBR） ，及隐藏
低待机功耗：
- 1.8MW （最大） CMOS输入电平
单电源供电： 3.3V ± 10 ％
字节通过两个写和字节读取操作
CAS
扩展级温度范围-30
o
C至85
o
C
INDUSTRAIL温度范围-40
o
C至85
o
C
ISSI
1999年11月
描述
该
ISSI
IS41LV16400为4,194,304 ×16位高性
曼斯CMOS动态随机存取存储器。
这些器件提供所谓的加速周期访问
EDO页面模式。 EDO页面模式允许1024随机
与存取周期时间作为一个单一的行内访问
短按16位字为20 ns 。字节写控制，
上下字节，使得IS41LV16400理想
在16位宽的数据总线系统的使用。
这些特性使得S41LV16400非常适合于
高带宽图形，数字信号处理，
高性能计算系统和外围
应用程序。
该IS41LV16400打包在一个50针TSOP （ II型） 。
JEDEC标准引脚。
引脚配置
50引脚TSOP （ II型）
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
VCC
W
RAS
NC
NC
NC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
GND
LCAS
UCAS
OE
NC
NC
NC
A11
A10
A9
A8
A7
A6
GND
引脚说明
A0-A11
I/O0-15
WE
OE
RAS
UCAS
LCAS
VCC
GND
NC
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
上部列地址选通
下列地址选通
动力
地
无连接
关键时序参数
参数
马克斯。
RAS
访问时间（吨
RAC
)
马克斯。
CAS
访问时间（吨
CAC
)
马克斯。列地址访问时间（t
AA
)
分钟。 EDO页面模式周期时间（t
PC
)
分钟。读/写周期时间（T
RC
)
-50
50
13
25
20
84
-60
60
15
30
25
104
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们假设任何不承担责任
它可能出现在本出版物中的错误。 版权所有1999年，集成的芯片解决方案，公司
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
11/18/99
1
IS41LV16400
功能框图
OE
WE
LCAS
UCAS
CAS
时钟
发电机
WE
控制
LOGICS
OE
控制
逻辑
OE
RAS
ISSI
CAS
WE
RAS
RAS
时钟
发电机
数据I / O总线
列解码器
感测放大器
数据I / O缓冲器
刷新
计数器
I/O0-I/O15
行解码器
地址
缓冲器
A0-A11
存储阵列
4,194,304 x 16
2
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
11/18/99
IS41LV16400
真值表
功能
待机
阅读：字
阅读：低字节
阅读：高字节
写：字（早期写）
写：低字节（早期写）
写：高字节（早期写）
读 - 写
(1,2)
EDO页面模式读取
(2)
第一个周期：
第二个周期：
任何周期：
EDO页面模式写
(1)
第一个周期：
第二个周期：
EDO页面模式
(1,2)
读 - 写
隐藏刷新
RAS-只
刷新
CBR刷新
(4)
第一个周期：
第二个周期：
读
(2)
写
(1,3)
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
→
H
→
L
L
→
H
→
L
L
H
→
L
LCAS
H
L
L
H
L
L
H
L
H
→
L
H
→
L
L
→
H
H
→
L
H
→
L
H
→
L
H
→
L
L
L
H
L
UCAS
H
L
H
L
L
H
L
L
H
→
L
H
→
L
L
→
H
H
→
L
H
→
L
H
→
L
H
→
L
L
L
H
L
WE
X
H
H
H
L
L
L
H
→
L
H
H
H
L
L
H
→
L
H
→
L
H
L
X
X
OE
X
L
L
L
X
X
X
L
→
H
L
L
L
X
X
L
→
H
L
→
H
L
X
X
X
地址吨
R
/t
C
X
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
NA / COL
NA / COL
ROW / COL
NA / COL
ROW / COL
NA / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / NA
X
ISSI
I / O
高-Z
D
OUT
低字节，D
OUT
高字节，高Z
低字节，高Z
高位字节，D
OUT
D
IN
低字节，D
IN
高字节，高Z
低字节，高Z
高位字节，D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
D
OUT
D
OUT
D
IN
D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
D
OUT
高-Z
高-Z
注意事项：
1.这些写入周期也可能是字节写周期（无论是
LCAS
or
UCAS
活性） 。
2.这些读周期也可能是字节读周期（无论是
LCAS
or
UCAS
活性） 。
3.早期只写。
4.至少有一个2的
CAS
信号必须被激活（LCAS或
UCAS ） 。
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
