集成设备技术有限公司
快速CMOS八路
透明
锁存器
IDT54 / 74FCT373T / AT / CT / DT - 2373T / AT / CT
IDT54/74FCT533T/AT/CT
IDT54 / 74FCT573T / AT / CT / DT - 2573T / AT / CT
产品特点：
共同的特点：
低输入和输出泄漏
≤1A
（ MAX 。 ）
- CMOS功率水平
- 真正的TTL输入和输出的兼容性
– V
OH
= 3.3V （典型值）。
– V
OL
= 0.3V （典型值）。
- 符合或超过JEDEC标准规格18
- 产品在耐辐射和辐射提供
增强版
- 军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
和DESC上市（双标）
- 提供DIP ， SOIC ， SSOP ， QSOP ， CERPACK
和LCC封装
功能FCT373T / FCT533T / FCT573T ：
- 标准， A，C和D的速度等级
- 高驱动输出（ -15mA我
OH
， 48毫安我
OL
)
??断电禁用输出允许??带电插入??
特色功能FCT2373T / FCT2573T ：
- 标准， A和C速度等级
- 电阻输出
（ -15mA我
OH
， 12毫安我
OL
COM 。 ）
（ -12mA我
OH
， 12毫安我
OL
MIL ）。
降低系统的开关噪声
描述：
该FCT373T / FCT2373T ， FCT533T和FCT573T /
FCT2573T建八路透明锁存器使用AD-
vanced双金属CMOS工艺。这些八进制锁存器
具有三态输出，并适用于面向总线的应用程序
阳离子。触发器出现透明的数据时
锁存使能（ LE ）为高。当LE为低电平，数据即
满足建立时间被锁存。数据出现在总线上
当输出使能（
OE
）为LOW 。当
OE
高，则
总线输出为高阻态。
该FCT2373T和FCT2573T已平衡驱动器输出
把与限流电阻。这提供了低地
反弹，最低下冲和控制输出下降时间─
减少了对外部串联终端电阻。
该FCT2xxxT部分是插电式替代FCTxxxT
件。
功能框图IDT54 / 74FCT373T / 2373T和IDT54 / 74FCT573T / 2573T
D
0
D
O
G
G
D
1
D
O
G
D
2
D
O
G
D
3
D
O
G
D
4
D
O
G
D
5
D
O
G
D
6
D
O
G
D
7
D
O
LE
OE
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
2564 CNV * 01
功能框图IDT54 / 74FCT533T
D
0
D
O
G
G
D
1
D
O
G
D
2
D
O
G
D
3
D
O
G
D
4
D
O
G
D
5
D
O
G
D
6
D
O
G
D
7
D
O
LE
OE
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
2564 CNV * 02
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
军用和商用温度范围
1995
集成设备技术有限公司
1995年8月
DSC-4216/6
6.12
1
IDT54 / 74FCT373T / AT / CT / DT - 2373T / AT / CT ， IDT54 / 74FCT533T / AT / CT ， IDT54 / 74FCT573T / AT / CT / DT - 2573T / AT / CT
快速CMOS八路透明锁存器
军用和商用温度范围
销刀豆网络gurations
IDT54/74FCT373/2373T
OE
O
0
D
0
D
1
O
1
O
2
D
2
D
3
O
3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
P20-1
D20-1
SO20-2
SO20-7
SO20-8
＆放大器;
E20-1
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
O
7
D
7
D
6
O
6
O
5
D
5
D
4
O
4
LE
2564 CNV * 03
3 2
D
1
O
1
O
2
D
2
D
3
4
5
6
7
8
1
20 19
18
17
16
15
14
V
CC
O
7
OE
O
0
指数
D
0
D
7
D
6
O
6
O
5
D
5
L20-2
9 10 11 12 13
O
3
GND
LE
O
4
D
4
2564 CNV * 04
DIP / SOIC / SSOP / QSOP / CERPACK
顶视图
LCC
顶视图
IDT54/74FCT573/2573T
OE
V
CC
1
OE
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
P20-1
D20-1
SO20-2
SO20-7
SO20-8
＆放大器;
E20-1
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
LE
2564 CNV * 05
D
1
3 2
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
4
5
6
7
8
20 19
18
17
16
15
14
O
0
D
0
指数
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
L20-2
9 10 11 12 13
D
7
GND
LE
O
7
O
6
2564 CNV * 06
DIP / SOIC / SSOP / QSOP / CERPACK
顶视图
LCC
顶视图
IDT54/74FCT533
OE
O
0
D
0
D
1
O
1
O
2
D
2
D
3
O
3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
P20-1
D20-1
SO20-2
＆放大器;
E20-1
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
O
7
D
7
D
6
O
6
O
5
D
5
D
4
O
4
LE
2564 CNV * 07
3 2
D
1
O
1
O
2
D
2
D
3
4
5
6
7
8
1
20 19
18
17
16
15
14
V
CC
O
7
OE
D
0
O
0
指数
D
7
D
6
O
6
O
5
D
5
L20-2
9 10 11 12 13
LE
O
3
GND
O
4
D
4
2564 CNV * 08
DIP / SOIC / CERPACK
顶视图
LCC
顶视图
6.12
2
IDT54 / 74FCT373T / AT / CT / DT - 2373T / AT / CT ， IDT54 / 74FCT533T / AT / CT ， IDT54 / 74FCT573T / AT / CT / DT - 2573T / AT / CT
快速CMOS八路透明锁存器
军用和商用温度范围
功能表（ 533 ）
(1)
D
N
H
L
X
输入
LE
H
H
X
输出
功能表（ 373和573 ）
(1)
OE
L
L
H
O
N
L
H
Z
2564 TBL 01
D
N
H
L
X
输入
LE
H
H
X
OE
L
L
H
输出
O
N
H
L
Z
2564 TBL 02
注意：
1. H =高电压电平
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗
注意：
1. H =高电压电平
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗
功能定义条款
引脚名称
D
N
LE
描述
数据输入
锁存使能输入（高电平有效）
输出使能输入（低电平有效）
三态输出
补充三态输出
2564 TBLL 03
OE
O
N
O
N
绝对最大额定值
(1)
符号
等级
广告
V
TERM(2)
端电压
-0.5到+7.0
关于
GND
V
TERM(3)
端电压
-0.5到
关于
V
CC
+0.5
GND
T
A
操作
0至+70
温度
T
BIAS
温度
-55到+125
在偏置
T
英镑
存储
-55到+125
温度
P
T
功耗
0.5
I
OUT
DC输出
当前
-60到+120
军事
-0.5到+7.0
单位
V
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
参数
(1)
C
IN
输入
电容
C
OUT
产量
电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
典型值。
6
8
MAX 。 UNIT
10
pF
12
pF
2564 LNK 05
-0.5到
V
CC
+0.5
-55到+125
-65到+135
-65到+150
0.5
-60到+120
V
°
C
°
C
°
C
W
mA
注意：
1.此参数的测量是在表征，但未经测试。
2564 LNK 04
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定上市
INGS可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该器件在这些或任何其他条件只与功能操作
超过上述业务部门所标明的这个规范
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。没有端子电压可能超过
V
CC
以+ 0.5V ，除非另有说明。
2.输入和V
CC
只有终端。
3.输出和仅I / O端子。
6.12
3
IDT54 / 74FCT373T / AT / CT / DT - 2373T / AT / CT ， IDT54 / 74FCT533T / AT / CT ， IDT54 / 74FCT573T / AT / CT / DT - 2573T / AT / CT
快速CMOS八路透明锁存器
军用和商用温度范围
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用，除非另有规定：
商业：T已
A
= 0 ° C至+ 70 ° C，V
CC
= 5.0V
±
5％ ;军事：T已
A
= -55℃ + 125°C ，V
CC
= 5.0V
±
10%
符号
V
IH
V
IL
I
I H
I
I L
I
OZH
I
OZL
I
I
V
IK
V
H
I
CC
参数
输入高电平
输入低电平
输入高电流
(4)
输入低电平电流
(4)
高阻抗输出电流
（三态输出引脚）
(4)
输入高电流
(4)
钳位二极管电压
输入滞后
静态电源电流
V
CC
=最小值，我
IN
= -18mA
—
测试条件
(1)
确保逻辑高电平
保证逻辑低电平
V
CC
=最大。
V
CC
=最大。
V
I
= 2.7V
V
I
= 0.5V
V
O
= 2.7V
V
O
= 0.5V
V
CC
=最大，V
I
= V
CC
（ MAX 。 ）
分钟。
2.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
(2)
—
—
—
—
—
—
—
–0.7
200
0.01
马克斯。
—
0.8
±1
±1
±1
±1
±1
–1.2
—
1
单位
V
V
A
A
A
V