11/18/99
3
IS41LV16400
功能说明
该IS41LV16400是用于CMOS DRAM的优化
高速带宽，低功耗的应用。中
读或写周期，每一位具有独特解决
通过22位地址： 12行地址位（ A0 A11 ）
和10列地址位（ A0 A9）。行地址是
由行地址选通（RAS）的锁存。列
地址由列地址选通（CAS）的锁存。
RAS
用于锁存所述第一12比特和
CAS
用于
后者10位。
该IS41LV16400有两个
CAS
控制，
LCAS
和
UCAS 。
该
LCAS
和
UCAS
输入在内部生成
a
CAS
以相同的方式对信号起作用
单身
CAS
输入上的其他4M ×16 DRAM中。关键
不同的是，每
CAS
控制其相应的
I / O三态逻辑（与联
OE
和
WE
和
RAS ） 。 LCAS
控制I / O 0至I / O7与
UCAS
控制I / O 8通过I / O15 。
该IS41LV16400
CAS
函数由第一确定
CAS
（ LCAS或
UCAS ）
过渡LOW和最后一个
转换回HIGH 。两
CAS
控制给
IS41LV16400两个字节读和字节写周期
的能力。
ISSI
刷新周期
保留数据， 4096刷新周期需要在每
64毫秒的时间。有两种方法来刷新存储器。
1.计时每4096行地址（ A0
通过A11 ）与
RAS
至少每64毫秒。任何
读，写，读 - 修改 - 写或
RAS-只
周期
刷新寻址的行。
2.使用
CAS先于RAS
刷新周期。
CAS先于RAS
刷新由下降沿激活
RAS ，
而
控股
CAS
低。在
CAS先于RAS
刷新周期
一个内部的12位计数器提供的行地址
和外部地址输入将被忽略。
CAS先于RAS
是刷新-only模式，没有数据
访问或设备的选择是允许的。因此，输出
在循环过程中保持在高阻状态。
扩展数据输出页面模式
EDO页面模式操作允许所有1024列
一个选定的行中以高的可随机访问
数据速率。
在EDO页面模式读取周期，数据输出被保持到
NEXT
CAS
周期的下降沿，而不是上升沿边缘。
出于这个原因，在EDO页中的有效数据输出时间
用快速页面模式相比方式被延长。在
在快速页面方式中，有效数据输出时间变
较短的
CAS
周期时间变短。 There-
脱颖而出，在EDO页模式，定时在读周期保证金
比的快速页面模式，即使大
CAS
周期时间变短。
在EDO页模式中，由于扩展的数据的功能，该
CAS
周期时间可以比在快速页面模式短
如果定时余量是相同的。
江户时代页面模式允许同时读取和写入
在一次操作
RAS
周期，但性能
等同于在此情况下，快速页模式。
存储周期
存储器周期是由带启动
RAS
低，这是
通过返回两个终止
RAS
和
CAS
HIGH 。对
保证器件正常工作和数据完整性的任何
存储器周期，一旦启动，不能结束或
最低吨前中止
RAS
时间已经过期。新
周期不能启动，直到最小的预充电
时间T
RP
, t
CP
是否已经过去。
读周期
读周期由下降沿启动
CAS
or
OE ，
为准过去，一边拿着
WE
HIGH 。该
列地址必须保持的最小时间
经t指定
AR
。数据输出变为有效只有当T
RAC
,
t
AA
, t
CAC
和T
OEA
都不满意。作为结果，所述接入
时间取决于之间的时序关系
这些参数。
POWER- ON
应用在V后
CC
供应的初始暂停
200 μs的需要之后至少8
初始化周期（含周期的任意组合
a
RAS
信号）。
上电过程中，则建议
RAS
与跟踪
V
CC
或在一个有效的V举行
IH
为了避免电流浪涌。
写周期
写周期是由下降沿启动
CAS
和
WE ，
为准过去。输入数据必须是有效的
在或下降沿之前
CAS
or
WE ，
任何
去年发生。
4
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
11/18/99
IS41LV16400
绝对最大额定值
(1)
符号
V
T
V
CC
I
OUT
P
D
T
A
参数
任何引脚相对于GND电压
电源电压
输出电流
功耗
商业工作温度
扩展温度
INDUSTRAIL温度
储存温度
等级
-0.5到+4.6
-0.5到+4.6
50
1
0至+70
-30至+85
-40至+85
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
°C
°C
ISSI
T
英镑
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在这些或
任何其他条件超过上述业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
推荐工作条件
（电压参考GND ）。
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
商业环境温度
扩展环境温度
INDUSTRAIL环境温度
分钟。
3.0
2.0
–0.3
0
–30
–40
典型值。
3.3
—
—
—
—
—
马克斯。
3.6V
V
CC
+ 0.3
0.8
70
85
85
单位
V
V
V
°C
°C
°C
电容
(1,2)
符号
C
IN
1
C
IN
2
C
IO
参数
输入电容： A0 -A11
输入电容：
RAS ， UCAS ， LCAS ， WE ， OE
数据输入/输出电容： I / O0 -I / O15
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1兆赫。
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
11/18/99
5