mV
mA
2564 LNK 06
V
CC
=最大，V
IN
= GND或V
CC
输出驱动特性，可以用于FCT373T / 533T / 573T
符号
V
OH
参数
输出高电压
测试条件
(1)
V
CC
=最小值。
I
OH
= -6mA MIL 。
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -8mA COM'L 。
I
OH
= -12mA MIL 。
I
OH
= -15mA COM'L 。
V
CC
=最小值。
I
OL
= 32毫安MIL 。
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 48毫安COM'L 。
V
CC
=最大，V
O
= GND
(3)
V
CC
= 0V, V
IN
或V
O
≤
4.5V
分钟。
2.4
2.0
—
–60
—
典型值。
(2)
3.3
3.0
0.3
–120
—
马克斯。
—
—
0.5
–225
单位
V
V
V
mA
V
OL
I
OS
I
关闭
输出低电压
短路电流
输入/输出电源关闭泄漏
(5)
±
1
A
2564 LNK 07
输出驱动特性，可以用于FCT2373T / 2573T
符号
I
ODL
I
ODH
V
OH
V
OL
参数
输出低电流
输出高电流
输出高电压
输出低电压
测试条件
(1)
V
CC
= 5V, V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
V
OUT
= 1.5V
(3)
V
CC
= 5V, V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
V
OUT
= 1.5V
(3)
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -12mA MIL 。
I
OH
= -15mA COM'L 。
I
OL
= 12毫安
分钟。
16
–16
2.4
—
典型值。
(2)
48
–48
3.3
0.3
马克斯。
—
—
—
0.50
单位
mA
mA
V
V
2564 LNK 08
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在Vcc = 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。短路试验的持续时间应不超过一秒钟。
4.测试限制这个参数是
±5A
在T
A
= –55°C.
5.此参数是保证，但未经测试。
6.12
4
IDT54 / 74FCT373T / AT / CT / DT - 2373T / AT / CT ， IDT54 / 74FCT533T / AT / CT ， IDT54 / 74FCT573T / AT / CT / DT - 2573T / AT / CT
快速CMOS八路透明锁存器
军用和商用温度范围
电源特性
符号
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
TTL输入高电平
动态电源
当前
(4)
测试条件
(1)
V
CC
=最大。
V
IN
= 3.4V
(3)
V
CC
=最大。
输出打开
OE
= GND
一个输入切换
占空比为50％
V
CC
=最大。
输出打开
科幻= 10MHz时
占空比为50％
OE
= GND
LE
=
V
CC
一位切换
V
CC
=最大。
输出打开
科幻= 2.5MHz的
占空比为50％
OE
= GND
LE
=
V
CC
八位切换
分钟。
—
—
—
典型值。
(2)
0.5
0.15
0.06
马克斯。
2.0
0.25
0.12
单位
mA
毫安/
兆赫
V
IN
= V
CC
FCTxxxT
V
IN
= GND
FCT2xxxT
I
C
总电源电流
(6)
V
IN
= V
CC
FCTxxxT
—
—
—
1.5
0.6
1.8
0.9
3.5
2.2
4.5
3.2
6.0
(5)
3.4
(5)
14.0
(5)
11.4
(
5)
mA
V
IN
= GND FCT2xxxT
FCTxxxT
V
IN
= 3.4
V
IN
= GND
FCT2xxxT
V
IN
= V
CC
FCTxxxT
—
—
—
—
3.0
1.2
5.0
3.2
V
IN
= GND FCT2xxxT
FCTxxxT
V
IN
= 3.4
V
IN
= GND
FCT2xxxT
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） 。所有其他输入在V
CC
或GND 。
4.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
5.值这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制保证，但未经测试。
6. I
C
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+
I
CC
D
H
N
T
+ I
CCD
(f
CP /
2 + f
i
N
i
)
I
CC
·静态电流
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
= 3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
f
CP
=时钟频率为注册设备（零非注册设备）
f
i
=输入频率
N
i
输入数=在f
i
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
2564 TBL 09
6.12
5
